本发明专利技术涉及薄膜封装技术领域，具体公开了一种化合物、光电器件封装用组合物、制备方法、封装薄膜、电子器件、封装方法，所述化合物具有如下结构：
【技术实现步骤摘要】
化合物、光电器件封装用组合物、制备方法、封装薄膜、电子器件、封装方法
本专利技术涉及薄膜封装
，具体是一种化合物、光电器件封装用组合物、制备方法、封装薄膜、电子器件、封装方法。
技术介绍
有机发光二极管是指在阳极和阴极之间插入功能有机材料层的结构，由于具有自亮度、快速响应、宽视角、超薄、高清晰度和耐久性等各种优点，在电子产品制造领域得到广泛应用。然而，有机发光二极管的问题在于，由于从外部流出的水分或氧气或在发光二极管内部或外部产生的气体，使有机材料和/或电极材料可被氧化，导致性能劣化同时影响它的使用寿命。为了克服这些问题，已经提出了一些方法，例如用光固化密封剂涂覆，附着透明或不透明的吸湿剂，或在其上形成有机发光二极管的基底上提供玻璃料。目前，为了保证设备的柔韧性，通过显示薄膜封装结构来对电子器件进行封装，即在基板显示范围内将形成的有机发光器件上方分别将无机膜与有机膜一层以上交替叠层从而覆盖住显示范围来保护有机发光器件的结构。但是，目前公开的光电器件用封装材料大多是简单采用可固化树脂进行封装，存在较高的水蒸气透过率，导致降低了显示装置的使用寿命。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种化合物、光电器件封装用组合物、制备方法、封装薄膜、电子器件、封装方法，以解决上述
技术介绍
中提出的现有光电器件用封装材料存在水蒸气透过率较高的问题。为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：一种化合物，其结构如式1所示：其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6中的至少一个是式2所示的结构：且当R1至R6中确定有一个或多个为式2所示的结构后，R1、R2、R3、R4、R5和R6中其余的基团各自独立地选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的羟烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的内酯基、取代或未取代的羧基、取代或未取代的缩水甘油醚基、或者羟基；R7和R8是相同或不同的碳原子数量的烷基；R9和R10为氢或者甲基；n1和n2各自独立地为等于或大于0的自然数，n3和n4各自独立地为0或1，n5为0或1或2或3或4或5；所述式2所示的结构中，R11是相同或不同的碳原子数量为1至10的烷基；R12是氢或者甲基；n6为等于或大于0的自然数，n7为0或1；*为结合位点。需要说明的是，所述化合物具有多个可以光引发交联或热引发交联的双键，可以与可固化树脂更加容易交联成膜。作为本专利技术进一步的方案：式1中，R1、R2、R3、R4、R5和R6中的至少一个是上述式2所示的结构，且当R1至R6中确定有一个或多个为式2所示的结构后，R1、R2、R3、R4、R5和R6中其余的基团各自独立地选自取代或未取代的C1-C10烷基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C1-C10羟烷基、取代的或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C2-C20杂芳基、取代或未取代的C2-C10链烯基、取代或未取代的C1-C10烷氧基、取代或未取代的内酯基、取代或未取代的羧基、取代或未取代的缩水甘油醚基、或者羟基；R7和R8是相同或不同的碳原子数量为1-10的烷基；R9和R10为氢或者甲基；n1和n2各自独立地为等于或大于0的自然数，n3和n4各自独立地为0或1，n5为0或1或2或3或4或5。本专利技术实施例的另一目的在于提供一种上述任一项的化合物的制备方法，所述的化合物的制备方法，包括以下步骤：1)提供如式3表示的原料X：2)提供如式4表示的原料Y：3)将步骤1)中提供的所述原料X、步骤2)中提供的所述原料Y以及适量的对甲苯磺酸混合进行反应，得到所述化合物。具体的，所述化合物的合成路线如下：作为本专利技术再进一步的方案：在所述的化合物的制备方法中，R1、R2、R3、R4、R5和R6中的至少一个是上述式2所示的结构，且当R1至R6中确定有一个或多个为式2所示的结构后，R1、R2、R3、R4、R5和R6中其余的基团各自独立地选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的羟烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的内酯基、取代或未取代的羧基、取代或未取代的缩水甘油醚基、或者羟基；R7和R8是相同或不同的碳原子数量的烷基；R9和R10为氢或者甲基；n1和n2各自独立地为等于或大于0的自然数，n3和n4各自独立地为0或1。作为本专利技术再进一步的方案：在所述的化合物的制备方法中，所述反应的反应时间为30-40小时。本专利技术实施例的另一目的在于提供一种采用上述的化合物的制备方法制备得到的化合物。本专利技术实施例的另一目的在于提供一种光电器件封装用组合物，所述光电器件封装用组合物包括：组分A、组分B和组分C；其中，所述组分A是上述的化合物，所述组分B是一种以上具有受光以及热可固化的丙烯基化合物，所述组分C是光聚合引发剂和/或自由基聚合引发剂。作为本专利技术再进一步的方案：所述光电器件封装用组合物中各组分的重量百分含量是：所述组分A的重量百分含量为5-70％，所述组分B的重量百分含量为25-95％，所述组分C的重量百分含量为0.5-10％。作为本专利技术再进一步的方案：所述组分B为2-苯氧乙基丙烯酸、2-苯氧乙基(甲基)丙烯酸、3-苯氧基丙基丙烯酸、3-苯氧基丙基(甲基)丙烯酸、4-苯氧基丁基丙烯酸、4-苯氧基丁基(甲基)丙烯酸、5-苯氧基戊基丙烯酸、5-苯氧基戊基(甲基)丙烯酸、6-苯氧基己基丙烯酸、6-苯氧基己基(甲基)丙烯酸、7-苯氧基庚基丙烯酸、7-苯氧基庚基(甲基)丙烯酸、8-苯氧基辛基丙烯酸、8-苯氧基辛基(甲基)丙烯酸、9-苯氧基壬基丙烯酸、9-苯氧基壬基(甲基)丙烯酸、10-苯氧基癸基丙烯酸、10-苯氧基癸基(甲基)丙烯酸、2-(苯硫基)乙基丙烯酸、2-(苯硫基)乙基(甲基)丙烯酸、3-(苯硫基)丙基丙烯酸、3-(苯硫基)丙基(甲基)丙烯酸、4-(苯硫基)丁基丙烯酸、4-(苯硫基)丁基(甲基)丙烯酸、5-(苯硫基)戊基丙烯酸、5-(苯硫基)戊基(甲基)丙烯酸、6-(苯硫基)己基丙烯酸、6-(苯硫基)己基(甲基)丙烯酸、7-(苯硫基)庚基丙烯酸、7-(苯硫基)庚基(甲基)丙烯酸、8-(苯硫基)辛基丙烯酸、8-(苯硫基)辛基(甲基)丙烯酸、9-(苯硫基)壬基丙烯酸、9-(苯硫基)壬基(甲基)丙烯酸、10-(苯硫基)癸基丙烯酸、10-(苯硫基)癸基(甲基)丙烯酸、2-(萘-2-基氧基)乙基丙烯酸、2-(萘-2-基氧基)乙基(甲基)丙烯酸、3-(萘-2-基氧基)丙基丙烯酸、3-(萘-2-基氧基)丙基(甲基)丙烯酸、4-(萘-2-基氧基)丁基丙烯酸、4-(萘-2-基氧基)丁基(甲基)丙烯酸、5-(萘-2-基氧基)戊基丙烯酸、5-(萘-2-基氧基)戊基(甲基)丙烯酸、6-(萘-2-基氧基)己基丙烯酸、6-(萘-2-基氧基)己基(甲本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种化合物，其结构如式1所示：/n
【技术特征摘要】
1.一种化合物，其结构如式1所示：
其中
R1、R2、R3、R4、R5和R6中的至少一个是式2所示的结构：
且R1、R2、R3、R4、R5和R6中其余的基团各自独立地选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的羟烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的内酯基、取代或未取代的羧基、取代或未取代的缩水甘油醚基、或者羟基；
R7和R8是相同或不同的碳原子数量的烷基；R9和R10为氢或者甲基；n1和n2各自独立地为等于或大于0的自然数，n3和n4各自独立地为0或1，n5为0或1或2或3或4或5；
所述式2所示的结构中，R11是相同或不同的碳原子数量为1至10的烷基；R12是氢或者甲基；n6为等于或大于0的自然数，n7为0或1；*为结合位点。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R1、R2、R3、R4、R5和R6中的至少一个是所述式2所示的结构，且R1、R2、R3、R4、R5和R6中其余的基团各自独立地选自取代或未取代的C1-C10烷基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C1-C10羟烷基、取代的或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C2-C20杂芳基、取代或未取代的C2-C10链烯基、取代或未取代的C1-C10烷氧基、取代或未取代的内酯基、取代或未取代的羧基、取代或未取代的缩水甘油醚基、或者羟基；所述R7和R8是相同或不同的碳原子数量为1-10的烷基。
3.一种如权利要求1-2任一所述的化合物的制备方法，其特征在于，所述的化合物的制备方法包括以下步骤：
1)提供如式3表示的原料X：
【专利技术属性】
技术研发人员：尹恩心，于哲，姜晓晨，杜磊，赵阔，马晓宇，王辉，
申请(专利权)人：吉林奥来德光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22
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