大板级芯片封装模组制造技术

本实用新型专利技术提供了一种大板级芯片封装模组，包括：介电材料层，其上设置有多个第一通孔；多个芯片，多个芯片设置于所述介电材料层的下表面，每一所述芯片的与所述介电材料层接触的一面设置有输入\输出端口，每一所述输入\输出端口分别与一所述第一通孔正对；散热胶层，其设置于每一所述芯片的远离所述介电材料层的一面上；多个散热结构，每一所述散热结构分别通过所述散热胶层与一所述芯片连接；塑封体层，其设置于所述介电材料层的下表面并将所述多个芯片以及所述散热结构的侧壁包裹在内，所述塑封体层的下表面将所述散热结构的下端面露出以便于散热。

Large board level chip package module

【技术实现步骤摘要】
大板级芯片封装模组
本技术涉及芯片封装领域，具体涉及一种大板级芯片封装模组。
技术介绍
近年来，大板级扇出型封装技术取得了长足的进展，大板级扇出型封装技术具有表面积小、厚度小、管脚数密度高、较低的热阻抗、电气性能优异等特点，可以实现系统级封装及3D封装的低成本化制造，可更好满足终端市场对产品效能和体积的需求。随着大板级扇出型封装技术的发展，芯片密度更大、尺寸更小的封装结构不断涌现。现有的大板级扇出型封装结构还存在散热能力不足的问题，严重影响了半导体芯片的质量及性能。此外，现有的大板级扇出型封装结构还存在其散热结构制造效率低的问题。因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种大板级芯片封装模组，可以提高散热效率。本技术提供一种大板级芯片封装模组，包括：介电材料层，其上设置有多个第一通孔；多个芯片，所述多个芯片设置于所述介电材料层的下表面，每一所述芯片的与所述介电材料层接触的一面设置有输入\输出端口，每一所述输入\输出端口分别与一所述第一通孔正对；散热胶层，其设置于每一所述芯片的远离所述介电材料层的一面上；多个散热结构，每一所述散热结构分别通过所述散热胶层与一所述芯片连接；塑封体层，其设置于所述介电材料层的下表面并将所述多个芯片以及所述散热结构的侧壁包裹在内，所述塑封体层的下表面将所述散热结构的下端面露出以便于散热；金属线路层，其设置于所述介电材料层的上表面并通过所述第一通孔与所述输入\输出端口电连接；r>油墨层，其设置于所述金属线路层以及所述介电材料层上，所述油墨层上设置有多个第二通孔；多个导电金属焊盘，其设置于所述第二通孔中并与所述金属线路层电连接。在本技术所述的大板级芯片封装模组中，所述散热结构为金属栅格结构，所述金属栅格结构包括金属基材层以及设置于所述金属基材层的下表面的多个金属凸起结构。在本技术所述的大板级芯片封装模组中，所述多个金属凸起结构呈矩形阵列间隔分布。在本技术所述的大板级芯片封装模组中，所述散热结构为金属栅格结构，所述金属栅格结构包括金属基材层以及设置于所述金属基材层的下表面的多个凹槽结构。在本技术所述的大板级芯片封装模组中，所述多个凹槽结构呈矩形阵列间隔分布。在本技术所述的大板级芯片封装模组中，所述散热结构为散热金属片，所述散热金属片的下表面设置有散热纹路。在本技术所述的大板级芯片封装模组中，所述塑封体层环绕所述多个芯片设置以形成多个第三通孔，所述散热结构位于所述第三通孔中，且所述散热结构的下端面与所述塑封体层的下表面齐平。本技术通过将散热结构通过散热胶层直接与芯片进行接触，且塑封体层将该散热胶层的直接暴露在空气空，可以大大提高散热效率。附图说明图1是本技术实施例中的大板级芯片封装模组的一种结构示意图。图2是本技术实施例中的大板级芯片封装模组的散热结构的一种结构图。图3是本技术实施例中的大板级芯片封装模组的散热结构的另一种结构图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。请参照图1，图1是本技术一些实施例中的一种大板级芯片封装模组的结构图。该大板级芯片封装模组，包括：介电材料层10、多个芯片20、散热胶层30、多个散热结构40、塑封体层50、金属线路层60、油墨层70以及多个导电金属焊盘80。其中，该介电材料层10上设置有多个第一通孔11；介电材料层10可为ABF、BCB、PI等材料形成。其中，该多个芯片20设置于所述介电材料层10的下表面，每一所述芯片20的与所述介电材料层10接触的一面设置有输入\输出端口21，每一所述输入\输出端口21分别与一所述第一通孔11正对。其中，该散热胶层30设置于每一所述芯片20的远离所述介电材料层10的一面上。其中，该散热胶层30中的主要成分可为石墨烯、硅胶、硅脂、甲基乙烯基聚硅氧烷混合物、甲基氢基聚硅氧烷混合物或氧化铝散热性好的材料。其中，该每一散热结构40分别通过所述散热胶层30与一所述芯片20连接。其中，该塑封体层50设置于所述介电材料层10的下表面并将所述多个芯片20以及所述散热结构40的侧壁包裹在内，所述塑封体层50的下表面将所述散热结构40的下端面露出以便于散热。其中，该金属线路层60设置于所述介电材料层10的上表面并通过所述第一通孔11与所述输入\输出端口21电连接。其中，该油墨层70设置于所述金属线路层60以及所述介电材料层10上，所述油墨层70上设置有多个第二通孔71。其中，该多个导电金属焊盘设置于所述第二通孔71中并与所述金属线路层60电连接。请同时参照图2，具体地，在一些实施例中，该散热结构40为金属栅格结构，所述金属栅格结构包括金属基材层41以及设置于所述金属基材层41的下表面的多个金属凸起结构42。该多个金属凸起结构42呈矩形阵列间隔分布。请同时参照图3，具体地，在一些实施例中，多个凹槽结构呈矩形阵列间隔分布。散热结构40为金属栅格结构，所述金属栅格结构包括金属基材层41以及设置于所述金属基材层的下表面的多个凹槽结构43。多个凹槽结构43呈矩形阵列间隔分布。在一些实施例中，该散热结构40为散热金属片，所述散热金属片的下表面设置有散热纹路。散热纹路可以增大散热面积，以提高散热效率。在一些实施例中，该塑封体层50环绕所述多个芯片20设置以形成多个第三通孔，所述散热结构40位于所述第三通孔中，且所述散热结构40的下端面与所述塑封体层50的下表面齐平。本技术通过将散热结构通过散热胶层直接与芯片进行接触，且塑封体层将该散热胶层的直接暴露在空气空，可以大大提高散热效率。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“某些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大板级芯片封装模组，其特征在于，包括：/n介电材料层，其上设置有多个第一通孔；/n多个芯片，所述多个芯片设置于所述介电材料层的下表面，每一所述芯片的与所述介电材料层接触的一面设置有输入\输出端口，每一所述输入\输出端口分别与一所述第一通孔正对；/n散热胶层，其设置于每一所述芯片的远离所述介电材料层的一面上；/n多个散热结构，每一所述散热结构分别通过所述散热胶层与一所述芯片连接；/n塑封体层，其设置于所述介电材料层的下表面并将所述多个芯片以及所述散热结构的侧壁包裹在内，所述塑封体层的下表面将所述散热结构的下端面露出以便于散热；/n金属线路层，其设置于所述介电材料层的上表面并通过所述第一通孔与所述输入\输出端口电连接；/n油墨层，其设置于所述金属线路层以及所述介电材料层上，所述油墨层上设置有多个第二通孔；/n多个导电金属焊盘，其设置于所述第二通孔中并与所述金属线路层电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种大板级芯片封装模组，其特征在于，包括：
介电材料层，其上设置有多个第一通孔；
多个芯片，所述多个芯片设置于所述介电材料层的下表面，每一所述芯片的与所述介电材料层接触的一面设置有输入\输出端口，每一所述输入\输出端口分别与一所述第一通孔正对；
散热胶层，其设置于每一所述芯片的远离所述介电材料层的一面上；
多个散热结构，每一所述散热结构分别通过所述散热胶层与一所述芯片连接；
塑封体层，其设置于所述介电材料层的下表面并将所述多个芯片以及所述散热结构的侧壁包裹在内，所述塑封体层的下表面将所述散热结构的下端面露出以便于散热；
金属线路层，其设置于所述介电材料层的上表面并通过所述第一通孔与所述输入\输出端口电连接；
油墨层，其设置于所述金属线路层以及所述介电材料层上，所述油墨层上设置有多个第二通孔；
多个导电金属焊盘，其设置于所述第二通孔中并与所述金属线路层电连接。


2.根据权利要求1所述的大板级芯片封装模组，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，崔成强，李潮，匡自亮，
申请(专利权)人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司，广东芯华微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44