【技术实现步骤摘要】
一种功率管短路保护电路
本专利技术涉及功率MOS管短路保护技术，特别是一种功率管短路保护电路，通过在功率MOS管的栅极设置双路关断控制电路，能够在短路发生时供电电压被拉低的情况下仍然及时关断功率MOS管，从而更加有效地保护功率MOS管免于大电流过载而烧毁。
技术介绍
目前的短路保护电路主要是通过采样功率MOS管的电流，当流过MOS管的电流大于某个阈值时关断功率MOS管，从而达到保护功率MOS管的目的。功率MOS管(或简称功率管)Mpower的栅极通常只连接一个关断控制器Controller，所述关断控制器采集Mpower的电流并转换为采样电压Vsense，Mpower为NMOS管时，其源极通过输出电压端Vout连接负载，其漏极连接电源电压Vin，Vout和Vin分别接入关断控制器，Vout通过输出电容接地。这种电路的保护原理如下：当短路发生时，流过Mpower的电流急剧增加，当监测到Vsense大于某个阈值时，关断控制器Controller关断Mpower以使其免于大电流过载而烧毁。本专利技术人发现，这种方式的缺点在于当短路...
【技术保护点】
1.一种功率管短路保护电路，其特征在于，包括功率管，所述功率管为功率MOS管，所述功率MOS管的栅极设置有双路关断控制电路。/n
【技术特征摘要】
1.一种功率管短路保护电路，其特征在于，包括功率管，所述功率管为功率MOS管，所述功率MOS管的栅极设置有双路关断控制电路。
2.根据权利要求1所述的功率管短路保护电路，其特征在于，所述双路关断控制电路包括第一关断控制器和第二关断控制器。
3.根据权利要求1所述的功率管短路保护电路，其特征在于，所述功率MOS管为功率NMOS管，所述功率NMOS管的源极连接输出电压端，所述功率NMOS管的漏极连接供电电压端，所述功率NMOS管的栅极一路连接第一关断控制器，所述功率NMOS管的栅极另一路连接第二关断控制器。
4.根据权利要求2所述的功率管短路保护电路，其特征在于，所述第二关断控制器包括第一比较器，所述第一比较器的负向输入端和控制端分别连接供电电压端，所述第一比较器的正向输入端通过第一阈值电压电路接地，所述第一比较器的输出端连接第一反相器的输入端，所述第一反相器的控制端连接供电电压端，所述第一反相器的输出端连接第二NMOS管的栅极，所述第二NMOS管的源极连接第一NMOS管的源极并接地，所述第二NMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的栅极并通过第二电阻连接充电电压节点，所述充电电压节点一路通过第一电容接地，另一路连接第一三极管的发射极，所述第一三极管的基极和集电极互连，所述第一三极管的集电极通过第一电阻连接供电电压端，所述第一NMOS管的漏极通过第三电阻连接所述功率MOS管的栅极。
5.根据权利要求4所述的功率管短路保护电路，其特征在于，所述第一关断控制器包括第二比较器，所述第二比较器的正向输入端连接所述功率MOS管的输出电压端，所述第二比较器的负向输入端通过第二阈值电压电路接地，所述第二比较器的输出端通过逻辑电路连接驱动模块的第一输入端，功率管控制信号通过所述逻辑电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：高峡，易新敏，谢云宁，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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