用于碳化硅外延生长的石墨基座制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，包括基座本体以及嵌块，基座本体顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽，片槽的侧壁上开设有连通片槽与基座本体外部空间的凹槽；片槽的侧壁用于与碳化硅衬底侧壁的弧形部相接，嵌块嵌设于凹槽内；嵌块与基座本体可拆卸连接；嵌块的内侧壁用于与碳化硅衬底侧壁的参考面部相接，清理用于碳化硅外延生长的石墨基座表面碳化硅层时，将嵌块和基座本体分开清理。本实用新型专利技术提供的用于碳化硅外延生长的石墨基座，作业人员清理该用于碳化硅外延生长的石墨基座的过程中不易对该用于碳化硅外延生长的石墨基座造成损伤，延长了使用寿命。

Graphite base for silicon carbide epitaxial growth

【技术实现步骤摘要】
用于碳化硅外延生长的石墨基座
本技术属于半导体制造领域，更具体地说，是涉及一种用于碳化硅外延生长的石墨基座。
技术介绍
碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料之一，具有高热导率、高临界击穿电场、高电子迁移率以及高稳定性等优良性能，是制作高温、高频、大功率和强辐射电力电子器件的理想半导体材料。碳化硅衬底的侧壁包括弧度部和与弧形部首尾相接围成封闭曲线的参考面部。外延生长是指在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段。目前，通常采用化学气相沉积的方法，在1550℃-1650℃高温下生长碳化硅同质外延片。在外延生长过程中会在石墨基座的凹槽侧壁附着碳化硅层，沉积一定的厚度后，石墨基座的凹槽便会小于硅晶片的大小，缩短了石墨基座的使用寿命，增加了碳化硅同质外延片的制备成本。因此，需要定时对石墨基座进行清理。但是作业人员清除石墨基座上附着的碳化硅层时，容易对石墨基座造成损伤，目前暂无有效的方法在不损伤石墨基座的前提下将附着的碳化硅层完全去除。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于碳化硅外延生长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于，包括：/n基座本体，顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽，所述片槽的侧壁上开设有连通所述片槽与所述基座本体外部空间的凹槽；所述片槽的侧壁用于与所述碳化硅衬底侧壁的弧形部相接；以及/n嵌块，嵌设于所述凹槽内；所述嵌块与所述基座本体可拆卸连接；所述嵌块的内侧壁用于与所述碳化硅衬底侧壁的参考面部相接；/n清理用于碳化硅外延生长的石墨基座表面碳化硅层时，将所述嵌块和所述基座本体分开清理。/n

【技术特征摘要】
1.用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于，包括：
基座本体，顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽，所述片槽的侧壁上开设有连通所述片槽与所述基座本体外部空间的凹槽；所述片槽的侧壁用于与所述碳化硅衬底侧壁的弧形部相接；以及
嵌块，嵌设于所述凹槽内；所述嵌块与所述基座本体可拆卸连接；所述嵌块的内侧壁用于与所述碳化硅衬底侧壁的参考面部相接；
清理用于碳化硅外延生长的石墨基座表面碳化硅层时，将所述嵌块和所述基座本体分开清理。


2.如权利要求1所述的用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：所述凹槽的底部设有开口朝上、与所述凹槽连通的安装槽；所述嵌块的底面上设有用于与所述安装槽插接配合的插接柱。


3.如权利要求2所述的用于碳化硅外延生长的石墨基座，其特征在于：所述安装槽和所述插接柱分别设有多个，且两者数量相等。

【专利技术属性】
技术研发人员：杨龙，赵丽霞，吴会旺，李伟峰，陈秉克，
申请(专利权)人：河北普兴电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13