【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于使低电压电路系统与高电压电路系统解耦的保护电路相关申请的交叉引用本申请要求于2017年12月28日提交并且标题为“PROTECTIONCIRCUITFORDECOUPLINGALOWVOLTAGECIRCUITRYFROMAHIGHVOLTAGECIRCUITRY(用于使低电压电路系统与高电压电路系统解耦的保护电路)”的美国专利申请号15/856,778的优先权，其通过引用整体地并入以用于所有目的。
技术介绍
通常，输入/输出(I/O)节点可以例如以时间复用方式从高电压电路系统接收相对高的电压，并且从低电压电路系统接收相对低的电压。在没有适当的保护的情况下，来自高电压电路系统的高电压可能传播到低电压电路系统，从而在低电压电路系统中产生电气过载(EOS)，并且可能损坏低电压电路系统的一个或多个组件。附图说明根据在下面给出的详细描述并根据本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开的实施例，然而，本公开的实施例不应该被视为将本公开局限于具体实施例，而是仅用于说明和理解。图1图示根据一些实施例的包括用于防止...
【技术保护点】
1.一种设备，所述设备包括：/n节点；以及/n保护电路系统，所述保护电路系统耦合在所述节点与第一电路系统之间，所述第一电路系统用于选择性地输出第一电压，其中，所述节点耦合到第二电路系统，所述第二电路系统用于选择性地输出第二电压，其中，所述保护电路系统包括：/n一对互补并联晶体管，所述一对互补并联晶体管耦合在所述节点与所述第一电路系统之间，该对晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管的栅极将以所述第一电压接收控制信号，以及/n第三晶体管，所述第三晶体管用于将所述第二晶体管的栅极选择性地耦合到所述节点，所述第三晶体管的栅极将以所述第一电压接收所述控制信号。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171228 US 15/856,7781.一种设备，所述设备包括：
节点；以及
保护电路系统，所述保护电路系统耦合在所述节点与第一电路系统之间，所述第一电路系统用于选择性地输出第一电压，其中，所述节点耦合到第二电路系统，所述第二电路系统用于选择性地输出第二电压，其中，所述保护电路系统包括：
一对互补并联晶体管，所述一对互补并联晶体管耦合在所述节点与所述第一电路系统之间，该对晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管的栅极将以所述第一电压接收控制信号，以及
第三晶体管，所述第三晶体管用于将所述第二晶体管的栅极选择性地耦合到所述节点，所述第三晶体管的栅极将以所述第一电压接收所述控制信号。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述保护电路系统包括：
串联的第四晶体管和第五晶体管，其中，所述第四晶体管和所述第五晶体管将所述第二晶体管的栅极选择性地耦合到接地端子。
3.根据权利要求2所述的设备，其中：
所述第四晶体管的栅极将以所述第一电压接收所述控制信号。
4.根据权利要求2所述的设备，其中：
所述第五晶体管的栅极将接收基于所述设备的操作模式的模式信号。
5.根据权利要求4所述的设备，进一步包括：
电路系统，所述电路系统用于：在所述第一电路系统为活跃时以逻辑高值生成所述模式信号，并且在所述第二电路系统为活跃时以逻辑低值生成所述模式信号。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述逻辑高值大致对应于所述第一电压，所述逻辑低值大致对应于零伏特。
7.根据权利要求2所述的设备，其中：
所述第四晶体管是第一厚栅N型金属氧化物半导体场效应晶体管(TGNMOS)；并且
所述第五晶体管是第二TGNMOS。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的设备，其中：
所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管相对于所述设备中另外的薄栅晶体管而言是厚栅晶体管。
9.根据权利要求1至7中的任一项所述的设备，其中：
所述第一晶体管是厚栅N型金属氧化物半导体场效应晶体管(TGNMOS)；
所述第二晶体管是第一厚栅P型金属氧化物半导体场效应晶体管TGPMOS；并且
所述第三晶体管是第二TGNMOS。
10.根据权利要求1至7中的任一项所述的设备，其中：
所述第一电压显著低于所述第二电压。
11.一种系统，所述系统包括：
存储器，所述存储器用于存储指令；
处理器，所述处理器耦合到所述存储器，所述处理器用于执行所述指令；
无线接口，所述无线接口用于允许所述处理器与另一系统进行通信；
第一电路系统，所述第一电路系统用于向节点选择性地输出第一电压；
第二电路系统，所述第二电路系统用于选择性地输出第二电压，所述处理器将控制所述第一电路系统或所述第二电路系统中的一者或两者的操作；
第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管耦合在所述节点与所述第二电路系统之间，其中，所述第一晶体管的栅极将以所述第一电压接收控制信号；以及
用于向所述第二晶体管的栅极提供以下各项中的一者的布置：大致所述第一电压或大致零伏特。
12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述布置包括：
第三晶体管，所述第三晶体管耦合在所述第二晶体管的栅极与所述节点之间，所述第三晶体管的栅极将以所述第一电压接收所述控制信号。
13.根据权利要求12所述的系统，其中，所述布置包括：
一个或多个下拉晶体管，所述一个或多个下拉晶体管位于所述第二晶体管的栅极与接地端子之间。
14....
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