一种双MOS管结构的调压器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种双MOS管结构的调压器，属于电路控制技术领域。它解决了现有调压器结构会产生功耗较高从而导致外壳体积大成本高的问题。本双MOS管结构的调压器包括下MOS管组，下MOS管组包括MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3，还包括上MOS管组和芯片A，上MOS管组包括MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6，芯片A的第9引脚、第11引脚和第13引脚分别与MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3各自的栅极G连接并分别能控制MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3的导通或关闭，芯片A的第21引脚与负载电瓶连接并用于检测负载电瓶的电压。本调压器具有功耗低从而使得外壳体积小、成本低的优点。

A voltage regulator with double MOS structure

【技术实现步骤摘要】
一种双MOS管结构的调压器
本技术属于电路控制
，涉及一种双MOS管结构的调压器。
技术介绍
调压器，晶闸管调压器又称“晶闸管电力调整器”“可控硅电力调整器”或简称“电力调整器”。“晶闸管”又称“可控硅”(SCR)是一种四层三端半导体器件，把它接在电源和负载中间，配上相应的触发控制电路板，就可以调整加到负载上的电压、电流和功率。现有调压器通常采用肖特基二极管+MOS管的方式，通过肖特基二极管来对负载的电瓶进行充电，其存在着一些问题：由于单个肖特基二极管消耗的功耗较高，产生的热量较大，因此在实际大排量的摩托车等上使用时，就需要设计较大的外壳来解决产品本身的散热问题，设计较大的外壳成本高且体积大。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述技术问题，提出了一种双MOS管结构的调压器。本技术的目的可通过下列技术方案来实现：一种双MOS管结构的调压器，用于连接外界三相交流电源和负载电瓶，包括下MOS管组，下MOS管组包括MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3，其特征在于：还包括上MOS管组和芯片A，上MOS管组包括MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6，所述MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6各自的源极S分别与外界三相交流电源的V、W、U三相连接，所述MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6各自的漏级D与负载电瓶连接，所述MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3各自的源极S均接地，所述MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3各自的漏极D分别与外界三相交流电源的V、W、U三相连接，上述芯片A的第24引脚、第31引脚和第3引脚分别与所述MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6各自的栅极G连接并分别能控制所述MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6的导通或关闭，上述芯片A的第9引脚、第11引脚和第13引脚分别与所述MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3各自的栅极G连接并分别能控制所述MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3的导通或关闭，所述芯片A的第21引脚与上述负载电瓶连接并用于检测负载电瓶的电压。在上述的一种双MOS管结构的调压器中，所述的芯片A型号具体为mst007。在上述的一种双MOS管结构的调压器中，所述的外界三相交流电源为磁电机。与现有技术相比，本调压器具有如下几个优点：1、将现有的上肖特基二极管用上MOS管来替代，由于MOS管相较于肖特基二极管消耗的功耗低，产生的热量小，从而有效降低热量，可以使外壳设计较小，降成本且体积小；2、上MOS管可根据实际需要由芯片A直接控制导通或关闭，因此可以实现智能控制，当负载电瓶电充满或达到多少电压后可实现对上MOS管进行关闭，从而能够实现过压保护，避免对负载电瓶过度充电而损坏负载电瓶。附图说明图1是调压器的电路图。具体实施方式以下是本技术的具体实施例并结合附图，对本技术的技术方案作进一步的描述，但本技术并不限于这些实施例。如图1所示，本双MOS管结构的调压器，用于连接外界三相交流电源和负载电瓶，本实施例中的外界三相交流电源具体为磁电机，磁电机通过调压器对负载电瓶进行充电。该调压器包括下MOS管组、上MOS管组和芯片A，当然芯片A上还连接有周边电路，比如电源电路、芯片A引脚的驱动电路等等，这些都是现有技术也是电路能够正常驱动工作的常规电路，详细见图1，在此不再详细叙述。其中，芯片A型号具体为mst007。具体的，下MOS管组包括MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3；上MOS管组包括MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6。MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6各自的源极S分别与磁电机的V、W、U三相连接，MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6各自的漏级D与负载电瓶连接；MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3各自的源极S均接地，MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3各自的漏极D分别与磁电机的V、W、U三相连接，芯片A的第24引脚、第31引脚和第3引脚分别与MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6各自的栅极G连接，芯片A的第9引脚、第11引脚和第13引脚分别与MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3各自的栅极G连接，芯片A的第21引脚与负载电瓶连接并用于检测负载电瓶的电压，芯片A通过第引脚20对其供电。正常工作时，芯片A通过第24引脚、第31引脚和第3引脚分别控制MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6导通，通过第9引脚、第11引脚和第13引脚分别控制MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3关闭，磁电机通过MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6直接对负载电瓶充电，芯片A的第21引脚实时监测负载电瓶的电压。当检测的负载电压低于14.2V时，芯片A控制MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6以及MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3保持上述状态，而当检测的负载电压高于14.8V时，此时芯片A控制MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6关闭，而控制MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3导通，磁电机直接通过MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3接地短路，其产生的功耗由磁电机自身发热，而不再对电瓶充电，从而实现过压保护，避免对负载电瓶过度充电而损坏负载电瓶。本调压器上下都采用MOS管组，相对于现有的上采用肖特基二极管以及下采用MOS管的方式，其上MOS管组产生的热量较小，因此在实际大排量的摩托车等上使用时，无需设计较大的外壳来解决产品本身的散热问题，从而减小外壳体积，降低成本。其产生热量表小具体如下：以通过电流50A为例，上管单颗肖特基二极管(一般压降为0.5V)产生的功耗为：P＝UI＝0.5*50＝25W；上管单个MOS管(内阻一般为3mG)的功耗为：P＝I*I*R＝50*50*0.003＝7.5W。7.5W相对于25W功耗降低了很多，3个MOS管产生的热量将更小，从而有效解决原先产生热量过大而需要设计较大体积外壳的问题。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本技术精神作举例说明。本技术所属
的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本技术的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双MOS管结构的调压器，用于连接外界三相交流电源和负载电瓶，包括下MOS管组，下MOS管组包括MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3，其特征在于：还包括上MOS管组和芯片A，上MOS管组包括MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6，所述MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6各自的源极S分别与外界三相交流电源的V、W、U三相连接，所述MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6各自的漏级D与负载电瓶连接，所述MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3各自的源极S均接地，所述MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3各自的漏极D分别与外界三相交流电源的V、W、U三相连接，上述芯片A的第24引脚、第31引脚和第3引脚分别与所述MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6各自的栅极G连接并分别能控制所述MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6的导通或关闭，上述芯片A的第9引脚、第11引脚和第13引脚分别与所述MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3各自的栅极G连接并分别能控制所述MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3的导通或关闭，所述芯片A的第21引脚与上述负载电瓶连接并用于检测负载电瓶的电压。/n...

【技术特征摘要】
1.一种双MOS管结构的调压器，用于连接外界三相交流电源和负载电瓶，包括下MOS管组，下MOS管组包括MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3，其特征在于：还包括上MOS管组和芯片A，上MOS管组包括MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6，所述MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6各自的源极S分别与外界三相交流电源的V、W、U三相连接，所述MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6各自的漏级D与负载电瓶连接，所述MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3各自的源极S均接地，所述MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3各自的漏极D分别与外界三相交流电源的V、W、U三相连接，上述芯片A的第24引脚、第31引脚和第3引脚分...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘李欢，林波，高剑豪，孟力，
申请(专利权)人：浙江益中智能电气有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33