一种三维碳纳米片电极添加剂及其制备方法技术

一种三维碳纳米片材料电极添加剂及其制备方法。

A three-dimensional carbon nano electrode additive and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种三维碳纳米片电极添加剂及其制备方法
本专利技术涉及一种三维碳纳米片电极添加剂及其制备方法。
技术介绍
电极材料由于大多是半导体材料，其电子导电性比较差，而导电层包覆也只能起到有限的作用效果。此外，电极成分中的粘结剂也是绝缘的聚合物，因此，电极制备中，电极添加剂必不可少，其能有效改善电子在电极内的传导性。本专利技术制备的三维碳纳米片具有三维导电网络，将极大改善活性物质与集流体的粘附力、浆料稳定性、导电性和导热率，并对活性物质有包覆作用，进而提高相应电极的电化学性能。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种三维碳纳米片材料电极添加剂。在一种实施方式中，例如，所述三维碳纳米片材料包括规则地或无规则地聚集在一起的若干片碳纳米片。在一种实施方式中，例如，所述三维碳纳米片材料包括规则地或无规则地聚集在一起的若干片碳纳米片，且邻近的碳纳米片之间部分接触，但互相之间不发生团聚和堆叠。在一种实施方式中，例如，所述三维碳纳米片材料具有多级孔结构，孔道直径分布为10nm～1000nm，优选为20nm～500n本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维碳纳米片材料电极添加剂，其特征在于包括以下步骤：采用化学气相沉积(CVD)和/或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法，以含碳气体和辅助气体的混和气体作为气源，制备三维碳纳米片材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维碳纳米片材料电极添加剂，其特征在于包括以下步骤：采用化学气相沉积(CVD)和/或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法，以含碳气体和辅助气体的混和气体作为气源，制备三维碳纳米片材料。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述含碳气体与所述辅助气体的体积比为10∶1～1∶10。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：采用化学气相沉积(CVD)和/或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法制备三维碳纳米片材料时的温度为400～1100℃。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述含碳气体和辅助气体的混和气体的压强为0.1～1000Pa，优选为10～500Pa，进一步优选为100～200Pa。


5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含碳气体包括但不限于CH4，C2H2，C2F6，天然气或其他含碳元素的混合气体等。


6.根据权利要求1～5的任一项所述的三维碳纳米片材料，其特征在于，所述三维碳纳米片材料包括规则地或无规则地聚集在一起的若干片碳纳米片。


7.根据权利要求1～5的任一项所述的三维碳纳米片材料，其特征在于，所述三维碳纳米片材料包括规则地或无规则地聚集在一起的若干片碳纳米片，且邻近的碳纳米片之间部分接触，但互相之间不发生团聚和堆叠。


8.根据权利要求1～5的任一项所述的三维碳纳米片材料，其特征在于，所述三维碳纳米片材料具有多级孔结构，孔道直径分布为10nm～1000nm，优选20nm～500nm，进一步优选50nm～200nm。


9.根据权利要求1～5所述的三维碳纳米片材料，其特征在于，在所述若干片碳纳米片中，每一片碳纳米片的厚度为0.34～5nm，优选为0.7～3nm，进一步优选为1～2nm。


10.根据权利要求1～5所述的三维碳纳米片材料，其特征在于，在所述若干片碳纳米片规则地或无规则地聚集在一起，形成若干形状任意的三...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝奕舟，张圆圆，陈剑豪，王天戌，
申请(专利权)人：广州墨羲科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44