用于碳化硅外延生长的石墨基座制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，包括基座本体以及嵌块，基座本体顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽，片槽的侧壁上开设有连通片槽与基座本体外部空间的凹槽；片槽的侧壁用于与碳化硅衬底侧壁的弧形部相接，嵌块嵌设于凹槽内；嵌块与基座本体可拆卸连接；嵌块的内侧壁用于与碳化硅衬底侧壁的参考面部相接，清理用于碳化硅外延生长的石墨基座表面碳化硅层时，将嵌块和基座本体分开清理。本实用新型专利技术提供的用于碳化硅外延生长的石墨基座，作业人员清理该用于碳化硅外延生长的石墨基座的过程中不易对该用于碳化硅外延生长的石墨基座造成损伤，延长了使用寿命。

Graphite base for silicon carbide epitaxial growth

【技术实现步骤摘要】
用于碳化硅外延生长的石墨基座
本技术属于半导体制造领域，更具体地说，是涉及一种用于碳化硅外延生长的石墨基座。
技术介绍
碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料之一，具有高热导率、高临界击穿电场、高电子迁移率以及高稳定性等优良性能，是制作高温、高频、大功率和强辐射电力电子器件的理想半导体材料。碳化硅衬底的侧壁包括弧度部和与弧形部首尾相接围成封闭曲线的参考面部。外延生长是指在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段。目前，通常采用化学气相沉积的方法，在1550℃-1650℃高温下生长碳化硅同质外延片。在外延生长过程中会在石墨基座的凹槽侧壁附着碳化硅层，沉积一定的厚度后，石墨基座的凹槽便会小于硅晶片的大小，缩短了石墨基座的使用寿命，增加了碳化硅同质外延片的制备成本。因此，需要定时对石墨基座进行清理。但是作业人员清除石墨基座上附着的碳化硅层时，容易对石墨基座造成损伤，目前暂无有效的方法在不损伤石墨基座的前提下将附着的碳化硅层完全去除。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，旨在解决现有技术中暂无有效的方法在不损伤石墨基座的前提下将附着的碳化硅层完全去除的技术问题。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：提供一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，包括：基座本体，顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽，所述片槽的侧壁上开设有连通所述片槽与所述基座本体外部空间的凹槽；所述片槽的侧壁用于与所述碳化硅衬底侧壁的弧形部相接；以及嵌块，嵌设于所述凹槽内；所述嵌块与所述基座本体可拆卸连接；所述嵌块的内侧壁用于与所述碳化硅衬底侧壁的参考面部相接；清理用于碳化硅外延生长的石墨基座表面碳化硅层时，将所述嵌块和所述基座本体分开清理。作为本申请另一实施例，所述凹槽的底部设有开口朝上、与所述凹槽连通的安装槽；所述嵌块的底面上设有用于与所述安装槽插接配合的插接柱。作为本申请另一实施例，所述安装槽和所述插接柱分别设有多个，且两者数量相等。作为本申请另一实施例，所述嵌块的顶面、所述基座本体的顶面及片槽的底面和侧壁涂覆有保护层。作为本申请另一实施例，所述嵌块嵌设于所述凹槽内时，所述嵌块的顶面与所述基座本体顶面齐平。作为本申请另一实施例，所述嵌块的厚度等于所述凹槽的厚度。作为本申请另一实施例，所述嵌块的外侧壁上设有抬升板。作为本申请另一实施例，所述抬升板与所述嵌块转动连接。作为本申请另一实施例，所述基座本体与所述嵌块均由等静压石墨制成。本技术实施例提供的用于碳化硅外延生长的石墨基座的有益效果在于：与现有技术相比，本技术实施例提供的用于碳化硅外延生长的石墨基座，将用于碳化硅外延生长的石墨基座设置为了嵌块与基座本体相组合的分体式结构，嵌块与基座本体可拆卸连接，作业人员清理该用于碳化硅外延生长的石墨基座时，能分别对基座本体和嵌块进行清理，从而大大降低了用于碳化硅外延生长的石墨基座清理难度，且降低了清理该用于碳化硅外延生长的石墨基座的过程中对石墨基座造成损伤的风险，提高了该用于碳化硅外延生长的石墨基座的使用寿命；嵌块与基座本体可以根据具体情况，单独更换，降低了制作碳化硅外延晶片的制作成本。附图说明图1为本技术实施例所采用的碳化硅衬底的结构示意图；图2为本技术一实施例提供的用于碳化硅外延生长的石墨基座的立体结构示意图；图3为图2所采用的基座本体与嵌块处于分离状态的立体结构示意图一；图4为图2所采用的基座本体与嵌块处于分离状态的立体结构示意图二；图5为图2所采用的基座本体的剖视结构示意图；图6为本技术另一实施例提供的用于碳化硅外延生长的石墨基座的立体结构示意图。图中，1、基座本体；2、片槽；3、凹槽；4、嵌块；41、插接柱；42、抬升板；5、安装槽；6、保护层；7、弧形部；8、参考面部。具体实施方式为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请一并参阅图2至图5，现对本技术实施例提供的用于碳化硅外延生长的石墨基座进行说明。所述用于碳化硅外延生长的石墨基座，包括基座本体1以及嵌块4，基座本体1顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽2，片槽2的侧壁上开设有连通片槽2与基座本体1外部空间的凹槽3，片槽2的侧壁用于与碳化硅衬底侧壁的弧形部相接。嵌块4嵌设于凹槽3内，嵌块4与基座本体1可拆卸连接，嵌块4的内侧壁用于与碳化硅衬底侧壁的参考面部相接。清理用于碳化硅外延生长的石墨基座表面碳化硅层时，将嵌块4和基座本体1分开清理。需要理解的是，术语“上”指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。为便于描述，以下将部分用于碳化硅外延生长的石墨基座简化为石墨基座，即下文中出现的“用于碳化硅外延生长的石墨基座”和“石墨基座”均指“用于碳化硅外延生长的石墨基座”。现有技术中，用于碳化硅外延生长的石墨基座一般采用一体成型结构，侧壁包括弧形部和与弧形部首尾相接围成封闭曲线的平直部，弧形部用于与碳化硅衬底侧壁的弧形部7相贴合，平直部用于与碳化硅衬底侧壁的参考面部8相贴合。因此，石墨基座侧壁的弧形部和平直部连接处有一定折角，清理时极难清理，同时清理时易对该折角部分造成损伤。对该用于碳化硅外延生长的石墨基座进行清理时，先将嵌块4与基座本体1分离，然后用清理工具分别对片槽2的侧壁和嵌块4上附着的碳化硅层进行清理，清理作业完成后，再将嵌块4嵌设于凹槽3内，使得该用于碳化硅外延生长的石墨基座能继续被使用。本技术提供的用于碳化硅外延生长的石墨基座，与现有技术相比，将用于碳化硅外延生长的石墨基座设置为了嵌块4与基座本体1相组合的分体式结构，嵌块4与基座本体1可拆卸连接，作业人员清理该用于碳化硅外延生长的石墨基座时，能分别对基座本体1和嵌块4进行清理，从而大大降低了用于碳化硅外延生长的石墨基座清理难度，且降低了清理该用于碳化硅外延生长的石墨基座的过程中对石墨基座造成损伤的风险，提高了该用于碳化硅外延生长的石墨基座的使用寿命；嵌块4与基座本体1可以根据具体情况，单独更换，降低了制作碳化硅外延晶片的制作成本。作为本技术提供的用于碳化硅外延生长的石墨基座的一种具体实施方式，基座本体1与嵌块4均由等静压石墨制成，具有良好的导热性，有效的减少了反应过程所需的时间。请一并参阅图3与图4，作为本技术提供的用于碳化硅外延生长的石墨基座的一种具体实施方式，凹槽3的底面设有开口朝上、与凹槽3连通的安装槽5；嵌块4的底面上设有与安装槽5插接配合的插接柱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于，包括：/n基座本体，顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽，所述片槽的侧壁上开设有连通所述片槽与所述基座本体外部空间的凹槽；所述片槽的侧壁用于与所述碳化硅衬底侧壁的弧形部相接；以及/n嵌块，嵌设于所述凹槽内；所述嵌块与所述基座本体可拆卸连接；所述嵌块的内侧壁用于与所述碳化硅衬底侧壁的参考面部相接；/n清理用于碳化硅外延生长的石墨基座表面碳化硅层时，将所述嵌块和所述基座本体分开清理。/n

【技术特征摘要】
1.用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于，包括：
基座本体，顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽，所述片槽的侧壁上开设有连通所述片槽与所述基座本体外部空间的凹槽；所述片槽的侧壁用于与所述碳化硅衬底侧壁的弧形部相接；以及
嵌块，嵌设于所述凹槽内；所述嵌块与所述基座本体可拆卸连接；所述嵌块的内侧壁用于与所述碳化硅衬底侧壁的参考面部相接；
清理用于碳化硅外延生长的石墨基座表面碳化硅层时，将所述嵌块和所述基座本体分开清理。


2.如权利要求1所述的用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：所述凹槽的底部设有开口朝上、与所述凹槽连通的安装槽；所述嵌块的底面上设有用于与所述安装槽插接配合的插接柱。


3.如权利要求2所述的用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：所述安装槽和所述插接柱分别设有多个，且两者数量相等。

【专利技术属性】
技术研发人员：杨龙，赵丽霞，吴会旺，李伟峰，陈秉克，
申请(专利权)人：河北普兴电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13