【技术实现步骤摘要】
电子装置
本申请是关于一种电子装置，特别是关于一种具有至少一个双栅极薄膜晶体管(DGTFT)的电子装置，其中双栅极薄膜晶体管的金属层电性连接至透明导电层。
技术介绍
在电子装置中，例如光感测装置，多个双栅极型晶体管(例如：双闸及薄膜晶体管(doublegatethin-filmtransistor；DGTFT))以阵列布置以感测光或影像(例如：指纹图案)。在双栅极型晶体管的已知结构中，透明电极材料被用作上栅极(topgate)电极以将光发射到半导体层。然而，近代的光感测装置需要高电压电位解析度(highvoltagelevelresolution)和更准确的识别。这种上栅极电极可能具有高电压电位电阻，并且可能导致光感测装置的每个影像感测区中的电路操作延迟和影像数据的变化。另外，影像感测区不仅可以通过从物体所反射的光来曝光，还可以通过来自其他方向的杂散光来曝光。此外，当影像感测区中的每个像素的双栅极型晶体管的特性有相应的变化时，也可能导致数据变化。使用双栅极型晶体管的已知光感测装置输出模拟数据，因此很容易受到这些变化的
【技术保护点】
1.一种电子装置，其特征在于包括多个双栅极薄膜晶体管(DGTFT)，其中上述双栅极薄膜晶体管包括一第一双栅极薄膜晶体管，上述第一双栅极薄膜晶体管包括：/n一基板；/n一第一透明导电层，被设置在上述基板上方；以及/n一第一金属层，对应于上述第一透明导电层设置，其中上述第一金属层电性连接至上述第一透明导电层。/n
【技术特征摘要】
20181030 US 16/174,9781.一种电子装置，其特征在于包括多个双栅极薄膜晶体管(DGTFT)，其中上述双栅极薄膜晶体管包括一第一双栅极薄膜晶体管，上述第一双栅极薄膜晶体管包括：
一基板；
一第一透明导电层，被设置在上述基板上方；以及
一第一金属层，对应于上述第一透明导电层设置，其中上述第一金属层电性连接至上述第一透明导电层。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于上述第一双栅极薄膜晶体管更包括：
一通道层，对应于上述第一透明导电层设置，其中上述第一金属层延伸超过上述通道层的至少一边界。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于上述第一双栅极薄膜晶体管更包括：
一绝缘层，具有一开口，且该开口暴露上述第一透明导电层的一部分。
4.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于上述第一金属层在上述开口中更加延伸以形成一开口区。
5.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于更包括：
一不透明材料层，设置在上述第一透明导电层上方，其中在俯视上述...
【专利技术属性】
技术研发人员：柴田淳也，稲田利彌，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。