一种硅烷偶联剂低聚物溶液及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种硅烷偶联剂低聚物溶液及其制备方法和应用，所述硅烷偶联剂低聚物溶液的制备原料包括硅烷偶联剂单体、溶剂、硅前驱体溶液、催化剂和稀释剂。本发明专利技术所述硅烷偶联剂低聚物溶液的制备原料中通过引入硅前驱体，不仅有效提升了硅烷偶联剂低聚物的稳定性，还使其保留了氨基、环氧基等有机端官能团，增强有机粘结剂在金属、玻璃等无机材料表面上的粘结效果。另外，本发明专利技术所述硅烷偶联剂低聚物溶液的制备原料中引入硅前驱体，还能有效提高硅烷偶联剂低聚物的空间位阻，不仅可以实现硅烷偶联剂水解后硅醇的有限自聚，但又不易自聚成凝胶状态的目的，也保证了在含水情况下硅烷偶联剂低聚物的稳定性，提高了硅烷偶联剂低聚物的活性。

A silane coupling agent oligomer solution and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
一种硅烷偶联剂低聚物溶液及其制备方法和应用
本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种硅烷偶联剂低聚物溶液及其制备方法和应用。
技术介绍
在半导体封装工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。现有技术中很多专利做出各种尝试来克服上述问题。CN105419675A公开了一种硅烷偶联剂，其加入到胶黏剂中，一方面通过改进官能团的种类，从而使其能在基材表面吸附、扩散、浸润，从而形成化学粘接；另一方面通过调节两种官能团的比例，使与基材形成粘接后，在表面形成疏水层，阻止水的渗入，保持基材表面的干燥，从而提高与材料表面的浸水粘接性。该材料主要还存在以下方面的问题：当所述硅烷偶联剂合成中使用大量的醇和水，无法保证与胶黏剂的互溶性，另外，溶剂烘干，会造成偶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅烷偶联剂低聚物溶液，其特征在于，所述硅烷偶联剂低聚物溶液的制备原料包括硅烷偶联剂单体、溶剂、硅前驱体溶液、催化剂和稀释剂。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅烷偶联剂低聚物溶液，其特征在于，所述硅烷偶联剂低聚物溶液的制备原料包括硅烷偶联剂单体、溶剂、硅前驱体溶液、催化剂和稀释剂。


2.根据权利要求1所述的硅烷偶联剂低聚物溶液，其特征在于，所述硅前驱体溶液的制备方法包括：将单官能度硅烷偶联剂和无水乙醇混合，加入去离子水，在惰性气体的保护下，调节pH值、反应，得到所述硅前驱体溶液。


3.根据权利要求2所述的硅烷偶联剂低聚物溶液，其特征在于，所述单官能度硅烷偶联剂包括正硅酸乙酯、三乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷或甲基三甲氧基硅烷中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述单官能度硅烷偶联剂和无水乙醇的质量比为1:(200-500)；
优选地，所述混合的时间为5-10min；
优选地，所述去离子水和无水乙醇的质量比为(0.01-0.05):1；
优选地，在所述调节pH前，先把体系的温度升高至40-60℃；
优选地，所述调节pH值的方法为利用氨水调节pH；
优选地，所述氨水和无水乙醇的质量比为0.1-0.5％；
优选地，所述反应的温度40-60℃；
优选地，所述反应的时间为30-60min；
优选地，所述反应的搅拌速度为500-1000rpm；
优选地，所述硅前驱体溶液的制备方法还包括：利用0.1μm的滤芯对反应后的体系进行过滤。


4.根据权利要求1-3任一项所述的硅烷偶联剂低聚物溶液，其特征在于，所述硅烷偶联剂单体包括乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-脲基丙基三乙氧基硅烷或γ-缩水甘油醚基丙基三甲氧基硅烷中的任意一种或者至少两种的组合；
优选地，所述溶剂为水和醇的混合物；
优选地，所述醇包括甲醇、乙醇、异丙醇或正丁醇中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，以所述溶剂的质量为100％计，所述水的质量百分含量为1-10％，优选为1-5％。


5.根据权利要求1-4任一项所述的硅烷偶联剂低聚物溶液，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄明起，夏建文，刘彬灿，刘强，李绪军，孙德亮，
申请(专利权)人：深圳市化讯半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44