低EMI常通型SiCJFET的驱动电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，包括驱动电流调节电路、驱动电压钳位模块、驱动功率管Q2、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1；驱动功率管Q2的漏极接常通型SiCJFET功率管Q1的源极，驱动功率管Q2的源极接SiCJFET功率管Q1的栅极并接地；驱动功率管Q2的栅极接驱动电压vDrv；驱动电流调节电路110接开关信号In，驱动电流调节电路110的电流输出端接驱动功率管Q2的栅极；驱动电压钳位模块140接驱动功率管Q2的栅极；反相器INV1的输入端接开关信号In，输出端接驱动电压关断功率管Q3的栅极，Q3的源极接地，漏极接驱动功率管Q2的栅极；本实用新型专利技术实现一种低损耗、低EMI的常通型SiC JFET驱动电路。

Driving circuit of low EMI normal pass sicjfet

【技术实现步骤摘要】
低EMI常通型SiCJFET的驱动电路
本技术属于集成电路领域，尤其是一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路。
技术介绍
由于SiCMOS管具有热导率高、通态电阻低、开关速度快等性能优势，非常适用于高温、高效、高频场合。SiC功率器件有常通型和常断型两种类型。相比常通型SiCJFET，常断型SiCJFET功率器件的通态电阻较大。因此常通型SiCJFET有着非常广泛的应用。常通型SiCJFET通常与低压MOS级联，构成Cascode结构，由低压MOS的开关来控制常通型SiCJFET的导通与关断。这种Cascode的源极驱动方式速度较快，可以满足高频场合，但是这种Cascode结构对低压MOS的驱动方式有较高要求，驱动速度过快EMI差，驱动速度过慢损耗增加。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中存在的不足，提出一种能够实现低损耗、低EMI的常通型SiCJFET驱动电路。本技术采用的技术方案是：一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，包括驱动电流调节电路、驱动电压钳位模块、驱动功率管Q2、驱动电压关本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，其特征在于，包括驱动电流调节电路(110)、驱动电压钳位模块(140)、驱动功率管Q2、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1；/n驱动功率管Q2的漏极接常通型SiCJFET功率管Q1的源极，驱动功率管Q2的源极接SiCJFET功率管Q1的栅极并接地；驱动功率管Q2的栅极接驱动电压vDrv；/n驱动电流调节电路(110)接开关信号In，驱动电流调节电路(110)的电流输出端接驱动功率管Q2的栅极；驱动电压钳位模块(140)接驱动功率管Q2的栅极；反相器INV1的输入端接开关信号In，输出端接驱动电压关断功率管Q3的栅极，Q3的源极接地，漏极接驱动...

【技术特征摘要】
1.一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，其特征在于，包括驱动电流调节电路(110)、驱动电压钳位模块(140)、驱动功率管Q2、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1；
驱动功率管Q2的漏极接常通型SiCJFET功率管Q1的源极，驱动功率管Q2的源极接SiCJFET功率管Q1的栅极并接地；驱动功率管Q2的栅极接驱动电压vDrv；
驱动电流调节电路(110)接开关信号In，驱动电流调节电路(110)的电流输出端接驱动功率管Q2的栅极；驱动电压钳位模块(140)接驱动功率管Q2的栅极；反相器INV1的输入端接开关信号In，输出端接驱动电压关断功率管Q3的栅极，Q3的源极接地，漏极接驱动功率管Q2的栅极；
驱动电压vDrv通过驱动电流调节电路(110)、驱动电压钳位模块(140)、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1产生；
驱动电流调节电路(110)实时检测驱动电压vDrv，并根据驱动电压vDrv的高低，实时调节驱动电流iDrv的大小。


2.如权利要求1所述的低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，其特征在于，
Q2和Q3为NMOS管。


3.如权利要求1所述的低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，其特征在于，
驱动电流调节电路(110)，包括PMOS型偏置电流源PB1、PB2、PB3，NMOS型电流镜Ncm1、Ncm2、Ncm3、Ncm4，PMOS型电流镜Pcm1、Pcm2，NMOS型开关Nsw1、Nsw2、Nsw3、Nsw4，电阻R1、R2、R3、R4，上拉电阻Rup，反相器INV3，NMOS型电流调节开关N1、N2以及电平转换电路(310)；
偏置电流源PB1、PB2、PB3的栅极相接，并接偏置电压VBIAS1，PB1、PB2、PB3的源极相接；偏置电流源PB1...

【专利技术属性】
技术研发人员：励晔，黄飞明，赵文遐，贺洁，朱勤为，
申请(专利权)人：无锡硅动力微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32