晶圆清洁装置及晶圆清洁系统制造方法及图纸

技术编号:24277517 阅读:64 留言:0更新日期:2020-05-23 15:35
该实用新型专利技术涉及一种晶圆清洁装置及晶圆清洁系统,能够优化去除晶圆背面的微粒的效果,并且提高晶圆生产的良率。其中,所述晶圆清洁装置包括清洁刷,用于清洁待清洁晶圆背面的杂质,还包括喷淋器,能够朝向所述晶圆喷淋清洗液,所述清洗液具有导电性,能够释放所述晶圆背面的电荷。

Wafer cleaning device and wafer cleaning system

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洁装置及晶圆清洁系统
本技术涉及晶圆清洁领域,具体涉及一种晶圆清洁装置及晶圆清洁系统。
技术介绍
在晶圆清洁的生产制造过程中,由于在各种复杂制程过程中范德华力和静电力的原因会在晶圆背面吸附大量的微粒,金属离子,有机物等,造成晶圆背面缺陷的产生,严重影响晶圆的质量和成品率,目前主要采用BST,也就是毛刷洗刷晶圆背面,辅以去离子水喷淋的方法,来去除晶圆背面的微粒。然而现有技术中采用BST(Backsidesurfacetreatment,晶圆背面处理)技术来去除晶圆背面的微粒时清洁效果不佳,背面仍然会留存有微粒,影响晶圆的后续生产加工,并影响晶圆生产的良率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种晶圆清洁装置及晶圆清洁系统,能够优化去除晶圆背面的微粒的效果,并且提高晶圆生产的良率。为了解决上述技术问题,以下提供了一种晶圆清洁装置,包括清洁刷,用于清洁待清洁晶圆背面的杂质,还包括喷淋器,能够朝向所述晶圆喷淋清洗液,所述清洗液具有导电性,能够释放所述晶圆背面的电荷。可选的,所述喷淋器包括至少两个喷嘴,均朝向本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆清洁装置,包括清洁刷,用于清洁待清洁晶圆背面的杂质,其特征在于,还包括喷淋器,能够朝向所述晶圆喷淋清洗液,所述清洗液具有导电性,能够释放所述晶圆背面的电荷。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洁装置,包括清洁刷,用于清洁待清洁晶圆背面的杂质,其特征在于,还包括喷淋器,能够朝向所述晶圆喷淋清洗液,所述清洗液具有导电性,能够释放所述晶圆背面的电荷。


2.根据权利要求1所述的晶圆清洁装置,其特征在于,所述喷淋器包括至少两个喷嘴,均朝向所述晶圆设置,且所述喷嘴中至少包括一个清洗液喷嘴,用于喷淋具有导电性的清洗液。


3.根据权利要求2所述的晶圆清洁装置,其特征在于,所述喷嘴中还包括至少一个去离子水喷嘴,用于喷淋去离子水,且所有所述喷嘴均朝向所述晶圆的背面设置。


4.根据权利要求2所述的晶圆清洁装置,其特征在于,所述清洗液喷嘴喷淋的清洗液包括碳酸溶液。


5.根据权利要求1所述的晶圆清洁装置,其特征在于,还包括控制阀,设置在所述喷淋器的液路上,用于控制所述喷淋器的液路通断。


6.根据权利要求5所述的晶圆清洁装置...

【专利技术属性】
技术研发人员:常远
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

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