一种沟槽栅IGBT器件制造技术

技术编号:24099269 阅读:48 留言:0更新日期:2020-05-09 12:03
本发明专利技术提供的一种沟槽栅IGBT器件,该沟槽栅IGBT器件包括第一关断通路和第二关断通路,第一关断通路和第二关断通路均为IGBT关断过程中载流子抽取的通道,相对于现有技术新增了一条额外的关断通路,新增的关断通路和原关断通路同时工作能够加快对漂移区的载流子的抽取,使载流子快速复合,提高了抗闩锁能力,缩短了关断时间,同时也增大了可关断电流。

A groove gate IGBT device

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽栅IGBT器件
本专利技术属于半导体领域,尤其涉及一种沟槽栅IGBT器件。
技术介绍
现有技术中的IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)器件通常只有靠近发射极的一条关断通路(空穴通路),关断损耗大,通流能力差,漂移区的载流子复合时间长,因而现有IGBT器件可关断的电流相对较小,关断所需时间长。
技术实现思路
为解决现有技术中IGBT器件可关断电流小,关断时间长的技术问题,本专利技术提供一种沟槽栅IGBT器件,具体方案如下:一种沟槽栅IGBT器件,包括第一关断通路和第二关断通路,所述第一关断通路位于栅极的侧部,所述第二关断通路位于栅极的底部。进一步的,所述第二关断通路包括第二P区和第二P+区,所述第二P+区位于所述第二P区的上方,所述第二P+区至少部分地与发射极金属层接触。进一步的,所述栅极的底部设置有栅极氧化层,所述第二P区的顶端与所述栅极氧化层的底端齐平。进一步的,所述第一关断通路包括第一P区和第一P+区,所述第一P+区位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽栅IGBT器件,其特征在于,包括第一关断通路和第二关断通路,所述第一关断通路位于栅极的侧部,所述第二关断通路位于栅极的底部。/n

【技术特征摘要】
1.一种沟槽栅IGBT器件,其特征在于,包括第一关断通路和第二关断通路,所述第一关断通路位于栅极的侧部,所述第二关断通路位于栅极的底部。


2.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT器件,其特征在于,所述第二关断通路包括第二P区和第二P+区,所述第二P+区位于所述第二P区的上方,所述第二P+区至少部分地与发射极金属层接触。


3.根据权利要求2所述的沟槽栅IGBT器件,其特征在于,所述栅极的底部设置有栅极氧化层,所述第二P区的顶端与所述栅极氧化层的底端齐平。


4.根据权利要求3所述的沟槽栅IGBT器件,其特征在于,所述第一关断通路包括第一P区和第一P+区,所述第一P+区位于所述第一P区的上方,所述第一P+区至少部分地与发射极金属层接触。


5.根据权利要求4所述的沟槽栅IGBT器件,其特征在于,所述栅极的侧部设置有栅极氧化层,所述第一P区与所述栅极的侧部的栅极氧化层接触;
所述第一P区的上方设置N+区,所述N+区位于所述第一P+区与所述栅极的侧部的栅极氧化层之间,所述第一P+区不与栅极氧化层接触;
所述第一P区的底端高于所述栅极的底端...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐龙谷罗海辉戴小平吴煜东刘国友张泉覃荣震
申请(专利权)人:株洲中车时代电气股份有限公司
类型:发明
国别省市:湖南;43

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