一种生长金刚石单晶用样品托及金刚石单晶生长方法技术

本发明专利技术涉及晶体合成技术领域，具体涉及一种生长金刚石单晶用样品托及金刚石单晶生长方法，本发明专利技术的样品托包括外托和内托，外托设有用于容置内托的凹槽，凹槽设有内螺纹，内托设有与内螺纹相匹配的外螺纹，内托置于凹槽时，可经外螺纹和内螺纹调节内托相对外托的位置，本发明专利技术通过拧动外螺纹拧入内螺纹的位置，实现内托相对外托的位置调整，以维持内托上面的温度，从而更好地满足金刚石单晶的生长温度，有效抑制多晶生成；本发明专利技术的生长方法，通过采用高度可调节的样品托，有利于防止在MPCVD法生长一定厚度金刚石单晶时，多晶的生成，可通过多次、长时间生长，得到大厚度、高质量及均匀性好的单晶金刚石。

A sample holder for growing diamond single crystal and a method for growing diamond single crystal

【技术实现步骤摘要】
一种生长金刚石单晶用样品托及金刚石单晶生长方法
本专利技术涉及晶体合成
，特别是涉及一种生长金刚石单晶用样品托及金刚石单晶生长方法。
技术介绍
金刚石具有高硬度、高热导率、耐酸碱腐蚀和超宽禁带等优异的物理、化学及电学性能，在机械、半导体和饰品等领域均有重要的应用价值。天然金刚石在自然界中储量小，价格昂贵，且具有质量不均匀、尺寸小等问题，因此，为了获得大面积、稳定、均匀、低成本、高质量的金刚石，必须发展金刚石的人工合成技术。目前人工合成金刚石的方法主要有高温高压(HPHT)法和化学气相沉积(CVD)法，在各种CVD金刚石制备方法中，微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法以其具有等离子体功率密度高、无电极放电污染和性能稳定等特性，成为制备高品质金刚石的首选方法。采用MPCVD法进行金刚石单晶同质外延生长时，为了让金刚石样品在生长过程中的温度保持稳定，需要保证样品托、金刚石样品和等离子体之间具有稳定的热交换，以目前最常用的CornesSekiSDS系列MPCVD设备为例，样品托与带有冷却水循环系统的钼制样品台直接接触，金刚石单晶籽晶放本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种生长金刚石单晶用样品托，其特征在于，包括外托和内托，外托设有用于容置内托的凹槽，内托匹配凹槽的大小设置，凹槽设有内螺纹，内托设有与内螺纹相匹配的外螺纹，内托设有用于放置金刚石样品的容置槽，内托置于凹槽时，可经外螺纹和内螺纹调节内托相对外托的位置。/n

【技术特征摘要】
1.一种生长金刚石单晶用样品托，其特征在于，包括外托和内托，外托设有用于容置内托的凹槽，内托匹配凹槽的大小设置，凹槽设有内螺纹，内托设有与内螺纹相匹配的外螺纹，内托设有用于放置金刚石样品的容置槽，内托置于凹槽时，可经外螺纹和内螺纹调节内托相对外托的位置。


2.根据权利要求1所述的一种生长金刚石单晶用样品托，其特征在于，还包括调节单元，调节单元设有连接杆，凹槽底部设有用于连接杆穿过的通孔，连接杆可伸入通孔并与内托底端连接。


3.根据权利要求1所述的一种生长金刚石单晶用样品托，其特征在于，凹槽设为圆柱形凹槽，内托匹配凹槽设为内径相同的圆柱形。


4.根据权利要求1所述的一种生长金刚石单晶用样品托，其特征在于，容置槽设为长方体型。


5.根据权利要求1所述的一种生长金刚石单晶用样品托，其特征在于，内螺纹和外螺纹的螺距和牙型均设为相同，通过外螺纹拧入内螺纹的位置，可无级地调节内托相对外托的位置。


6.根据权利要求1所述的一种生长金刚石单晶用样品托，其特征在于，凹槽设有若干个，若干个凹槽的大小设为...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁雄傑，王忠强，王琦，张国义，
申请(专利权)人：北京大学东莞光电研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44