【技术实现步骤摘要】
一种可调控的室温石墨烯太赫兹探测器
本专利涉及一种可调控的室温石墨烯太赫兹探测器及其制备方法，具体指将石墨烯材料和平面开口环天线相结合制备场效应管器件，利用石墨烯零带隙，载流子迁移率高的特点实现快速响应，利用平面开口环天线实现太赫兹电场的高效耦合，进而实现高响应率。器件的原理是：在太赫兹光照下，石墨烯内载流子的浓度和速度受到太赫兹电场的调控，发生分布式电阻自混频，产生直流响应信号。该探测器具有高速、宽频和高响应率等特点，可实现源漏偏压和栅压的双重调控，为实现室温太赫兹探测器大规模应用奠定基础。
技术介绍
太赫兹波是频率范围介于0.1THz到10THz内的电磁波，其波长对应于3毫米到30微米，光子对应能量的特征值是4毫电子伏特。该能量范围与分子的振动能和转动能相匹配，远小于一般半导体的能隙，在传播、散射和吸收等方面表现出与微波、红外和可见光不同的特征，为信息的传输、物质材料的表征和操控提供了很大的自由空间。太赫兹波段位于电子学科和光子学科的交叉领域，相关研究可以促进这两个学科融合和发展。目前，对太赫兹的研究和开发还不够成熟，缺...
【技术保护点】
1.一种可调控的室温石墨烯太赫兹探测器，包括衬底(1)、石墨烯(2)、平面开口环天线(3)、源极(4)、漏极(5)、介质层(6)和栅极，其特征在于：/n所述探测器的结构自下而上为：第一层是衬底(1)、第二层是石墨烯(2)、以及搭在石墨烯上的平面开口环天线(3)和与天线相连接的源极(4)和漏极(5)、第三层是介质层(6)、第四层是栅极(7)；/n所述的衬底(1)为带有二氧化硅层的本征硅；/n所述的石墨烯(2)为单层石墨烯；/n所述的平面开口环天线(3)、源极(4)和漏极(5)均有两层金属层，下层金属为铬，上层金属为金；/n所述的介质层(6)为氧化铝；/n所述的栅极(7)有两层...
【技术特征摘要】
1.一种可调控的室温石墨烯太赫兹探测器，包括衬底(1)、石墨烯(2)、平面开口环天线(3)、源极(4)、漏极(5)、介质层(6)和栅极，其特征在于：
所述探测器的结构自下而上为：第一层是衬底(1)、第二层是石墨烯(2)、以及搭在石墨烯上的平面开口环天线(3)和与天线相连接的源极(4)和漏极(5)、第三层是介质层(...
【专利技术属性】
技术研发人员：王林，郭万龙，郭程，陈效双，陆卫，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：新型
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。