细胞培养基制造技术

技术编号:24133125 阅读:32 留言:0更新日期:2020-05-13 07:05
本发明专利技术涉及用于培养细胞(例如上皮细胞,特别是角质形成细胞)的不包含霍乱毒素的生长培养基、所述培养基用于生长细胞(例如上皮细胞,例如角质形成细胞)的用途和包含所述培养基的试剂盒。还提供了一种生成人全层皮肤、全人表皮或全人真皮的方法,该方法涉及在所述细胞培养基中培养角质形成细胞和饲养细胞。

Cell culture medium

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】细胞培养基本专利技术涉及用于培养细胞(例如上皮细胞,特别是角质形成细胞)的生长培养基、该培养基用来生长细胞(例如上皮细胞,例如角质形成细胞)的用途、以及包含该培养基的试剂盒。专利技术背景包含表皮的工程化组织(例如在体外生长的)具有广泛的用途。这种组织被用于具有烧伤或慢性伤口的患者的皮肤移植物中,或用于药物、化妆品和其他局部产品的开发和测试中。分化形成表皮的角质形成细胞需要与成纤维细胞的饲养细胞共培养。在皮肤移植物的生产中,角质形成细胞通常与Green培养基(Green’smedium)和经辐照的异种小鼠胚胎饲养细胞(MEF)一起生长。未经辐照的小鼠饲养细胞的生长超过了角质形成细胞,并淹没培养物。因此,辐照饲养细胞以停止或减慢其复制。Green培养基是包括以下成分的复杂混合物:Dulbecco的改进的Eagles培养基(Dulbecco'sModifiedEagleMedium,DMEM)包含氯化钙、硝酸铁、硫酸镁、氯化钾、碳酸氢钠、氯化钠、磷酸二氢钠(无水)、L-精氨酸·HCl、L-半胱氨酸·HCl、甘氨酸、L-组氨酸·HCl·H2O、L本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种细胞培养基,其由以下成分组成:DMEM、Ham's F12、血清、一种或多种抗生素和/或抗真菌剂、角质形成细胞生长因子(KGF)和任选的角质形成细胞生长促进因子,其中的因子不是霍乱毒素。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170930 GB 1715930.21.一种细胞培养基,其由以下成分组成:DMEM、Ham'sF12、血清、一种或多种抗生素和/或抗真菌剂、角质形成细胞生长因子(KGF)和任选的角质形成细胞生长促进因子,其中的因子不是霍乱毒素。


2.根据权利要求1的细胞培养基,其中DMEM是高葡萄糖。


3.根据权利要求1或2的细胞培养基,其中所述血清是哺乳动物的,例如胎牛血清。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的细胞培养基,其中所述血清以5至15%的浓度存在,例如5%、6%、7%、8%、9%、10%、11%、12%、13%、14%或15%,特别是10%。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的细胞培养基,其中,至少一种成分是抗生素(例如1、2或3种抗生素)。


6.根据权利要求5所述的细胞培养基,其中,所述抗生素独立地选自青霉素、链霉素、氨苄青霉素、阿莫西林、羧苄青霉素、头孢噻肟、庆大霉素、卡那霉素、新霉素、多粘菌素、杀稻瘟素、遗传霉素、潮霉素B、霉酚酸、嘌呤霉素、博莱霉素和其两种或更多种的组合。


7.根据权利要求5或6所述的细胞培养基,其中所述抗生素为庆大霉素。


8.根据段落5至7中任一项的细胞培养基,其中所述抗生素是青霉素。


9.根据权利要求5至8中任一项所述的细胞培养物,其中,所述抗生素是链霉素。


10.根据段落1至9中任一项的细胞培养基,其中一种成分是抗真菌剂。


11.根据权利要求10所述的细胞培养基,其中,所述抗真菌剂选自两性霉素B、制霉菌素、放线菌素D、磷胺霉素、霉酚酸和其两种或更多种的组合。


12.根据权利要求11所述的细胞培养基,其中,所述抗真菌剂是两性霉素B,例如其浓度为0.500至0.750μg/ml,例如0.625μg/ml。


13.根据权利要求1至12中任一项所述的细胞培养基,其中,DMEM∶Ham’sF12的比例为2.5至3.5∶1.5至0.5,例如3∶1。


14.根据权利要求1至13中任一项所述的细胞培养基,其中所述KGF的浓度在10ng/ml至30ng/ml的范围内,例如20ng/ml。


15.根据权利要求1至14中任一项所述的细胞培养基,其中,所述角质形成细胞生长促进因子是ROCK抑制剂,例如小分子ROCK抑制剂。


16.根据权利要求15所...

【专利技术属性】
技术研发人员:PR邓巴VJ菲斯特ID克尔希
申请(专利权)人:上佳生物科技有限公司
类型:发明
国别省市:新西兰;NZ

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