液晶组合物及其制备方法、微波器件技术

本发明专利技术涉及液晶组合物及其制备方法、微波器件，属于液晶材料领域。该液晶组合物包括：占所述液晶组合物总质量1％‑30％的由炔基‑苯环‑异硫氰基构成的第一类化学结构的化合物，占所述液晶组合物总质量1％‑80％的由炔基‑苯环‑异硫氰基构成的第二类化学结构的化合物，占所述液晶组合物总质量1％‑60％的由炔基‑苯环‑异硫氰基构成的第三类化学结构的化合物，以及占所述液晶组合物总质量1％‑60％的由苯环‑异硫氰基构成的第四类化学结构的化合物。该液晶组合物具有较高的介电调谐率、较低的介电损耗以及较宽的向列相温度范围，适用于制备高性能的微波器件。

Liquid crystal composition, preparation method and microwave device

【技术实现步骤摘要】
液晶组合物及其制备方法、微波器件
本专利技术涉及液晶材料领域，特别涉及液晶组合物及其制备方法、微波器件。
技术介绍
液晶材料广泛应用于滤波器、可调频率选择表面、移相器、相控阵雷达、5G通信网路等基于液晶的微波器件中，液晶材料的介电调谐率以及介电损耗直接影响着微波器件的性能。研究发现，液晶材料的介电调谐率(τ)由液晶材料在微波下的介电各向异性(Δε)及分子平行方向的介电常数(ε∥)所决定，其中，τ＝Δε/ε∥。而液晶材料的介电损耗一般由其损耗最大值max(tanδ∥,tanδ⊥)所决定，其中，δ∥为分子平行方向上的介电损耗角，δ⊥为分子垂直方向上的介电损耗角，两者均可表示介电损耗角δ的大小。以品质因子η来表征液晶材料的性能参数，η＝τ/max(tanδ∥,tanδ⊥)，可见，为了获得高品质的微波器件，期望液晶材料的品质因子尽可能地高，即介电调谐率尽可能地高，而介电损耗尽可能地低。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术提供一种具有高品质因子的液晶组合物及制备方法、微波器件。具体而言，包括以下的技术方案：一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶组合物，其特征在于，所述液晶组合物包括：占所述液晶组合物总质量1％-30％的具有通式Ⅰ的化合物/n

【技术特征摘要】
1.一种液晶组合物，其特征在于，所述液晶组合物包括：占所述液晶组合物总质量1％-30％的具有通式Ⅰ的化合物



占所述液晶组合物总质量1％-80％的具有通式Ⅱ的化合物



占所述液晶组合物总质量1％-60％的具有通式Ⅲ的化合物



占所述液晶组合物总质量1％-60％的具有通式Ⅳ的化合物



其中，X1、X2均选自H、F或者碳原子数为1～5的烷基；
X3-X14均选自H或F；
Z1、Z2中的一个为-C≡C-，另一个为单键；
环环均选自


2.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述具有通式Ⅰ的化合物选自以下化合物中的至少一种：





3.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述具有通式Ⅱ的化合物选自以下化合物中的至少一种：





4.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述具有通式Ⅲ的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锐，赵伟利，刘明星，于美娜，孙海雁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11