一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器制造技术

本发明专利技术为一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，包括高阻硅基底、位于高阻硅基底之上的绝缘层表面固定二维阵列。每个阵列单元包括一个冂形金属结构、2个T形金属结构、2个I形金属结构及1条引线。内相变垫片处于单元内的二I形结构相对端的下方，间相变垫片处于行间相对的T形结构横条下方。二维阵列两侧各固定一电极，分别连接直流电源的正负极，不通电时，相变垫片低电导，本滤波器工作于带阻滤波状态；通电加热时，相变垫片高电导，本滤波器工作于带通滤波状态。本发明专利技术电控实现太赫兹滤波器的带通滤波/带阻滤波状态的转换，无需繁琐的更换不同功能太赫兹滤波器，适用于不同场合，操作简单，本太赫兹滤波器的应用范围显著地被拓展。

Terahertz band-pass / band stop filter with electronic control conversion

【技术实现步骤摘要】
一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器
本专利技术涉及太赫兹
，特别涉及一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器。
技术介绍
第六代移动通信系统将使用太赫兹波段的超高频谱资源，因此必须加快对太赫兹源、探测器和相关功能器件的研发。目前，由于微波和光学理论的研究方法直接用于太赫兹领域仍面临许多问题，太赫兹器件十分缺乏，因此开发高性能的太赫兹器件是太赫兹技术快速发展的关键。太赫兹滤波器可以用来提取或滤除太赫兹信号，以消除环境噪声，满足许多实际应用需要，是太赫兹领域必不可少的一类功能器件。目前，太赫兹滤波器分为带阻滤波器和带通滤波器两类，这两类滤波器不能实现带通-带阻功能的转换，极大地限制了此两类太赫兹滤波器的实际应用范围。
技术实现思路
本专利技术的目的是公开一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，包括高阻硅基底、位于高阻硅基底之上的绝缘层和固定于绝缘层表面的二维阵列，每个阵列单元包括一个冂形金属结构、2个T形金属结构、2个I形金属结构、1条引线和相变垫片。二维阵列左右两侧各有一电极，分别连接直流电源的正负极，两个电极分别与二维阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，包括高阻硅基底(1)、位于高阻硅基底(1)之上的绝缘层(2)和固定于绝缘层(2)表面的二维阵列(4)，所述二维阵列(4)的边长为入射太赫兹波束直径的1.0～1.5倍；绝缘层(2)和高阻硅基底(1)的长和宽均大于二维阵列(4)的长和宽；所述绝缘层(2)为氮化硅层或者氧化硅层，厚度为0.5微米～2.0微米；太赫兹波从二维阵列(4)上方正入射，穿过二维阵列(4)得到滤波，并穿过绝缘层(2)和高阻硅基底(1)后射出；其特征在于：/n所述二维阵列(4的每个阵列单元包括一个冂形金属结构(41)、2个T形金属结构(42)、2个I形金属结构(43)、1条引线(44)和...

【技术特征摘要】
1.一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，包括高阻硅基底(1)、位于高阻硅基底(1)之上的绝缘层(2)和固定于绝缘层(2)表面的二维阵列(4)，所述二维阵列(4)的边长为入射太赫兹波束直径的1.0～1.5倍；绝缘层(2)和高阻硅基底(1)的长和宽均大于二维阵列(4)的长和宽；所述绝缘层(2)为氮化硅层或者氧化硅层，厚度为0.5微米～2.0微米；太赫兹波从二维阵列(4)上方正入射，穿过二维阵列(4)得到滤波，并穿过绝缘层(2)和高阻硅基底(1)后射出；其特征在于：
所述二维阵列(4的每个阵列单元包括一个冂形金属结构(41)、2个T形金属结构(42)、2个I形金属结构(43)、1条引线(44)和相变垫片；
所述冂形金属结构(41)的冂形横置，两平行的金属条的一端与另一作为冂顶的金属条两端垂直连接构成冂形；冂顶的垂直平分线为冂形金属结构(41)的中心线；
所述2个T形金属结构(42)的T形下方的竖条底端分别与冂形金属结构(41)两平行条的另一端连接，2个T形金属结构(42)相对于冂形金属结构(41)的中心线呈对称；T形的竖条与冂形的二平行条垂直，T形顶部横条平行于冂形金属结构(41)的中心线；
所述2个I形金属结构(43)处于冂形金属结构(41)的冂顶的一侧，2个I形金属结构(43)的中心线处于同一直线上，且该直线垂直于冂形金属结构(41)的中心线；2个I形金属结构(43)相对于冂形金属结构(41)的中心线呈对称；I形金属结构(43)主体金属条与冂形金属结构(41)冂顶金属条平行，二者有间隙；
一个内相变垫片(45)处于一个阵列单元内，位于2个I形金属结构(43)相对一端的下方，内相变垫片(45)的宽度大于I形金属结构(43)主体顶端或底端短条的长、长度大于2个I形金属结构(43)相对的一端的短条内侧之间距离；即2个I形金属结构(43)相对一端和I形金属结构(43)的部分主体位于内相变垫片(45)上且与之相接触；
间相变垫片(46)处于相邻的阵列单元行间，位于相邻的两行阵列单元的相对的2个T形金属结构(42)下方，间相变垫片(46)的宽度大于T形金属结构(42)T形顶横条的长，长度大于2个T形金属结构(42)相对的T形顶横条内侧之间距离；即相邻的阵列行间2个相对T形金属结构(42)T形顶横条和它们的部分T形竖条位于间相变垫片(46)上且与之相接触；
所述二维阵列(4)每一行有一条引线(44)，由最左至最右，每行引线(44)的中心线与该行的各阵列单元冂形金属结构(41)的中心线重合，每行引线(44)与该行的各阵列单元冂形金属结构(41)的冂顶金属条垂直相嵌合连接；此行各阵列单元的2个I形金属结构(43)分别处于引线(44)的上下两侧，靠近引线(44)的I形金属结构(43)I形主体的顶端或底端的短条与引线(44)保持间隙；每行的引线(44)压在位于该行各阵列单元2个I形金属结构(43)相对一端下方的内相变垫片(45)上并与之接触；
二维阵列(4)左右两侧绝缘层(2)上各固定一电极(3)，分别连接直流电源的正负极，连接线路上各有一个开关，二开...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡放荣，李彤，张隆辉，江明珠，王月娥，李东霞，陈涛，姜文英，银珊，张文涛，韩家广，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：广西;45