一种MOSFET开关工作电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种MOSFET开关工作电路，包括：主电路，具有半导体场效应晶体管；及降噪电路，并联于所述半导体场效应管的源极与漏极之间，所述降噪电路具有第一电容及与所述第一电容串联的第一电阻，以使所述降噪电路能够与所述主电路的震荡频率相抵消。上述一种MOSFET开关工作电路能够通过降噪电路降低原主电路的电路信号的振荡，低了传导发射和辐射发射的值，同时避免了极端条件下，MOSFET过压损坏，震荡损坏，提高了产品的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET开关工作电路
本技术涉及半导体领域，特别是涉及一种MOSFET开关工作电路。
技术介绍
金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effecttransistor)。含有半导体场效应晶体管的电路中常有产生干扰源的电子元器件，这些器件在工作的时候会产生电磁辐射，以及电磁传导干扰，将会影响周边电子产品的正常工作。这样便导致传导发射和辐射发射的值不符合产品的要求，更会在极端的条件下，造成MOSFET的过压损坏及震荡损坏。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述问题，提供一种降低了传导发射和辐射发射的值，同时避免了极端条件下，MOSFET过压损坏，震荡损坏，提高了产品的性能的一种MOSFET开关工作电路。一种MOSFET开关工作电路，包括：主电路，具有半导体场效应晶体管；及降噪电路，并联于所述半导体场效应管的源极与漏极之间，所述降本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOSFET开关工作电路，其特征在于，包括：/n主电路，具有半导体场效应晶体管；/n及降噪电路，并联于所述半导体场效应管的源极与漏极之间，所述降噪电路具有第一电容及与所述第一电容串联的第一电阻，以使所述降噪电路能够与所述主电路的震荡频率相抵消。/n

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET开关工作电路，其特征在于，包括：
主电路，具有半导体场效应晶体管；
及降噪电路，并联于所述半导体场效应管的源极与漏极之间，所述降噪电路具有第一电容及与所述第一电容串联的第一电阻，以使所述降噪电路能够与所述主电路的震荡频率相抵消。


2.根据权利要求1所述的MOSFET开关工作电路，其特征在于，所述第一电容、所述第一电阻与所述主电路未并入所述降噪电路时的振荡频率F满足以下公式：



其中，F为主电路未并入所述降噪电路时的振荡频率，C1为第一电容的电容值，R1为第一电阻的阻值。


3.根据权利要求1所述的MOSFET开关工作电路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱海斌，卞建军，陈素华，朱振锋，
申请(专利权)人：张家港市诚远电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32