天线结构及终端制造技术

本发明专利技术实施例公开一种天线结构及终端，该天线结构包括：第一天线和第二天线；连接于所述第一天线和所述第二天线之间的去耦合网络，所述去耦合网络包括至少一导电型贴片，所述导电型贴片由导电材料制成，包括呈环形的本体及设置于所述本体上的缺口。

Antenna structure and terminal

【技术实现步骤摘要】
天线结构及终端
本专利技术涉及天线
，尤其涉及一种天线结构及终端。
技术介绍
随着移动通信的迅猛发展，低频段频谱资源的开发已经非常成熟，剩余的低频段频谱资源已经不能满足第五代移动通信网络(5G)时代10G比特每秒(10GBitsbitspersecond，10Gbps)的峰值速率需求，因此，未来5G系统需要在毫米波频段上需找可用的频谱资源。作为5G关键技术之一的毫米波技术已经成为目前标准组织和产业链各方研究的重点，同时对应的5G终端也在进一步加紧实现中，而5G毫米波对应的一些高方向性，空间损耗大等特点，使得目前传统的在主板两端分别设置主、分集天线的布局形式已经无法满足5G的要求，因此，终端产品会在其周围布局相应的多入多出(Multiple-InputMultiple-Output，MIMO)天线系统，但同时还需进一步兼容4G、3G的相关品频段，因此，会在终端边沿布置较多的MIMO天线及3G、4G的主、分集天线和Wifi天线。与4G终端相比，5G终端天线数量明显增多，两天线之间距离明显相距较近，且很多都是同频的MIMO天线，这必然会产生天线之间的相互干扰，影响天线辐射效果，使得终端速率明显下降。因此，如何保证两两天线之间的隔离度指标就成为5G终端天线设计合理的一个重要因素。
技术实现思路
为解决现有存在的技术问题，本专利技术实施例提供一种天线结构及终端，能够在不受限于相邻天线之间的物理尺寸的前提下，有效确保相邻天线之间的隔离度。为达到上述目的，本专利技术实施例的技术方案是这样实现的：一种天线结构，包括：第一天线和第二天线；连接于所述第一天线和所述第二天线之间的去耦合网络，所述去耦合网络包括至少一导电型贴片，所述导电型贴片由导电材料制成，包括呈环形的本体及设置于所述本体上的缺口。其中，所述去耦合网络包括至少两条去耦支路，每一去耦支路上设置有至少一所述导电型贴片，所述至少两条去耦支路并联连接分别形成第一端点和第二端点，所述第一端点与所述第一天线连接，所述第二端点与所述第二天线连接，所述去耦合网络相对于所述第一天线和所述第二天线之间的对称中心线呈对称结构。其中，所述去耦支路包括第一去耦支路和第二去耦支路，所述第一去耦支路上设置有一个所述导电型贴片，所述第二去耦支路上设置有两个所述导电型贴片。其中，所述去耦支路还包括第三去耦支路，所述第三去耦支路上设置有一个所述导电型贴片，所述第三去耦支路上的所述导电型贴片的缺口朝向与所述第一去耦支路上的所述导电型贴片的缺口朝向相反。其中，所述导电型贴片的本体的形状为如下之一：圆环形、矩形。其中，所述第一天线和所述第二天线为多入多出MIMO天线，所述第一天线包括与所述去耦合网络的一端连接的第一连接臂，所述第二天线包括与所述去耦合网络的另一端连接的第二连接臂，所述第一连接臂和所述第二连接臂由导电材料制成。其中，所述第一天线和所述第二天线分别包括馈电点，所述第一连接臂从所述第一天线的馈电点向所述去耦合网络的一端延伸形成，所述第二连接臂从所述第二天线的馈电点向所述去耦合网络的另一端延伸形成。其中，所述第一天线和所述第二天线还分别包括PCB表层的地平面、位于PCB净空区域的辐射体及馈电线，所述第一天线和所述第二天线呈对称分布。其中，所述净空区域的尺寸为10mm*40mm，所述第一天线的馈电点与所述第二天线的馈电点之间的距离为20mm。其中，所述第一天线和所述第二天线分别为如下至少一种：IFA天线、单极天线、环形天线。一种终端，包括多个天线结构，所述天线结构包括至少一个如本申请任一实施例所述的天线结构。其中，所述天线结构为四个，分别设置于所述终端的主板的四侧。上述实施例所提供的天线结构及终端，该天线结构包括连接于第一天线和第二天线之间的去耦合网络，所述去耦合网络包括至少一导电型贴片，其中导电型贴片由导电材料制成，包括呈环形的本体及设置于所述本体上的缺口，该去耦合网络形成第一天线和第二天线之间的电流耦合路径，导电型贴片的缺口使得去耦合网络的于导电型贴片的缺口的一侧与第一天线之间的部分的电流路径和于导电型贴片的缺口的另一侧与第二天线之间的部分的电流路径的电流相位相反，两部分的电流路径的耦合电流达到抵消中和，从而可以有效降低相邻天线之间的天线耦合度，在不需要增加第一天线和第二天线之间的物理尺寸的前提下，有效地提高了第一天线和第二天线之间的隔离度。附图说明图1为本专利技术一实施例中已知的终端的天线布局示意图；图2为本专利技术另一实施例中天线结构的示意图；图3为本专利技术又一实施例中天线结构的示意图；图4为本专利技术再一实施例中天线结构的示意图；图5为本专利技术一实施例中终端的天线布局示意图；图6为本专利技术一实施例中隔离度指标提升前后的对比示意图。具体实施方式以下结合说明书附图及具体实施例对本专利技术技术方案做进一步的详细阐述。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。对本专利技术实施例进行进一步详细说明之前，对本专利技术实施例中主要涉及的名词和术语进行说明，本专利技术实施例中涉及的名词和术语适用于如下的解释。1)隔离度(S12)，是指一个天线发射信号，通过另外一天线接收的信号与该发射天线信号的比值。2)输入回波损耗(S11)，是指入射功率的一部分被反射回信号源的性能的参数。3)散射系数(Scatteringparameters)，S参数即散射参数，用于评估待测物发射信号和传送信号的性能。其中，S参数主要包括输入回波损耗S11和隔离度S12。4)多入多出(MIMO)，是指在发射端和接收端分别使用多个发射天线和接收天线，使信号通过发射端与接收端的多个天线传送和接收。5)频段(band)，指的是电磁波的频率范围，单位为Hz，按照频率的大小，可以分为：甚低频(VLF)3kHz～30kHz，对应电磁波的波长为甚长波100km～10km。低频(LF)30kHz～300kHz，对应电磁波的波长为长波10km～1km。中频(MF)300kHz～3000kHz，对应电磁波的波长为中波1000m～100m。高频(HF)3MHz～30MHz，对应电磁波的波长为短波100m～10m。甚高频(VHF)30MHz～300MHz，对应电磁波的波长为米波10m～1m。特高频(UHF)300MHz～3000MHz，对应电磁波的波长为分米波100cm～10cm。超高频(SHF)3GHz～30GHz，对应电磁波的波长为厘米波10cm～1cm。极高频(EHF)30GHz～300GHz，对应电磁波的波长为毫米波10mm～1mm。至高频300GHz～3000GHz，对应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种天线结构，其特征在于，包括：/n第一天线和第二天线；/n连接于所述第一天线和所述第二天线之间的去耦合网络，所述去耦合网络包括至少一导电型贴片，所述导电型贴片由导电材料制成，包括呈环形的本体及设置于所述本体上的缺口。/n

【技术特征摘要】
1.一种天线结构，其特征在于，包括：
第一天线和第二天线；
连接于所述第一天线和所述第二天线之间的去耦合网络，所述去耦合网络包括至少一导电型贴片，所述导电型贴片由导电材料制成，包括呈环形的本体及设置于所述本体上的缺口。


2.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述去耦合网络包括至少两条去耦支路，每一去耦支路上设置有至少一所述导电型贴片，所述至少两条去耦支路并联连接分别形成第一端点和第二端点，所述第一端点与所述第一天线连接，所述第二端点与所述第二天线连接，所述去耦合网络相对于所述第一天线和所述第二天线之间的对称中心线呈对称状态。


3.如权利要求2所述的天线结构，其特征在于，所述去耦支路包括第一去耦支路和第二去耦支路，所述第一去耦支路上设置有一个所述导电型贴片，所述第二去耦支路上设置有两个所述导电型贴片。


4.如权利要求3所述的天线结构，其特征在于，所述去耦支路还包括第三去耦支路，所述第三去耦支路上设置有一个所述导电型贴片，所述第三去耦支路上的所述导电型贴片的缺口朝向与所述第一去耦支路上的所述导电型贴片的缺口朝向相反。


5.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述导电型贴片的本体的形状为如下之一：圆环形、矩形。


6.如权利要求1至5中任一项所述的天线结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44