【技术实现步骤摘要】
负载旁路压摆控制技术相关申请的交叉引用本申请要求2018年12月20日提交的、申请号为16/227,988的、名称为“负载旁路压摆控制技术”美国专利申请的优先权，出于所有目的通过引用将其整体合并于此。
本公开讨论负载电流控制技术，更特别地讨论负载旁路晶体管的压摆率控制技术。
技术介绍
负载旁路切换是一种将旁路开关与负载并联放置、使得电流(即功率)可以在负载周围分流而不会中断电流的技术。压摆率定义为旁路开关两端电压的时间变化率。负载旁路开关的实际用途是发光二极管(LED)的脉冲宽度调制调光。LED可以串联连接，以使每个LED中流过相同的电流，因此可以确保匹配的光输出。可以通过致动与一个或多个LED并联的开关来消散来自单个LED或多LED区段的光，以用于调光目的，从而将串联LED的该部分周围的电流转移。此技术的一个流行名称是矩阵LED调光。LED驱动器通常会调节流向LED的电流，而不是电压。当部分LED负载被旁路时，即使电流保持不变，整个负载上的电压也会改变。由于矩阵调光会产生电压阶跃，因此在某些情况下，在开关导...
【技术保护点】
1.设置为通过旁路晶体管的第一和第二导通节点耦合至负载的压摆率受控负载旁路电路，所述负载旁路电路包括：/n电容器，电耦合在所述旁路晶体管的第一导通节点和所述旁路晶体管的控制节点之间；以及电流镜电路，包括：/n第一晶体管，与所述电容器和所述控制节点串联电耦合；和/n第二晶体管，电耦合在电源和所述控制节点之间，以选择性地向所述控制节点或从所述控制节点提供电流，该电流绕过所述电容器以限制所述旁路晶体管的第一导通节点和第二导通节点两端的电压的压摆率。/n
【技术特征摘要】
20181220 US 16/227,9881.设置为通过旁路晶体管的第一和第二导通节点耦合至负载的压摆率受控负载旁路电路，所述负载旁路电路包括：
电容器，电耦合在所述旁路晶体管的第一导通节点和所述旁路晶体管的控制节点之间；以及电流镜电路，包括：
第一晶体管，与所述电容器和所述控制节点串联电耦合；和
第二晶体管，电耦合在电源和所述控制节点之间，以选择性地向所述控制节点或从所述控制节点提供电流，该电流绕过所述电容器以限制所述旁路晶体管的第一导通节点和第二导通节点两端的电压的压摆率。
2.权利要求1所述的压摆率受控负载旁路电路，包括第一电流源，耦合到所述第一晶体管的控制节点和所述第二晶体管的控制节点，并被配置为设置所述电流镜电路的增益。
3.权利要求2所述的压摆率受控负载旁路电路，其中所述增益被配置为放大所述电容器的电容效应。
4.权利要求2所述的压摆率受控负载旁路电路，其中所述第一电流源是可调的。
5.权利要求2所述的压摆率受控负载旁路电路，包括β辅助晶体管，具有耦合至所述电源的第一节点、耦合至所述第二晶体管的控制节点的第二节点以及耦合至所述电容器的控制节点。
6.权利要求2所述的压摆率受控负载旁路电路，包括电阻器，被配置为将所述第一晶体管的控制节点与所述第二晶体管的控制节点耦合。
7.权利要求6所述的压摆率受控负载旁路电路，包括第二电流源，耦合在所述电源和所述旁路晶体管的控制节点之间。
8.权利要求7所述的压摆率受控负载旁路电路，其中所述旁路晶体管的第一和第二导通节点两端的电压变化(dv/dt)由下式给出：
其中I1是所述第二电流源的电流，I2是所述第一电流源的电流，R1是所述第一电阻器的电阻，C是所述电容器的电容，N是所述电流镜电路的增益，并且VT是所述旁路晶体管的阈值电压。
9.一种控制负载旁路电路的电压压摆率的方法，该方法包括：
对耦合在所述负载旁路电路的旁路晶体管的控制节点和第一导通节点之间的电容器进行充电或放电；
使用耦合到所述旁路晶体管的控制节点的电流镜来缩放所述电容器的电流；
使用耦合到所述电流镜的晶体管的控制节点的第一电流源设置所述电流镜的比例因子；和
其中所述电流镜的比例因子被配置为放大所述电容器的电容效应并控制所述旁路晶体管的第一导通节点和第二导通节点两端的电压压摆率。
10.权利要求9所述的方法，其中设置电流镜的比例因子包括在所述电流镜的第一晶体管的控制节点与所述电流镜的第二晶体管的控制节点之间发展偏移电压。
11.权利要求10所述的方法，其中所述发展偏移电压包括在电阻器两端发展偏移电压，该电阻器被配置为将所述第一晶体管的控制节点与所述第二晶体管的控制节点耦合。
12.权利要求11所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：埃里克·斯蒂芬·扬，齐昕，
申请(专利权)人：模拟设备国际无限公司，
类型：发明
国别省市：爱尔兰;IE
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