晶体管开关电路、调节电路、调节方法和存储装置制造方法及图纸

本公开提供了一种晶体管开关电路、调节电路、调节方法和存储装置，属于半导体技术领域。该晶体管开关的调节电路，用于半导体器件；其包括至少一个调阻单元、温度检测单元和控制器；其中，每个所述调阻单元包括输入端、输出端和在所述输入端与所述输出端之间并联的至少两个调阻电路，每个所述调阻电路包括串联的开关器件和电阻；所述调阻单元的输出端用于与所述晶体管开关的控制端连接；温度检测单元用于检测所述半导体器件的温度；控制器能根据所述温度检测单元检测的温度向各所述开关器件输出调节信号，以控制各个所述开关器件按照预设的方式导通或断开。该晶体管开关电路可以根据温度变化调节晶体管开关的导通速度。

Transistor switching circuit, regulating circuit, regulating method and memory device

【技术实现步骤摘要】
晶体管开关电路、调节电路、调节方法和存储装置
本公开涉及半导体
，尤其涉及一种晶体管开关电路、调节电路、调节方法和存储装置。
技术介绍
晶体管作为开关器件在半导体器件中广泛应用。然而，晶体管开关在不同的温度条件下，其导通速度可能会发生变化，不仅可能会增加电路的噪音，而且可能会引起导通速度达不到设计要求的问题。举例而言，在存储器的数据传输电路中，MOS管(金属—氧化物—半导体场效应晶体管)可以作为开关连接电源(或地线)和数据输出焊盘，实现信号的输出；控制信号通过MOS管的栅极来控制MOS管的导通或关闭。MOS管的导通速度需要控制在一定范围内，既不能太快也不能太慢，否则会增加输出信号的噪音。然而，当存储器的温度发生变化时，数据传输电路的工作点可能发生漂移，导致MOS管的导通速度发生变化。所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种晶体管开关电路、调节电路、调节方法和存储装置，用于根据温度变本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管开关的调节电路，用于半导体器件，其特征在于，所述晶体管开关的调节电路包括：/n至少一个调阻单元，每个所述调阻单元包括输入端、输出端和在所述输入端与所述输出端之间并联的至少两个调阻电路，每个所述调阻电路包括串联的开关器件和电阻；所述调阻单元的输出端用于与所述晶体管开关的控制端连接；/n温度检测单元，用于检测所述半导体器件的温度；/n控制器，能根据所述温度检测单元检测的温度向各所述开关器件输出调节信号，以控制各个所述开关器件按照预设的方式导通或断开。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体管开关的调节电路，用于半导体器件，其特征在于，所述晶体管开关的调节电路包括：
至少一个调阻单元，每个所述调阻单元包括输入端、输出端和在所述输入端与所述输出端之间并联的至少两个调阻电路，每个所述调阻电路包括串联的开关器件和电阻；所述调阻单元的输出端用于与所述晶体管开关的控制端连接；
温度检测单元，用于检测所述半导体器件的温度；
控制器，能根据所述温度检测单元检测的温度向各所述开关器件输出调节信号，以控制各个所述开关器件按照预设的方式导通或断开。


2.根据权利要求1所述的晶体管开关的调节电路，其特征在于，所述开关器件为晶体管，每个所述晶体管的控制端均连接所述控制器。


3.根据权利要求2所述的晶体管开关的调节电路，其特征在于，所述开关器件为MOS管，所述MOS管的栅极与所述控制器连接。


4.根据权利要求1所述的晶体管开关的调节电路，其特征在于，所述温度检测单元为温度传感器。


5.一种晶体管开关的调节方法，用于半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括权利要求1～4任一项所述的晶体管开关的调节电路，其中所述调阻单元串联在所述晶体管开关的控制端；
所述晶体管开关的调节方法包括：
所述温度检测单元检测所述半导体器件的温度；
所述控制器根据检测到的所述半导体器件的温度，控制各个所述开关器件的导通或断开。


6.一种晶体管开关电路，用于半导体器件，其特征在于，所述晶体管开关电路包括：
至少一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡滨，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34