【技术实现步骤摘要】
一种用于多尺寸靶材的热校正平台
本技术属于靶材校正
,具体涉及一种用于多尺寸靶材的热校正平台。
技术介绍
磁空溅射过程中,靶材作为溅射源,在电子、氩原子轰击下溅射出大量的靶材原子,靶材原子沉积在基片上,已达到镀膜的目的。但是,由于靶材的热胀冷缩效应致使靶材在绑定完成后易发生不同程度的变形,导致靶材的溅射面不平整,影响溅射过程中基片上膜层的质量。因此,靶材在作为溅射源之前需要对其进行校正,以使其具有合适的平整度。目前传统的靶材校正设备不能够同时校正多块靶材,不能够满足即可以校正长条靶,也可以校正一体式宽靶的要求,生产效率低。公告号为CN203972531的专利公开了一种热喷涂旋转靶材基管校直装置,包括安装在工作台上的导轨,其特征是:所述导轨内设有两个V型块支座,V型块支座的底端与导轨相配合、可沿导轨滑动,V型块支座的顶端设有V型块,V型块的V型槽中放置待校基管,待校靶材的两端分别设置主动回转中心和从动回转中心,待校基管的上方设有液压冲头,待校基管的下方设有数字千分表。该装置用于旋转靶材,校正时,需要将靶材两端固定 ...
【技术保护点】
1.一种用于多尺寸靶材的热校正平台,包括放置靶材的校正平台和作用于靶材上的若干C型夹具,其特征在于,所述的校正平台包括校正基台(2)及位于校正基台(2)下方并与其固定连接的支撑架(1),所述的校正基台(2)的两端端处分别开设有若干U型开槽(4),所述的校正基台(2)上设置至少一个与U型开槽(4)相垂直的支撑板(3),所述的校正基台(2)的两端分别对称活动设置有若干垫块(5),所述的垫块(5)的高度小于支撑板(3)的高度,所述的垫块(5)位于U型开槽(4)的一侧或者两侧。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于多尺寸靶材的热校正平台,包括放置靶材的校正平台和作用于靶材上的若干C型夹具,其特征在于,所述的校正平台包括校正基台(2)及位于校正基台(2)下方并与其固定连接的支撑架(1),所述的校正基台(2)的两端端处分别开设有若干U型开槽(4),所述的校正基台(2)上设置至少一个与U型开槽(4)相垂直的支撑板(3),所述的校正基台(2)的两端分别对称活动设置有若干垫块(5),所述的垫块(5)的高度小于支撑板(3)的高度,所述的垫块(5)位于U型开槽(4)的一侧或者两侧。
2.根据权利要求1所述用于多尺寸靶材的热校正平台,其特征在于,所述的校正基台(2)的两个端处分别对称设置若干U型开槽(4)。
3.根据权利要求1所述用于多尺寸靶材的热校正平台,其特征在于,多个所述的相邻U型开槽(4)之间的间距大于等于待校正靶材的宽度。
4.根据权利要求1所述用于多尺寸靶材...
【专利技术属性】
技术研发人员:高建杰,念雯雯,孟红波,李金龙,
申请(专利权)人:洛阳丰联科绑定技术有限公司,
类型:新型
国别省市:河南;41
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