【技术实现步骤摘要】
调节器电路封装技术相关技术的交叉引用本申请要求于2018年11月16日提交美国专利局的16/193,843号专利申请的权益和优先权,其全部内容通过引用合并于此。
本申请适用于开关调节器封装的散热和EMI抑制技术。
技术介绍
顾名思义,开关调节器使用高频开关来产生所需的输出电压。以如此高的速度产生的小型电流线圈会产生明显的磁场。如果开关是在集成电路(IC)中形成的,则电流环路可能完全出现在IC内,也可以部分出现在IC的内部和部分外部。如果由于电源开关闭合或同步整流器开关闭合而使环路传导初始瞬态电流,则较高的di/dt会导致产生可产生电磁干扰(EMI)的高磁场。附图简述在不一定按比例绘制的附图中,相似的数字可以在不同的视图中描述相似的组件。具有不同字母后缀的相似数字可以表示相似组件的不同实例。附图通过示例而非限制的方式大体上示出了本文档中讨论的各种实施例。图1A大体示出了根据本主题的切换器控制封装的平面图。图1B总体上示出了图1A的切换器控制封装的简化示例电路图。图 ...
【技术保护点】
1.集成电路(IC)封装,包括:/n支撑至少两个导电层的电介质基板;/n位于所述电介质基板上的至少两个无源器件;/n位于所述电介质基板上的集成电路(IC)芯片;/n覆盖所述至少两个无源器件的整体并限定所述集成电路芯片的暴露区域的密封剂;/n其中所述暴露区域的至少一部分电耦合到由所述集成电路芯片限定的电路;和/n其中由所述至少两个无源器件的位置和由所述电介质基板提供给所述集成电路芯片的两个无源器件的电气互连限定的布局围绕至少一个轴基本对称。/n
【技术特征摘要】
20181116 US 16/193,8431.集成电路(IC)封装,包括:
支撑至少两个导电层的电介质基板;
位于所述电介质基板上的至少两个无源器件;
位于所述电介质基板上的集成电路(IC)芯片;
覆盖所述至少两个无源器件的整体并限定所述集成电路芯片的暴露区域的密封剂;
其中所述暴露区域的至少一部分电耦合到由所述集成电路芯片限定的电路;和
其中由所述至少两个无源器件的位置和由所述电介质基板提供给所述集成电路芯片的两个无源器件的电气互连限定的布局围绕至少一个轴基本对称。
2.权利要求1所述的IC封装,其中所述至少两个无源器件包括第一电容器和第二电容器。
3.权利要求2所述的IC封装,其中所述IC芯片包括配置为与所述第一电容器、所述第二电容器或所述IC封装的输出端子中的一个或多个耦合的多个晶体管。
4.权利要求3所述的IC封装,其中由所述多个晶体管的位置限定的布局围绕至少一个轴基本对称。
5.权利要求3所述的IC封装,其中所述IC芯片包括被配置为控制所述多个晶体管中的每个晶体管的控制栅极的控制逻辑。
6.权利要求1所述的IC封装,其中所述IC芯片包括被配置为与所述电介质基板电气和热耦合的微型凸块阵列。
7.权利要求1所述的IC封装,其中所述IC芯片的暴露区域被配置为与散热器耦合。
8.权利要求1所述的IC封装,包括耦合到IC芯片的暴露区域的金属屏蔽,该金属屏蔽被配置为衰减和与所述至少两个无源器件相关的电流环路相关的磁场。
9.权利要求8所述的IC封装,其中所述至少两个无源器件包括第一电容器和第二电容器;
其中所述IC芯片包括被配置为与所述第一电容器、所述第二电容器或所述IC封装的输出端子中的一个或多个耦合的多个晶体管;和
其中所述金属屏蔽被配置为消散由所述多个晶体管产生的热量。
10.权利要求8所述的IC封装,其中所述金属屏蔽与所述IC芯片的接地耦合。
11.权利要求8所述的IC封装,...
【专利技术属性】
技术研发人员:伦纳德·沙格特,扎费尔·库特鲁,约翰·安德希尔·加德纳,
申请(专利权)人:模拟设备国际无限公司,
类型:发明
国别省市:爱尔兰;IE
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