芳香胺化合物、覆盖层材料及发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种用于改善有机发光元件的光取出效率以及色纯度的结构如通式(1)所示的芳香胺化合物、含有该芳香胺化合物的有机发光元件材料、有机发光元件覆盖层材料以及有机发光元件。由本发明专利技术提供的有机发光元件可实现高发光效率及色再现性，本发明专利技术的有机发光元件可用于有机EL显示器、液晶显示器的背光源、照明、计器类等的光源、标示板、标识灯等。本发明专利技术提供大幅度提高发光取出效率而且具有优越色纯度的有机发光元件。

Aromatic amines, coating materials and light-emitting elements

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】芳香胺化合物、覆盖层材料及发光元件
本专利技术涉及有机发光元件用新型芳香胺化合物、含有该芳香胺化合物的覆盖层材料及发光元件，特别是光取出效率得到大幅改善的有机发光元件用芳香胺化合物、覆盖层材料及发光元件。
技术介绍
有机发光元件是自发光显示装置，具有轻量薄型、广视角、低耗电、高对比等特性。有机发光元件的发光原理是，从电极注入的空穴与电子在发光层通过再结合而经由激发态回复到基态，此时产生光。该发光元件具有薄型且能在低驱动电压下高亮度发光以及能通过选择发光材料而进行多色发光的特征，因此倍受关注。该研究自从由柯达公司的C.W.Tang等揭示有机薄膜元件能以高亮度发光以来，对于其应用，已有许多研究。有机薄膜发光元件被采用在手机主显示屏等中，其实用化取得切实进展。但是，还存在很多技术课题，其中，元件的高效率化和低耗电是一个很大的课题。根据有机发光层产生的光所发射的方向，有机发光元件可以分为底发射有机发光元件和顶发射有机发光元件。在底发射有机发光元件中，光射向基板侧，在有机发光层的上部形成反射电极，在有机发光层的下部形成透明电极。这种情况下，当有机发光元件为有源矩阵元件时，由于薄膜晶体管的部分不透光，导致发光面积减小。另一方面，在顶发射有机元件中，透明电极形成在有机发光层的上部，反射电极形成在有机发光层的下部，所以光射向与基板侧相反的方向，由此，光所透过的面积增加，亮度提高。现有技术中，为了提高顶发射有机发光元件的发光效率，所采用的方法为在发光层的光透过的上部半透明金属电极的上方形成有机覆盖层，以此调节光学干涉距离，抑制外光反射和由表面等离子体能量移动引起的消光等(可参见专利文献1～6)。例如，专利文献2记载，在顶发射有机发光元件的上部半透明金属电极上形成折射率在1.7以上、膜厚的有机覆盖层，使红色发光和绿色发光有机发光元件的发光效率提高了约1.5倍。所用的有机覆盖层的材料是胺衍生物、喹啉醇络合物等。专利文献4记载，能隙小于3.2eV的材料会影响蓝色波长，不适合用于有机覆盖层，使用的有机覆盖层材料是具有特定化学结构的胺衍生物等。专利文献5记载，要实现低CIEy值的蓝色发光元件，有机覆盖层材料在波长430nm-460nm的折射率变化量为Δn＞0.08，使用的有机覆盖层材料是具有特定化学结构的蒽衍生物等。专利文献6记载，使用噻吩、吡咯型等有机覆盖层材料后，可得到发光取出效率大幅度提高而且具有优越色纯度的有机发光元件。专利文献专利文献1：WO2001/039554专利文献2：JP特开2006-156390专利文献3：JP特开2007-103303专利文献4：JP特开2006-302878专利文献5：WO2011/043083专利文献6：CN104744450A
技术实现思路
如上所述，在现有技术中，使用具有高折射率的特定结构的胺衍生物或使用符合特定参数要求的材料作为有机覆盖层材料来改善光取出效率和色纯度，但是尚未解决兼顾发光效率和色纯度的问题，特别是在制备蓝光发光元件的情况下。本专利技术提供一种用于提高有机发光元件的光取出效率以及改善色纯度的芳香胺化合物、含有该芳香胺化合物的有机发光元件材料、有机发光元件覆盖层材料以及有机发光元件。本专利技术提供的芳香胺化合物因为具有噻吩结构、呋喃结构或吡咯结构，从而具有优越的薄膜稳定性和高折射率，能够解决兼顾提高光取出效率与改善色纯度的问题。在本专利技术中，芳香胺化合物的结构具体地如下通式1所示。其中，X1、X2选自硫原子、氧原子或N-R，其中，所述R分别选自氢、氘、可被取代的烷基、可被取代的环烷基、可被取代的杂环基、可被取代的链烯基、可被取代的环烯基、可被取代的炔基、可被取代的烷氧基、可被取代的烷硫基、可被取代的芳基醚基、可被取代的芳基硫醚基、可被取代的芳基、可被取代的杂芳基、可被取代的羰基、可被取代的羧基、可被取代的氧羰基、可被取代的氨基甲酰基、可被取代的烷氨基或可被取代的硅烷基中的一种或多种；L1、L2可以相同或不同，分别选自亚芳基、亚杂芳基或直接成键中的一种；Ar1选自亚芳基；Ar2、Ar3可以为相同或不同的杂芳基；其中，R1、R2可以相同或不同，分别选自氢、氘、卤素、可被取代的烷基、可被取代的环烷基、可被取代的杂环基、可被取代的链烯基、可被取代的环烯基、可被取代的炔基、可被取代的烷氧基、可被取代的烷硫基、可被取代的芳基醚基、可被取代的芳基硫醚基、可被取代的芳基、可被取代的杂芳基、可被取代的氰基、可被取代的羰基、可被取代的羧基、可被取代的氧羰基、可被取代的氨基甲酰基、可被取代的烷氨基或可被取代的硅烷基中的一种或多种，也可以是与相邻的取代基键合，形成环。基于所述化合物的热稳定性及对光取出效率的影响，所述通式1中，优选R1、R2为可被取代的芳基或杂芳基的一种或多种。基于引入杂原子，能提高化合物的折射率。优选所述X1、X2选自硫原子；L1、L2选自亚芳基；R1、R2为芳基。基于所述材料的可合成性，所述通式1中，优选烷基为C1-C20的烷基，环烷基为C3-C20的环烷基，杂环基为C2-C20的杂环基，链烯基为C2-C20的链烯基，环烯基为C3-C20的环烯基，炔基为C2-C20的炔基，烷氧基为C1-C20的烷氧基，烷硫基为C1-C20的烷硫基，芳基醚基为C6-C40的芳基醚基，芳基硫醚基为C6-C60的芳基硫醚基，芳基为C6-C60的芳基，杂芳基为C4-C60的芳香族杂环基。基于降低所述材料的结晶性，优选所述Ar1为非稠环的亚芳基。基于提高所述材料的光学性能，优选所述Ar2、Ar3为直接与氮相连的杂芳基，即氮原子与杂芳基之间没有其他非杂芳基的基团，这些非杂芳基的基团包括但不限于亚芳基。本专利技术还提供一种有机发光元件材料，该材料含有上述所述的芳香胺化合物。本专利技术的有机发光元件包含：基板，第一电极，含有一种以上有机层膜的发光层，第二电极，及覆盖层；该有机发光元件含有上述所述的有机发光元件材料。本专利技术另外还提供一种有机发光元件覆盖层材料，该材料含有上述所述的芳香胺化合物。本专利技术最后还提供一种有机发光元件，其包含基板、第一电极、包括发光层在内的一层以上有机层膜、及第二电极元件，所述发光元件还具有覆盖层；该覆盖层含有上述有机发光元件覆盖层材料。可认为本专利技术的机理如下(但不以任何目的束缚本专利技术)：本专利技术提供的芳香胺化合物因为具有噻吩结构、呋喃结构或吡咯结构，从而具有优越的薄膜稳定性和高折射率，能够解决兼顾提高光取出效率与改善色纯度的问题。覆盖层材料中使用了通式1所示的化合物，其具有噻吩结构、呋喃结构或吡咯结构，所以具有高的玻璃化转变温度和空间位阻效应，从而具有优越的薄膜稳定性。而且噻吩结构、呋喃结构或吡咯结构可以提高化合物的吸光系数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芳香胺化合物，其具有下通式1所示的结构：/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180131 CN 2018100942631一种芳香胺化合物，其具有下通式1所示的结构：



其中，X
1、X
2选自硫原子、氧原子或N-R，其中，所述R分别选自氢、氘、可被取代的烷基、可被取代的环烷基、可被取代的杂环基、可被取代的链烯基、可被取代的环烯基、可被取代的炔基、可被取代的烷氧基、可被取代的烷硫基、可被取代的芳基醚基、可被取代的芳基硫醚基、可被取代的芳基、可被取代的杂芳基、可被取代的羰基、可被取代的羧基、可被取代的氧羰基、可被取代的氨基甲酰基、可被取代的烷氨基或可被取代的硅烷基中的一种或多种；

L
1、L
2可以相同或不同，分别选自亚芳基、亚杂芳基或直接成键中的一种；

Ar
1选自亚芳基；

Ar
2、Ar
3可以为相同或不同的杂芳基；

其中，R
1、R
2可以相同或不同，分别选自氢、氘、卤素、可被取代的烷基、可被取代的环烷基、可被取代的杂环基、可被取代的链烯基、可被取代的环烯基、可被取代的炔基、可被取代的烷氧基、可被取代的烷硫基、可被取代的芳基醚基、可被取代的芳基硫醚基、可被取代的芳基、可被取代的杂芳基、可被取代的氰基、可被取代的羰基、可被取代的羧基、可被取代的氧羰基、可被取代的氨基甲酰基、可被取代的烷氨基或可被取代的硅烷基中的一种或多种，也可以是与相邻的取代基键合，形成环。



根据权利要求1所述的芳香胺化合物，其特征在于：所述通式1中，R
1、R
2为芳基或杂芳基中的一种或多种。



根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙枋竹，王鹏，金光男，李进才，
申请(专利权)人：东丽先端材料研究开发中国有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31