【技术实现步骤摘要】
一种光敏薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术属于半导体器件
，具体涉及一种光敏薄膜晶体管及其低温制备方法。
技术介绍
光电探测器主要由光敏元件组成，根据光敏材料的禁带宽度不同，光电探测器可对紫外、红外及可见光进行探测。紫外探测器中的光敏材料主要采用宽禁带半导体，可应用于紫外火焰监测、材料固化、杀菌消毒等方面[1,2]。红外探测器主要采用PbS、掺杂的Si、Ge和Hg1-xCdxTe等材料，且在导弹制导等方面已经得到了成熟的应用[3-5]。可见光探测器采用的材料主要有CdS、CdSe、Si、Ge等，可应用于射线测量、工业自动控制、光度测量等[6-8]。但是目前对于可见光的探测器覆盖整个可见光仍然比较困难，于是采用新的光敏材料，制备出对可见光的任意波长响应的器件，由此可得到覆盖整个可见光波段的系列探测器件是亟需解决的一个问题。作为新一代光电材料，卤素钙钛矿量子点的量子产率高、带隙连续可调、对可见光吸收能力强，已经广泛被应用于发光二极管、太阳能电池、光电探测等领域[9,10]。但是钙钛矿量子点在环境中的稳定性较差，与空...
【技术保护点】
1.一种光敏薄膜晶体管，其特征在于，结构由下至上依次为：背栅电极、栅介质层、导电沟道以及源漏电极，其中光敏材料采用钙钛矿量子点，位于导电沟道中间。/n
【技术特征摘要】
1.一种光敏薄膜晶体管，其特征在于，结构由下至上依次为：背栅电极、栅介质层、导电沟道以及源漏电极，其中光敏材料采用钙钛矿量子点，位于导电沟道中间。
2.根据权利要求1所述的光敏薄膜晶体管，其特征在于，所述的背栅电极是重掺杂的Si、AZO、FTO、ITO、Au或Al；当背栅电极为重掺杂的Si时，其同时也是器件的衬底；背栅电极为其余重掺杂半导体或金属材料时，器件的衬底是玻璃、PI膜或PET塑料。
3.根据权利要求1所述的光敏薄膜晶体管，其特征在于，所述的钙钛矿量子点具有化学通式：ABX3，其中，A是CH3NH3(MA)、CH5N2(FA)或Cs，B是Pb或Sn，X是Cl、Br、I中的一种或两种。
4.根据权利要求1所述的光敏薄膜晶体管，其特征在于，所述的源漏电极材料是Cr/Au、Ti/Au、Ni/Au、ITO、AZO或Mo。
5.如权利要求1-4之一所述的光敏薄膜晶体管的低温制备方法，其特征在于，具体步骤为：
（1）采用原子沉积技术在背栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁士进，王晓琳，吴小晗，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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