光波导制造技术

一种波导结构包括由半导体例如Ｓｉ形成的芯（１）、没有光学地连接到该芯而是设置成与该芯相距一定距离的两个外部区域（２）、和将外部区域电连接到芯的桥（３）。由于在波导芯中传播的光被强烈地限制在波导芯中并且与外部区域光学地断开，即不与其耦合，使得光能够在波导中传播而不受外部区域存在的影响。此外，由于波导芯通过桥电连接到外部区域，因此可以从外部区域施加电压到该芯并且可以使电流从外部区域流到该芯。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种功能性光波导，具体地说，涉及一种光波导器件，该光波导器件的特性，例如光波的传播损耗、光波的传播常数、群速度和色散，可以通过施加外部电压并在那里注入电流以高速进行电控制。
技术介绍
近年来，各种光器件例如光开关、光复用器/解复用器和光调制器已经使用具有半导体例如Si和Ge和复合半导体例如AIGaAs和lnGaAsP的芯的光波导被实验制造出来。使用Si作为芯的光波导器件与使用硅石作为芯的常规光波导器件相比尺寸明显减小，此外，该光波导器件的特性可以通过对芯本身注入电流并施加电压以有源方式进行电控制，因为该芯由半导体形成。另一方面，通常，使用硅石作为芯的常规光波导用热方法进行控制。这是因为硅石是绝缘体，因此不能使电流在其中流动。作为控制光波导特性例如光波的传播损耗、光波的传播常数、群速度和色散的方法，存在使用热光(T-O)效应、声光(A-O)效应、磁光(M-O)效应、电光(E-O)效应(也称为“泡克耳斯(Pockels)效应”)和载流子等离子体效应中的任何一种的已知方法。其中，使用电光(E-O)效应的方法(利用电光(E-O)效应施加电压来改变折射率)和使用通过注入电流产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用半导体作为芯的光波导，包括：　紧邻所述芯附近的两个外部区域；和　一种结构，其中所述芯通过桥结构电连接到所述外部区域以能够通过所述桥结构从所述外部区域将电流注入所述芯中并且将电压施加到所述芯；其中　所述波导芯与被所述桥结构间隔开的所述外部区域光学隔离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-2-9 032383/20061.一种使用半导体作为芯的光波导，包括：紧邻所述芯附近的两个外部区域；和一种结构，其中所述芯通过桥结构电连接到所述外部区域以能够通过所述桥结构从所述外部区域将电流注入所述芯中并且将电压施加到所述芯；其中所述波导芯与被所述桥结构间隔开的所述外部区域光学隔离。2.根据权利要求1所述的光波导，其中所述波导芯由平行于衬底表面的半导体层的一部分形成，多个孔沿着所述波导的纵向方向形成在所述半导体层中以形成所述桥结构，并且所述波导芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田博仁，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]