【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】流体芯片
技术介绍
流体芯片是使流体移动通过其各种材料层内的若干个通道的任何流体流动结构或芯片。一种类型的流体芯片是流体喷射芯片，其从芯片喷射流体以便例如当在打印介质上打印图像时将喷射的流体精确地瞄准到基底上。流体盒或打印杆中的流体喷射芯片可以包括在硅基底的表面上的若干个流体喷射元件。通过激活流体喷射元件，流体可以被打印在基底上。流体喷射芯片可包括用于使流体从流体喷射芯片喷射的电阻或压电元件的阵列。流体被促使通过缝缝槽和通道流到流体喷射元件，该缝缝槽和通道流体地联接到流体喷射元件所在的腔室。附图说明附图示出了本文所描述的原理的各种示例并且是说明书的一部分。所示出的示例仅是为了说明而给出的，并且不限制权利要求的范围。图1A是根据本文所描述的原理的一个示例的流体芯片的透视图。图1B是根据本文所描述的原理的示例的图1A的流体芯片沿着图1A所示的线A-A的剖视图。图1C是根据本文所描述的原理的示例的图1A的流体芯片沿着图1A所示的线B-B的剖视图。图1D是根据本文所描述的原理的示例的图1A的流体芯片沿着图1...
【技术保护点】
1.一种流体芯片，包括：/n流体通道层，所述流体通道层在其中限定若干个流体通道；/n缝槽层，所述缝槽层布置在所述流体通道层的一侧上；以及/n第一流体缝槽和第二流体缝槽，所述第一流体缝槽和第二流体缝槽限定在所述缝槽层中，/n其中，所述流体通道中的至少一个将所述第一流体缝槽流体地联接到所述第二流体缝槽，并且/n其中，所述第一流体缝槽和所述第二流体缝槽沿着所述流体芯片的长度限定在所述缝槽层中。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】1.一种流体芯片，包括：
流体通道层，所述流体通道层在其中限定若干个流体通道；
缝槽层，所述缝槽层布置在所述流体通道层的一侧上；以及
第一流体缝槽和第二流体缝槽，所述第一流体缝槽和第二流体缝槽限定在所述缝槽层中，
其中，所述流体通道中的至少一个将所述第一流体缝槽流体地联接到所述第二流体缝槽，并且
其中，所述第一流体缝槽和所述第二流体缝槽沿着所述流体芯片的长度限定在所述缝槽层中。
2.如权利要求1所述的流体芯片，包括
流体喷射层，所述流体喷射层经由限定在所述流体喷射层内的若干个流体供给孔流体地联接到所述流体通道，所述流体喷射层包括：
设置在若干个流体喷射腔室中的若干个流体喷射致动器；以及
与所述若干个流体喷射腔室对应的若干个喷嘴。
3.如权利要求2所述的流体芯片，其中，基于所述流体喷射层内的所述流体喷射致动器的布置，所述流体通道被限定在所述流体通道层内。
4.如权利要求1所述的流体芯片，包括：
绝缘体上硅（SOI）层，所述绝缘体上硅（SOI）层设置在所述流体通道层和所述缝槽层之间；以及
第一SOI孔口和第二SOI孔口，所述第一SOI孔口和所述第二SOI孔口限定在所述SOI层中，所述第一和第二SOI层将所述第一流体缝槽和第二流体缝槽流体地联接到所述流体通道中的至少一个。
5.如权利要求1所述的流体芯片，其中，限定在所述流体通道层中的所述流体通道在所述流体通道之间形成若干个肋。
6.如权利要求1所述的流体芯片，包括：
至少一个通道间通路，所述至少一个通道间通路限定在将所述若干个流体通道中的两个分开的肋中，所述通道间通路将流体喷射腔室流体地联接到两个相邻的流体通道；以及
微流体泵，所述微流体泵设置在所述通道间通路内，以将流体从第一流体通道泵送通过所述通道间通路，经过设置在所述流体喷射腔室中的一个的所述第一流体喷射致动器中的一个，并且进入与所述第一流体通道相邻的第二通道中。
7.如权利要求1所述的流体芯片，包括：
其中，第一流体通道将所述第一流体缝槽流体地联接到所述第二流体缝槽，并且两个相邻的流体通道被流体地联接到所述第一流体缝槽而不是所述第二流体缝槽，所述流体芯片还包括：
若干个通道间通路，所述若干个通道间通路限定在将所述若干个流体通道中的每个流体通道分开的若干个肋中，所述通道间通路将流体喷射腔室流体地联接到相邻的流体通道；
其中，从所述第一缝槽流入所述两个相邻的流体缝槽中的流体通过所述通道间通路流入所述第一流体通道中。
8.一种用于使流体在流体芯片内再循环的系统，包括：
流体贮器；
流体通道层，所述流体通道层在其中限定若干个流体通道，所述流体通道层流体地联接到所述流体贮器；
技术研发人员：J卢姆，J塞尔斯，SL蔡，
申请(专利权)人：惠普发展公司，有限责任合伙企业，
类型：发明
国别省市：美国;US
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