光电器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种光电器件及其制作方法。光电器件包括阴极修饰层，阴极修饰层的材质包括氧化铟镓锌(IGZO)。本发明专利技术通过将氧化铟镓锌作为阴极修饰层材料，应用在倒置型的有机发光二极管或倒置型的有机光伏电池中，提高了阴极修饰层的迁移率；应用在倒置型的有机发光二极管中时，提高有机发光二极管的注入效率，进而提高了其发光效率与降低开启电压；应用在倒置型的有机光伏电池中时，提高了有机光伏电池的电荷抽取效率，进而提高了其光电转换效率。

Photoelectric device and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
光电器件及其制作方法
本专利技术属于有机发光二极管/有机光伏电池
，具体涉及一种光电器件及其制作方法。
技术介绍
目前，n-型金属氧化物可有效降低ITO电极功函数。选择电子传输层材料制作有机发光二极管器件时，要保证材料的最低未占有分子轨道(LUMO)能级和阴极功函数相匹配，同时具有较高的电子迁移率，使电子能够有效注入。常见的电子传输材料的能带带隙大，LUMO能级高，以电子传输材料Bpen为例，如图1，其LUMO能级为3.2eV(电子伏特)，Mg与Ag合金的能级为3.7eV，为了能使MgAg合金能够顺利注入到Bpen中，需要对MgAg电极进行修饰。传统的聚合物光电器件必须采用低功函数活泼金属，例如Ba、Ca等，做阴极以保持有效的电子注入与收集，而Ba、Ca等电极在空气中不稳定。在倒置型的有机发光二极管(OLED)中，如图1，ITO作为负极(阴极)起注入电子的功能，但ITO的功函数为4.7eV。为了降低功函数，有一种方法是采用一层厚度小于10nm的电子传输层薄膜覆盖在高功函的电极如ITO之上，这层薄膜在高功函电极与有机半导体材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电器件，其特征在于，包括：/n第一电极；/n阴极修饰层，设于所述第一电极上，其材质包括氧化铟镓锌；/n功能层，设于所述阴极修饰层上；以及/n第二电极，设于所述功能层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电器件，其特征在于，包括：
第一电极；
阴极修饰层，设于所述第一电极上，其材质包括氧化铟镓锌；
功能层，设于所述阴极修饰层上；以及
第二电极，设于所述功能层上。


2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述阴极修饰层的载流子迁移率大于10cm2/(V·s)。


3.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述阴极修饰层的最低未占有分子轨道能级为-4.5eV。


4.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，还包括：
空穴传输层，设于所述功能层和所述第二电极之间。


5.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述功能层为有机发光层。


6.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述功能层为...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈金祥，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44