温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供晶片的生成方法，能够从单晶SiC的锭高效地剥离而生成晶片。该晶片的生成方法包含如下的工序：第一超声波赋予工序，对包含要生成的晶片的锭(2)的一部分的区域高密度地赋予超声波而形成一部分剥离的部分剥离部(29)；第二超声波赋予工序，在实施了...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。