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本实用新型涉及一种MOSFET开关工作电路，包括：主电路，具有半导体场效应晶体管；及降噪电路，并联于所述半导体场效应管的源极与漏极之间，所述降噪电路具有第一电容及与所述第一电容串联的第一电阻，以使所述降噪电路能够与所述主电路的震荡频率相抵消...
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