一种宽光谱探测器以及制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种宽光谱探测器以及制备方法，该探测器包括：衬底，以及至少一个探测单元；其中，至少一个探测单元设置在衬底上；至少一个探测单元，包括：两个金属电极以及钙钛矿材料层；钙钛矿材料层与两个金属电极欧姆接触。本发明专利技术实施例的技术方案，解决了现有技术中采用硅、铟镓砷，或锗探测器时，探测器的覆盖范围小，响应度低，难以满足各方面需求的技术问题，实现了提高探测器的覆盖范围，使探测器可以从紫外覆盖到太赫兹波段，并且响应度较高，从而可以提高应用范围的技术效果。

A wide spectrum detector and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种宽光谱探测器以及制备方法
本专利技术实施例涉及太赫兹探测
，尤其涉及一种宽光谱探测器以及制备方法。
技术介绍
目前，商业上已经存在比较成熟的探测器技术，如硅(Si)，铟镓砷(InGaAs),锗(Ge)等探测器。其中，上述列举的探测器的响应波段以及响应度，可参见表1。表1类型响应波段(nm)响应度(A/W)DSi200200-11000.52DInGaAs1650800-17000.85Ge400-20000.85但是，上述探测器的覆盖波段难以覆盖到紫外到太赫兹波段，并且响应度在1A/W，同时上述探测器难以做成柔性可穿戴的，因此难以满足实际应用中各个方面的需求。
技术实现思路
本专利技术提供一种宽光谱探测器以及制备方法，以实现宽光谱探测，以及提高响应度的技术效果。第一方面，本专利技术实施例提供了一种宽光谱探测器，该宽光谱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽光谱探测器，其特征在于，包括：衬底，以及至少一个探测单元；其中，/n所述至少一个探测单元设置在所述衬底上；/n所述至少一个探测单元，包括：两个金属电极以及钙钛矿材料层；/n所述钙钛矿材料层与所述两个金属电极欧姆接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种宽光谱探测器，其特征在于，包括：衬底，以及至少一个探测单元；其中，
所述至少一个探测单元设置在所述衬底上；
所述至少一个探测单元，包括：两个金属电极以及钙钛矿材料层；
所述钙钛矿材料层与所述两个金属电极欧姆接触。


2.根据权利要求1所述的宽光谱探测器，其特征在于，所述至少一个探测单元包括一个探测单元；
所述探测单元包括：
在所述衬底上设置有第一金属电极；
所述钙钛矿材料层设置在所述第一金属电极上；
第二金属电极设置在所述钙钛矿材料层上。


3.根据权利要求2所述的宽光谱探测器，其特征在于，所述衬底具有导电性，作为第一金属电极；
所述钙钛矿材料层设置在所述衬底上；
所述第二金属电极设置在所述钙钛矿材料层上；
所述两个金属电极包括所述衬底以及所述第二金属电极。


4.根据权利要求3中任一所述的宽光谱探测器，其特征在于，所述第一金属电极的尺寸小于所述衬底的尺寸；所述钙钛矿材料层的尺寸小于等于所述第一金属电极的尺寸；所述第二金属电极的尺寸小于所述钙钛矿材料层的尺寸。


5.根据权利要求1-4中任一所述的宽光谱探测器，其特征在于，所述第一金属电极与所述第二金属电极是异种金属电极，或同种金属电极。


6.根据权利要求1所述的宽光谱探测器，其特征在于，所述至少一个探测单元包括一个探测单元；
所述探测单元包括：
在所述衬底上旋涂钙钛矿材料层；
在所述钙钛矿材料层上设置有两个金属电极，所述两个金属电极之间的间距在预设...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雅婷，李依凡，李腾腾，李庆延，姚建铨，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12