一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法技术

本发明专利技术提供了一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，包括步骤：A.制备SiC凝胶溶胶；B.把SiC凝胶溶胶装入喷机中预热至150℃～250℃；C.将SiC凝胶溶胶喷射到石墨载盘所有表面并自然干燥24小时；D.将石墨载盘装入烧结炉中在1600℃～1800℃、压力550托～650托、氢气环境中烧结2小时，然后自然冷却到室温；E.将石墨载盘表面的SiC涂层进行整形、打磨；F.按预设次数重复执行步骤B～E。该方法制得的SiC涂层的抗热震能力强、使用寿命长，且制备成本低。

A coating preparation method for the carrier of silicon carbide epitaxial growth equipment

【技术实现步骤摘要】
一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法
本专利技术涉及涂层制备
，尤其涉及一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法。
技术介绍
碳化硅外延生长是指在碳化硅衬底上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段。生长外延层的方法有多种，其中最常用的是气相外延工艺，具体是把衬底放在反应室内加热，并通入含硅反应气体进行高温反应，使含硅反应气体还原或热分解，所产生的硅原子在衬底片表面上外延生长。一般的碳化硅外延生长设备中，在进行外延生长过程中，衬底片通常是放置在石墨载盘上的，为了提高外延生长环境的洁净程度，避免石墨载盘自身在高温环境下析出杂质元素，需要用涂层将石墨载盘覆盖。现有的石墨载盘上一般是涂覆TaC涂层的，虽然其具有耐高温且稳定的优点，但是需要使用专用的涂层制备设备导致制备成本高，且制备周期长；另外，TaC涂层与石墨载盘结合不够牢固，抗热震能力不高，容易在热循环中脱落。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，其特征在于，包括步骤：/nA.制备SiC凝胶溶胶；/nB.把SiC凝胶溶胶装入喷机中预热至150℃～250℃；/nC.将SiC凝胶溶胶喷射到石墨载盘所有表面并自然干燥24小时；/nD.将石墨载盘装入烧结炉中在1600℃～1800℃、压力550托～650托、氢气环境中烧结2小时，然后自然冷却到室温；/nE.将石墨载盘表面的SiC涂层进行整形、打磨；/nF.按预设次数重复执行步骤B～E。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，其特征在于，包括步骤：
A.制备SiC凝胶溶胶；
B.把SiC凝胶溶胶装入喷机中预热至150℃～250℃；
C.将SiC凝胶溶胶喷射到石墨载盘所有表面并自然干燥24小时；
D.将石墨载盘装入烧结炉中在1600℃～1800℃、压力550托～650托、氢气环境中烧结2小时，然后自然冷却到室温；
E.将石墨载盘表面的SiC涂层进行整形、打磨；
F.按预设次数重复执行步骤B～E。


2.根据权利要求1所述的用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，其特征在于，所述SiC凝胶溶胶的粒径为10μm～20μm。


3.根据权利要求1所述的用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，其特征在于，SiC凝胶溶胶在喷机中预热至200℃。


4.根据权利要求1所述的用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，其特征在于，步骤C中，SiC凝胶溶胶的喷射速度为3m/s。


5.根据权利要求1所述的用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡强，胡琅，冯杰，徐平，侯立涛，方威，黄星星，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：广东;44