【技术实现步骤摘要】
一种基于碲化铋异质结的可饱和吸收体及其制备方法和应用
本专利技术涉及激光器
，特别涉及一种基于碲化铋异质结的可饱和吸收体及其制备方法和应用。
技术介绍
激光作为一种具有高亮度、高方向性、高单色性和高相干性优点的光源，已经用在生活中的许多方面。锁模技术的发展，特别是被动锁模技术的产生，让激光器产生能够应用于如基础科学、工业加工和通信领域的高稳定性、高光束质量和高能量的超短脉冲，具有非常大的应用价值。对于被动锁模技术，其关键是寻找稳定可靠的可饱和吸收体。目前常用的可饱和吸收体有半导体可饱和吸收镜(SESAM)、石墨烯、拓扑绝缘体、过渡金属硫化物等。市场上的SESAM由于其响应波长短，且价格十分昂贵，其它也存在如光吸收率低、载流子迁移率低等不足。虽然黑磷作为集其他材料的优点于一身的材料，但其本身具有的容易氧化而导致不稳定的性质却限制了其在锁模激光器中需长时间稳定工作的问题。因此，有必要寻找新一类稳定的可饱和吸收体。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种基于碲化铋异质结的可饱和吸收体，该碲化...
【技术保护点】
1.一种基于碲化铋异质结的可饱和吸收体，其特征在于，包括基底以及设置在所述基底上的碲化铋异质结纳米片，所述碲化铋异质结纳米片的化学通式为Bi
【技术特征摘要】
1.一种基于碲化铋异质结的可饱和吸收体，其特征在于，包括基底以及设置在所述基底上的碲化铋异质结纳米片，所述碲化铋异质结纳米片的化学通式为Bi2Te3-MxTey，其中M为过渡金属和第四主族金属中的至少一种,x为0.5-1.5，y为1-3。
2.如权利要求1所述的基于碲化铋异质结的可饱和吸收体，其特征在于，所述过渡金属包括铁和铜中的至少一种。
3.如权利要求1所述的基于碲化铋异质结的可饱和吸收体，其特征在于，所述碲化铋异质结纳米片的横向尺寸大于2μm，厚度为50nm-150nm。
4.如权利要求1所述的基于碲化铋异质结的可饱和吸收体，其特征在于，所述碲化铋异质结纳米片的层数为1-10层。
5.如权利要求1所述的基于碲化铋异质结的可饱和吸收体，其特征在于，所述碲化铋异质结纳米片通过范德华力结合在所述基底表面。
6.如权利要求1所述的基于碲化铋异质结的可饱和吸收体，其特征在于，所述基底包括光纤端面、反射镜和透明玻璃中的至少一种。
7.一种基于碲化铋异质结的可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，包括：
制备碲化铋纳米片，所述碲化铋纳米片的化学式为Bi2Te3；
利用外延生长法将碲化铋纳米片制成碲化铋异质结纳米片；
提供基底，将所述碲化铋异质结纳米片置于所述基底...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘捷锋，张家宜，张文静，
申请(专利权)人：深圳瀚光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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