【技术实现步骤摘要】
一种直拉单晶炉
本技术涉及单晶硅生产领域，具体地说，涉及一种直拉单晶炉。
技术介绍
随着极大规模集成电路进入纳米尺寸，低氧含量，超低密度缺陷的大直径高品质的硅单晶的要求越来越高，拉晶技术的突破创新显得尤为重要。长期以来拉晶技术面临二大挑战，一是低成本高品质的单晶生长技术，二是控制拉晶过程以获得单晶品质的稳定性及一致性，拉晶过程中控制因素很多，单晶直径的自动控制、温度的自动控制、生长液面的控制、炉压、保护气流量、晶转、埚转等参数的控制等，尽管控制因素很多，并且众多因素的组合更是千变万化，但与单晶品质密切相关的主要因素是坩埚内熔体的温度梯度，温度梯度的大小决定了坩埚内熔体的热对流，并严重影响单晶的主要杂质氧含量的高低和晶体晶格的完整性。硅中氧来源于石英坩埚，高温下液态硅料腐蚀石英坩埚内壁，坩埚中的氧进入熔体，并随熔体的流动进入整个坩埚中，绝大部分的氧(>95％)以SiO的气体的方式从液面挥发进入保护气中，少量的氧通过分凝而进入硅晶体中，决定硅中氧含量高低的是生长界面附近硅熔体中氧含量的大小，生长界面远离坩埚...
【技术保护点】
1.一种直拉单晶炉，包括坩埚和加热器，所述加热器的外围设有保温层，其特征在于：/n所述坩埚包括用于承装熔体的石英坩埚和套设在所述石英坩埚外的外围支撑坩埚；所述加热器包括包围在所述坩埚周围的主加热器和设置在所述坩埚的底部的辅加热器；所述保温层外在垂直方向上间隔设有若干热电偶测温探头，或在保温层上开有供红外测温仪测温的第一窗口。/n
【技术特征摘要】
1.一种直拉单晶炉，包括坩埚和加热器，所述加热器的外围设有保温层，其特征在于：
所述坩埚包括用于承装熔体的石英坩埚和套设在所述石英坩埚外的外围支撑坩埚；所述加热器包括包围在所述坩埚周围的主加热器和设置在所述坩埚的底部的辅加热器；所述保温层外在垂直方向上间隔设有若干热电偶测温探头，或在保温层上开有供红外测温仪测温的第一窗口。
2.根据权利要求1所述的直拉单晶炉，其特征在于：所述的主加热器的高度为坩埚高度的1/3～2/3。
3.根据权利要求1所述的直拉单晶炉，其特征在于：所述的保温层包括位于内层的石墨保温内筒和位于外层的外保温层。
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