一种MOSFET开关工作电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种MOSFET开关工作电路，包括：主电路，具有半导体场效应晶体管；及降噪电路，并联于所述半导体场效应管的源极与漏极之间，所述降噪电路具有第一电容及与所述第一电容串联的第一电阻，以使所述降噪电路能够与所述主电路的震荡频率相抵消。上述一种MOSFET开关工作电路能够通过降噪电路降低原主电路的电路信号的振荡，低了传导发射和辐射发射的值，同时避免了极端条件下，MOSFET过压损坏，震荡损坏，提高了产品的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET开关工作电路
本技术涉及半导体领域，特别是涉及一种MOSFET开关工作电路。
技术介绍
金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effecttransistor)。含有半导体场效应晶体管的电路中常有产生干扰源的电子元器件，这些器件在工作的时候会产生电磁辐射，以及电磁传导干扰，将会影响周边电子产品的正常工作。这样便导致传导发射和辐射发射的值不符合产品的要求，更会在极端的条件下，造成MOSFET的过压损坏及震荡损坏。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述问题，提供一种降低了传导发射和辐射发射的值，同时避免了极端条件下，MOSFET过压损坏，震荡损坏，提高了产品的性能的一种MOSFET开关工作电路。一种MOSFET开关工作电路，包括：主电路，具有半导体场效应晶体管；及降噪电路，并联于所述半导体场效应管的源极与漏极之间，所述降噪电路具有第一电容及与所述第一电容串联的第一电阻，以使所述降噪电路能够与所述主电路的震荡频率相抵消。在其中一个优选实施方式中，所述第一电容、所述第一电阻与所述主电路未并入所述降噪电路时的振荡频率F满足以下公式：其中，F为主电路未并入所述降噪电路时的振荡频率，C1为第一电容的电容值，R1为第一电阻的阻值。在其中一个优选实施方式中，所述降噪电路的第一电容的一端与所述半导体场效应晶体管的漏极电性连接，所述第一电阻的一端与所述半导体场效应晶体管的源极电性连接。在其中一个优选实施方式中，所述主电路还包括：连接于所述半导体场效应晶体管的栅极的第三电阻；及连接于所述半导体场效应晶体管的栅极与源极之间的第二电阻。在其中一个优选实施方式中，所述半导体场效应晶体管为N沟道半导体场效应晶体管。在其中一个优选实施方式中，所述半导体场效应晶体管的型号为STP95N4F3。本技术上述一种MOSFET开关工作电路能够通过降噪电路降低原主电路的电路信号的振荡，低了传导发射和辐射发射的值，同时避免了极端条件下，MOSFET过压损坏，震荡损坏，提高了产品的性能。附图说明图1为本技术一优选实施方式的MOSFET开关工作电路的电路结构示意图；图2为本技术一优选实施方式的MOSFET开关工作电路未接入降噪电路时的振荡信号测试图；图3为本技术一优选实施方式的MOSFET开关工作电路接入降噪电路后的振荡信号测试图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。如图1所示，本技术一优选实施方式公开了一种MOSFET开关工作电路100，该MOSFET开关工作电路100包括主电路110及降噪电路120。其中，主电路110具有半导体场效应晶体管111；上述降噪电路120并联于所述半导体场效应管111的源极与漏极之间，具体地，所述降噪电路120具有第一电容121及与所述第一电容121串联的第一电阻122，以使所述降噪电路120能够与所述主电路110的震荡频率相抵消。具体地，上述降噪电路120的第一电容121的一端与所述半导体场效应晶体管111的漏极电性连接，第一电容121的另一端与上述第一电阻122电性连接，而上述第一电阻122的另一端与所述半导体场效应晶体管111的源极电性连接。进一步地，上述第一电容121、所述第一电阻122与所述主电路110未并入所述降噪电路时的振荡频率F满足以下公式：其中，F为主电路未并入所述降噪电路时的振荡频率，C1为第一电容的电容值，R1为第一电阻的阻值。更详细地说，在本实施方式中的MOSFET开关工作电路的降噪电路未并入主电路之前，测得上述主电路的半导体场效应的源极和漏极两端的电压波形图(如图2所示)及其振荡频率F，接着利用上述公式：得到降噪电路所需要配合的第一电容的电容值C1及第一电阻的阻值R1，这样，只要上述第一电容的电容值C1及第一电阻的阻值R1满足上述公式的条件，这样，便可达到主电路的半导体场效应晶体管的漏极与源极两端的振荡基本消失(如图3所示)。例如本实施方式的第一实施例：在主电路为并入上述降噪电路时所测得的振荡周期为79.6MHZ，由上述公式得到只要第一电容的电容值C1及第一电阻的阻值R1满足C1便可满足本条件，这样，C1R1＝2×10-9便可满足该公式条件，取C1＝10nF、R1＝2Ω以满足上述公式条件，达到消除主电路的半导体场效应晶体管的漏极与源极两端的振荡，如图3所示，振荡波基本消失。本实施方式中，上述主电路110还包括连接于所述半导体场效应晶体管111的栅极的第三电阻113，及连接于所述半导体场效应晶体管111的栅极与源极之间的第二电阻112。具体地，上述半导体场效应晶体管111为N沟道半导体场效应晶体管。所述半导体场效应晶体管111的型号为STP95N4F3。本技术上述一种MOSFET开关工作电路能够通过降噪电路降低原主电路的电路信号的振荡，低了传导发射和辐射发射的值，同时避免了极端条件下，MOSFET过压损坏，震荡损坏，提高了产品的性能。以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOSFET开关工作电路，其特征在于，包括：/n主电路，具有半导体场效应晶体管；/n及降噪电路，并联于所述半导体场效应管的源极与漏极之间，所述降噪电路具有第一电容及与所述第一电容串联的第一电阻，以使所述降噪电路能够与所述主电路的震荡频率相抵消。/n

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET开关工作电路，其特征在于，包括：
主电路，具有半导体场效应晶体管；
及降噪电路，并联于所述半导体场效应管的源极与漏极之间，所述降噪电路具有第一电容及与所述第一电容串联的第一电阻，以使所述降噪电路能够与所述主电路的震荡频率相抵消。


2.根据权利要求1所述的MOSFET开关工作电路，其特征在于，所述第一电容、所述第一电阻与所述主电路未并入所述降噪电路时的振荡频率F满足以下公式：



其中，F为主电路未并入所述降噪电路时的振荡频率，C1为第一电容的电容值，R1为第一电阻的阻值。


3.根据权利要求1所述的MOSFET开关工作电路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱海斌，卞建军，陈素华，朱振锋，
申请(专利权)人：张家港市诚远电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32