晶片的生成方法技术

提供晶片的生成方法，能够从单晶SiC的锭高效地剥离而生成晶片。该晶片的生成方法包含如下的工序：第一超声波赋予工序，对包含要生成的晶片的锭(2)的一部分的区域高密度地赋予超声波而形成一部分剥离的部分剥离部(29)；第二超声波赋予工序，在实施了该第一超声波赋予工序之后，在比该第一超声波赋予工序中赋予了高密度的超声波的该一部分的区域大的面积上按照低密度对锭(2)赋予超声波，形成从部分剥离部(29)遍及于晶片(W)的整个面的剥离部(29’)；以及剥离工序，从锭(2)剥离要生成的晶片(W)。

【技术实现步骤摘要】
晶片的生成方法
本专利技术涉及晶片的生成方法，从将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在相当于要生成的晶片的厚度的深度进行照射而形成有剥离层的锭剥离要生成的晶片。
技术介绍
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)、AL2O3(蓝宝石)等为材料的晶片的正面上层叠功能层并由交叉的多条分割预定线对该功能层进行划分而形成的。并且，通过切削装置、激光加工装置沿着晶片的分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。另外，功率器件、LED等是在以六方晶单晶SiC为材料的晶片的正面上层叠功能层并由交叉的多条分割预定线对该功能层进行划分而形成的。上述那样的供器件形成的晶片通常是利用线切割机将锭切片而生成的，对切片得到的晶片的正面和背面进行研磨而精加工成镜面(例如参照专利文献1)。但是，当利用线切割机将由六方晶单晶SiC构成的锭切断并对正面和背面进行研磨而生成晶片时，锭的70％～80％会被浪费，存在不经济的问题。特别是六方晶单晶SiC的锭，其硬度高，难以利用线切割机切断，需要花费相当长的时间，因此生产率差，并且锭的单价高，因此在高效地生成晶片方面具有课题。针对上述课题，本申请人提出了如下的技术：将对于六方晶单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于锭的内部而进行照射，在切断预定面形成分离层，从而将晶片分离(参照专利文献2)。另外，作为与上述技术类似的技术，还提出了如下的技术：从六方晶单晶Si锭的端面将对于Si具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在相当于要生成的晶片的厚度的深度而进行照射，形成改质部，从而将晶片从锭剥离(例如参照专利文献3)。专利文献1：日本特开2000-094221号公报专利文献2：日本特开2016-111143号公报专利文献3：日本特开2011-060862号公报根据上述的专利文献2和专利文献3所记载的技术，与利用线切割机将锭切断而生成晶片的情况相比，被浪费的锭的比例降低，因此针对不经济的问题具有一定的效果。但是，从通过照射激光光线而得到的形成于锭的分离层分离晶片并不容易，在生产效率方面依然存在问题。
技术实现思路
由此，本专利技术的目的在于提供晶片的生成方法，从六方晶单晶SiC的锭高效地剥离而生成晶片。根据本专利技术，提供晶片的生成方法，从将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在相当于要生成的晶片的厚度的深度而对该锭照射该激光光线从而形成有剥离层的该锭剥离要生成的晶片，其中，该晶片的生成方法具有如下的工序：第一超声波赋予工序，按照第一密度对包含要生成的晶片的该锭的一部分的区域赋予超声波，形成该一部分的区域发生了剥离的部分剥离部；第二超声波赋予工序，在实施了该第一超声波赋予工序之后，对该锭在比该第一超声波赋予工序中赋予了该第一密度的超声波的该一部分的区域大的面积上按照比该第一密度低的第二密度赋予该超声波，形成从该部分剥离部遍及于该要生成的晶片的整个面的剥离部；以及剥离工序，从该锭剥离要生成的晶片。优选该第一超声波赋予工序和该第二超声波赋予工序经由水的层而对包含要生成的晶片的锭赋予超声波。优选该锭是具有c轴和与该c轴垂直的c面的六方晶单晶SiC锭，该剥离层由改质部和从该改质部沿该c面按照各向同性形成的裂纹构成，该改质部是将对于六方晶单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点从该锭的端面定位在相当于要生成的晶片的厚度的深度而对该锭照射该激光光线从而使SiC分离成Si和C而形成的。优选剥离层是如下的剥离层：在该c轴相对于该六方晶单晶SiC锭的端面的垂线倾斜的情况下，由该c面和该端面形成偏离角，在与形成有该偏离角的方向垂直的方向上连续地形成该改质部，从该改质部沿该c面按照各向同性生成裂纹，在形成有该偏离角的方向上按照不超过产生该裂纹的宽度的范围将该聚光点进行转位进给，从而在与形成有偏离角的方向垂直的方向上连续地形成该改质部，依次从该改质部沿该c面按照各向同性生成裂纹。根据本专利技术的晶片的生成方法，与使用线切割机将锭切断的情况相比，能够显著降低被浪费的量，并且预先通过赋予高密度的超声波的第一超声波赋予工序形成部分剥离部，对包含该部分剥离部的要生成的晶片整体赋予低密度的超声波，从而剥离以部分剥离部为起点而扩展，实现容易且高效地将所要生成的晶片从锭剥离。附图说明图1的(a)是由六方晶单晶SiC构成的锭的主视图，图1的(b)是由六方晶单晶SiC构成的锭的俯视图。图2是示出将基质安装于图1所示的锭并载置于卡盘工作台上的方式的立体图。图3的(a)是示出在锭中形成剥离层的工序的立体图，图3的(b)是示出在锭中形成剥离层的工序的主视图。图4的(a)是形成有剥离层的锭的俯视图，图4的(b)是图4的(a)的B-B剖视图。图5的(a)是示出通过超声波产生装置实施第一超声波赋予工序的方式的立体图，图5的(b)是图5的(a)的剖视图。图6的(a)是示出通过超声波产生装置实施第二超声波赋予工序的方式的立体图，图6的(b)是图6的(a)的剖视图。图7的(a)是示出实施剥离工序的方式的立体图，图7的(b)是图7的(a)的剖视图。标号说明2：锭；4：第一端面；6：第二端面；8：周面；10：垂线；12：第一定向平面；14：第二定向平面；16：基质；18：激光加工装置；20：卡盘工作台；22：聚光器；24：吸附卡盘；26：改质部；27：裂纹；28：剥离层；29：部分剥离部；29’：剥离部；30：剥离用水槽；32：保持工作台；34：水；40：超声波产生装置；42：高密度超声波产生单元；43：高密度超声波赋予部；45：低密度超声波产生单元；46：低密度超声波赋予部；LB：脉冲激光光线；FP：聚光点。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术实施方式的晶片的生成方法进行详细说明。在图1中示出本实施方式的锭2。锭2例如是直径大致为100mm的六方晶单晶SiC的锭，整体形成为大致圆柱形状，锭2具有：大致圆形状的第一端面4；与第一端面4相反的一侧的大致圆形状的第二端面6；位于第一端面4和第二端面6之间的周面8；从第一端面4至第二端面6的c轴(＜0001＞方向)；以及与该c轴垂直的c面({0001}面)。在锭2中，c轴相对于第一端面4的垂线10倾斜，通过c面和第一端面4形成偏离角α(例如α＝1度、3度、6度中的任意角度)。将形成有偏离角α的方向用图1中箭头A表示。另外，在锭2的周面8上形成有表示晶体取向的矩形状的第一定向平面12和第二定向平面14。第一定向平面12与形成有偏离角α的方向A平行，第二定向平面14形成在与形成有偏离角α的方向A垂直的方向上。如作为锭2的俯视图示出的图1的(b)所示，从上方观察，设定成第二定向平面14的长度L2比第一定向平面12的长度L1短(L1＞L2)。由此，无论从锭2的正面或背面均能够判别形成有偏离角α的方向。另外，对于应用于本专利技术的晶片的生成方法的锭，并不限于上述的六方晶单晶SiC的锭2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的生成方法，从将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在相当于要生成的晶片的厚度的深度而对该锭照射该激光光线从而形成有剥离层的该锭剥离要生成的晶片，其中，/n该晶片的生成方法具有如下的工序：/n第一超声波赋予工序，按照第一密度对包含要生成的晶片的该锭的一部分的区域赋予超声波，形成该一部分的区域发生了剥离的部分剥离部；/n第二超声波赋予工序，在实施了该第一超声波赋予工序之后，对该锭在比该第一超声波赋予工序中赋予了该第一密度的超声波的该一部分的区域大的面积上按照比该第一密度低的第二密度赋予该超声波，形成从该部分剥离部遍及于该要生成的晶片的整个面的剥离部；以及/n剥离工序，从该锭剥离要生成的晶片。/n

【技术特征摘要】
20181121 JP 2018-2183991.一种晶片的生成方法，从将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在相当于要生成的晶片的厚度的深度而对该锭照射该激光光线从而形成有剥离层的该锭剥离要生成的晶片，其中，
该晶片的生成方法具有如下的工序：
第一超声波赋予工序，按照第一密度对包含要生成的晶片的该锭的一部分的区域赋予超声波，形成该一部分的区域发生了剥离的部分剥离部；
第二超声波赋予工序，在实施了该第一超声波赋予工序之后，对该锭在比该第一超声波赋予工序中赋予了该第一密度的超声波的该一部分的区域大的面积上按照比该第一密度低的第二密度赋予该超声波，形成从该部分剥离部遍及于该要生成的晶片的整个面的剥离部；以及
剥离工序，从该锭剥离要生成的晶片。


2.根据权利要求1所述的晶片的生成方法，其中，
该第一超声波赋予工序和该第二超声波赋予工序经由水的层而对包含要生...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本凉兵，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP