一种光波导及其制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种光波导及其制作方法，该方法包括：提供一衬底；在衬底上表面形成第一下包层；在衬底下表面形成第二下包层；在第一下包层上表面形成波导结构；在第一下包层上表面和波导结构上形成第一上包层；在第二下包层下表面形成第三下包层；在第一上包层上表面形成第二上包层；在第三下包层下表面形成第四下包层，通过在硅片正反面多次沉积相同材料的方法，将圆片正反面进行应力匹配，有效避免了由于单面沉积膜本身应力过大或者由于单面沉积膜过厚且高温退火释放应力造成的硅片翘曲，进而改善了硅片翘曲的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种光波导及其制作方法
本专利技术涉及半导体工艺
，尤其涉及一种光波导的制作方法。
技术介绍
光波导(opticalwaveguide)是引导光波在其中传播的介质装置，又称介质光波导。光波导有两大类：一类是集成光波导，包括平面(薄膜)介质光波导和条形介质光波导，它们通常都是光电集成器件(或系统)中的一部分，所以叫作集成光波导；另一类是圆柱形光波导，通常称为光纤。由于现有的光波导在波导结构上形成该上包层结构时沉积的膜本身应力过大或者由于该沉积膜过厚且高温退火后释放的应力过大，造成硅片翘曲，硅片翘曲危害很大，容易造成器件内部膜层开裂，影响光刻均匀性或造成刻蚀背面无法吸附等问题。因此，如何改善硅片翘曲是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的光波导及其制作方法。一方面，本专利技术实施例提供了一种光波导的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上表面形成第一下包层；在所述衬底下表面形成第二下包层；...

【技术保护点】
1.一种光波导的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底；/n在所述衬底上表面形成第一下包层；/n在所述衬底下表面形成第二下包层；/n在所述第一下包层上表面形成波导结构；/n在所述第一下包层上表面和所述波导结构上形成第一上包层；/n在所述第二下包层下表面形成第三下包层；/n在所述第一上包层上表面形成第二上包层；/n在所述第三下包层下表面形成第四下包层。/n

【技术特征摘要】
1.一种光波导的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上表面形成第一下包层；
在所述衬底下表面形成第二下包层；
在所述第一下包层上表面形成波导结构；
在所述第一下包层上表面和所述波导结构上形成第一上包层；
在所述第二下包层下表面形成第三下包层；
在所述第一上包层上表面形成第二上包层；
在所述第三下包层下表面形成第四下包层。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一下包层的厚度与所述第二下包层的厚度相等。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一下包层与所述第二下包层均为二氧化硅层，所述第一下包层的厚度与所述第二下包层的厚度均为1μm～20μm。


4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一下包层上表面形成波导结构，具体包括：
在所述第一下包层上表面形成芯层；
对所述芯层进行刻蚀，形成所述波导结构。


5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯层具体为Si3N4层，所述芯层的厚度为100nm～2μm。


6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一下包层上表面和所述波导结构上形成第一上包层，具体包括：
采用高温氧化气相沉积工艺在所述第一下包层上表面和所述波导结构上形成所述第一上包层；
所述在所述第二下包层下表面形成第三下包层，具体包括：
采用高温氧化气相沉积工艺在所述第二下包层下表面形成所述第三下包层。


7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一上包层的厚度和所述第三下包层的厚度相等。


8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一上包层和所述第三下包层均为二氧化硅层，所述第一上包层的厚度和所述第三下包层的厚度均为400nm～4μm。


9.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐波，张鹏，李志华，李彬，刘若男，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11