一种硅晶圆切割装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例示出了硅晶圆切割装置，包括：激光发射器、切割平台、控制器、红外相机以及运动控制传感器；使用时，通过控制器控制切割平台的移动将待切割的硅晶圆移动在激光发射器的正对位置，第一激光发射单元向硅晶圆的顶部发射激光，第二激光发射单元向硅晶圆的底部发射激光，第一激光发射单元和第二激光发射单元均沿着预制裂纹方向扫描切割，由于第一激光发射单元和第二激光发射单元的中心轴线相重合，因此能够准确的沿着预制裂纹方向扫描切割，从而避免出现切入、切除两个边缘位置质量差以及非对称切割时轨迹偏移的情况，同时防止硅晶圆的表面电路受损，从而显著的提高硅晶圆的切割质量。

A silicon wafer cutting device

【技术实现步骤摘要】
一种硅晶圆切割装置
本技术涉及芯片制造
，特别涉及硅晶圆切割装置。
技术介绍
硅晶圆广泛应用于半导体器件制造，硅晶圆划片是封装过程中的关键工序，传统的超薄金刚石砂轮切割方式加工效率较低，成品切口易出现崩边现象。激光切割技术属于非接触式切割，通过激光切割可以解决机械切割崩边的问题，而且没有刀具磨损的问题。从切割的机理上激光切割技术可以分为两种模式，一种是去除材料的方式，如激光熔融/汽化切割、水导引激光切割等；另外一种是无去除材料的方式，即激光热裂法切割（又称激光热应力法切割、激光控制裂纹法切割）。硅晶圆表面IC电路为激光热裂法切割带来了一些困难，所以需要探索新的激光扫描策略，设计激光对准表面预制微裂纹的方案。热裂法切割硅晶圆是通过局部热膨胀引起的应力变化达到预制裂纹扩展进而达到切割的目的，裂纹预制的方式决定了激光热裂切割的质量。目前热裂法切割还存在切入、切出两个边缘位置质量差以及非对称切割时轨迹偏移的问题，需要进一步研究解决。
技术实现思路
为克服相关技术中存在的问题，本技术提供硅晶圆切割装置，能够解决目前热裂法切割还存在切本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅晶圆切割装置，其特征在于，所述装置包括：激光发射器（1）、切割平台（2）、控制器（3）、红外相机（4）以及运动控制传感器（5）；/n所述激光发射器（1）用于向硅晶圆发射激光，所述激光发射器（1）包括第一激光发射单元（11）和第二激光发射单元（12），所述第一激光发射单元（11）设置于硅晶圆的顶部，所述第二激光发射单元（12）设置与硅晶圆的底部，所述第一激光发射单元（11）的中心轴与所述第二激光发射单元（12）的中心轴相重合，所述第一激光发射单元（11）和所述第二激光发射单元（12）均可沿着竖直方向移动；/n所述切割平台（2）用于承载硅晶圆，所述切割平台（2）可沿着水平方向移动；/n所...

【技术特征摘要】
1.一种硅晶圆切割装置，其特征在于，所述装置包括：激光发射器（1）、切割平台（2）、控制器（3）、红外相机（4）以及运动控制传感器（5）；
所述激光发射器（1）用于向硅晶圆发射激光，所述激光发射器（1）包括第一激光发射单元（11）和第二激光发射单元（12），所述第一激光发射单元（11）设置于硅晶圆的顶部，所述第二激光发射单元（12）设置与硅晶圆的底部，所述第一激光发射单元（11）的中心轴与所述第二激光发射单元（12）的中心轴相重合，所述第一激光发射单元（11）和所述第二激光发射单元（12）均可沿着竖直方向移动；
所述切割平台（2）用于承载硅晶圆，所述切割平台（2）可沿着水平方向移动；
所述红外相机（4）用于检测硅晶圆的温度；
所述运动控制传感器（5）用于检测硅晶圆的位置；
所述控制器（3）分别连接所述第一激光发射单元（11）、所述第二激光发射单元（12）、所述切割平台（2）、所述红外相机（4）以及所述运动控制传感器（5），所述控制器（3）用于根据所述红外相机（4）检测的硅晶圆的温度信号控制所述第一激光发射单元（11）和所述第二激光发射单元（12）在竖直方向上移动，还用于根据所述运动控制传感器（5）检测的硅晶圆的位置控制所述切割平台（2）在水...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴万红，
申请(专利权)人：大同新成新材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山西;14