发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种发光装置及其制造方法。发光装置包括基板、发光元件、波长转换层、黏胶及反射层。发光元件设于基板上。波长转换层包括高密度转换层及低密度转换层。黏胶形成于发光元件与高密度转换层之间。反射层形成于基板上方且覆盖发光元件的侧面、黏胶的侧面及波长转换层的侧面。

Luminescent device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制造方法
本专利技术是有关于一种发光装置及其制造方法，且特别是有关于一种具有反射层的发光装置及其制造方法。
技术介绍
传统的发光装置包含荧光胶及发光元件，其中荧光胶包覆发光元件的上表面及侧面。发光元件在发光时会产生高温，此高温会影响荧光胶，加速荧光胶老化，而改变发光装置的出光光色。因此，亟需提出一种可减缓荧光胶老化的方案。
技术实现思路
因此，本专利技术提出一种发光装置及其制造方法，可减缓荧光胶老化的方案。根据本专利技术的一实施例，提出一种发光装置。发光装置包括一基板、一发光元件、一波长转换层、一黏胶及一反射层。发光元件设于该基板上。波长转换层包括一高密度转换层及一低密度转换层。黏胶形成于发光元件与高密度转换层之间。反射层形成于基板上方且覆盖发光元件的一侧面、黏胶的一侧面及波长转换层的一侧面。根据本专利技术的另一实施例，提出一种发光装置的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板及一发光元件，发光元件设于基板上；提供一波长转换层，其中波长转换层包括一高密度转换层及一低密度转换层；以一黏胶，黏合高密度转换层与发光元件；以及，形成一反射层于基板上方，其中反射层覆盖发光元件的一侧面、黏胶的一侧面及波长转换层的一侧面。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：附图说明图1示出依照本专利技术一实施例的发光装置的剖视图。图2示出依照本专利技术另一实施例的发光装置的剖视图。图3示出依照本专利技术另一实施例的发光装置的剖视图。图4示出依照本专利技术另一实施例的发光装置的剖视图。图5A至图5H示出图1的发光装置的制造过程图。图6A至图6C示出图1的发光装置的另一种制造过程图。图7A至图7C示出图2的发光装置的制造过程图。图8A至图8C示出图3的发光装置的制造过程图。图9A至图9F示出图4的发光装置的制造过程图。符号说明10、10’：载体100、200、300、400：发光装置110：基板111：基材111u：第一表面111b：第二表面112：第三电极113：第四电极114：第一接垫115：第二接垫116：第一导电柱117：第二导电柱120：发光元件120u：上表面121：第一电极122：第二电极110s、120s、130s、141s、142s、150s：侧面130：波长转换层130’：波长转换层材料130b、143s：下表面131：高密度转换层132：低密度转换层133：荧光粒子140：黏胶141：第一侧部142：热阻层143：第二侧部150：反射层151：第一反射部151s：第一反射面152：填充部153：第二反射部153s：第二反射面G1：第一间隔G2：第二间隔L1：光线P1：路径T1、T2：厚度W1：第一切割道W2：第二切割道具体实施方式图1示出依照本专利技术一实施例的发光装置100的剖视图。发光装置100包括基板110、发光元件120、波长转换层130、黏胶140及反射层150。基板110例如是陶瓷基板。在本实施例中，基板110包括基材111、第三电极112、第四电极113、第一接垫114、第二接垫115、第一导电柱116及第二导电柱117。基材111例如是硅基材料所形成。基材111具有相对的第一表面111u与第二表面111b。第三电极112及第四电极113形成于基材111的第一表面111u，而第一接垫114及第二接垫115形成于基材111的第二表面111b。第一导电柱116及第二导电柱117贯穿基材111，其中第一导电柱116连接第三电极112与第一接垫114，以电连接第三电极112与第一接垫114，而第二导电柱117连接第四电极113与第二接垫115，以电连接第四电极113与第二接垫115。发光装置100可设于一电路板(未示出)上，其中基板110的第一接垫114及第二接垫115电性连接于电路板的二电极(未示出)，使发光元件120通过第一接垫114及第二接垫115电性连接于电路板。发光元件120设于基板110上。发光元件120包括第一电极121及第二电极122，其中第一电极121及第二电极122分别电性连接于第三电极112及第四电极113。发光元件120例如是发光二极管。虽然图未示出，发光元件120可更包含第一型半导体层、第二型半导体层及发光层。发光层设于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一型半导体层例如是N型半导体层，而第二型半导体层则为P型半导体层；或是，第一型半导体层是P型半导体层，而第二型半导体层则为N型半导体层。以材料来说，P型半导体层例如是掺杂铍(Be)、锌(Zn)、锰(Mn)、铬(Cr)、镁(Mg)、钙(Ca)等的氮化镓基半导体层，而N型半导体层例如是掺杂硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、硫(S)、氧(O)、钛(Ti)及或锆(Zr)等的氮化镓基半导体层。发光层122可以是InxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)结构，亦可混杂硼(B)或磷(P)或砷(As)，可为单一层或多层构造。第一电极121可由金、铝、银、铜、铑(Rh)、钌(Ru)、钯(Pd)、铱(Ir)、铂(Pt)、铬、锡、镍、钛、钨(W)、铬合金、钛钨合金、镍合金、铜硅合金、铝铜硅合金、铝硅合金、金锡合金及其组合的至少一者所构成的单层或多层结构，但不以此为限。第二电极122的材料可类似第一电极121，容此不再赘述。波长转换层130包括高密度转换层131及低密度转换层132。波长转换层130内包含数个荧光粒子，其中荧光粒子密度较高的区域界定为高密度转换层131，而荧光粒子密度较低的区域界定为低密度转换层132。在一实施例中，高密度转换层131的荧光粒子密度与低密度转换层132的荧光粒子密度的比值可介于1与1015之间，其中的数值可包含或不包含1及1015。在本实施例中，高密度转换层131位于发光元件120与低密度转换层132之间。也就是说，发光元件120的光线L1会先经过高密度转换层131，再通过低密度转换层132出光。由于高密度转换层131的设计，可让数个发光装置100的出光光色于色度坐标上集中地分布，如此可增加此些发光装置100的产品良率。低密度转换层132可增加自发光元件120的光线L1的混光机率。详细来说，对于在高密度转换层131内未接触到荧光粒子的光线L1来说，低密度转换层132增加其接触荧光粒子的机会。在本实施例中，低密度转换层132的厚度T2大于高密度转换层131的厚度T1，因此更可增加发光元件120的光线L1的混光机率。在一实施例中，厚度T2与厚度T1的比值可介于1至100之间，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：/n基板；/n发光元件，设置在所述基板上并与所述基板电性连接；/n波长转换层，设置在所述发光元件上；/n黏胶层，位于所述发光元件与所述波长转换层之间，其中所述黏胶层覆盖所述发光元件的上表面及至少部分侧表面；及/n反射层，设置于所述基板上并环绕所述发光元件、所述黏胶层及所述波长转换层，其中所述反射层具有倾斜的反射面，所述反射面接触部分所述发光元件及部分所述波长转换层，且所述反射面由所述基板朝所述波长转换层的方向逐渐远离所述发光元件；/n其中所述发光装置具有平的侧表面，所述侧表面包括所述反射层。/n

【技术特征摘要】
20151231 TW 104144809;20150918 US 62/220,249;201511.一种发光装置，其特征在于，包括：
基板；
发光元件，设置在所述基板上并与所述基板电性连接；
波长转换层，设置在所述发光元件上；
黏胶层，位于所述发光元件与所述波长转换层之间，其中所述黏胶层覆盖所述发光元件的上表面及至少部分侧表面；及
反射层，设置于所述基板上并环绕所述发光元件、所述黏胶层及所述波长转换层，其中所述反射层具有倾斜的反射面，所述反射面接触部分所述发光元件及部分所述波长转换层，且所述反射面由所述基板朝所述波长转换层的方向逐渐远离所述发光元件；
其中所述发光装置具有平的侧表面，所述侧表面包括所述反射层。


2.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪政暐，张瑞夫，洪钦华，林育锋，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71