【技术实现步骤摘要】
一种沟槽栅IGBT器件
本专利技术属于半导体领域,尤其涉及一种沟槽栅IGBT器件。
技术介绍
现有技术中的IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)器件通常只有靠近发射极的一条关断通路(空穴通路),关断损耗大,通流能力差,漂移区的载流子复合时间长,因而现有IGBT器件可关断的电流相对较小,关断所需时间长。
技术实现思路
为解决现有技术中IGBT器件可关断电流小,关断时间长的技术问题,本专利技术提供一种沟槽栅IGBT器件,具体方案如下:一种沟槽栅IGBT器件,包括第一关断通路和第二关断通路,所述第一关断通路位于栅极的侧部,所述第二关断通路位于栅极的底部。进一步的,所述第二关断通路包括第二P区和第二P+区,所述第二P+区位于所述第二P区的上方,所述第二P+区至少部分地与发射极金属层接触。进一步的,所述栅极的底部设置有栅极氧化层,所述第二P区的顶端与所述栅极氧化层的底端齐平。进一步的,所述第一关断通路包括第一P区和第一P+ ...
【技术保护点】
1.一种沟槽栅IGBT器件,其特征在于,包括第一关断通路和第二关断通路,所述第一关断通路位于栅极的侧部,所述第二关断通路位于栅极的底部。/n
【技术特征摘要】
1.一种沟槽栅IGBT器件,其特征在于,包括第一关断通路和第二关断通路,所述第一关断通路位于栅极的侧部,所述第二关断通路位于栅极的底部。
2.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT器件,其特征在于,所述第二关断通路包括第二P区和第二P+区,所述第二P+区位于所述第二P区的上方,所述第二P+区至少部分地与发射极金属层接触。
3.根据权利要求2所述的沟槽栅IGBT器件,其特征在于,所述栅极的底部设置有栅极氧化层,所述第二P区的顶端与所述栅极氧化层的底端齐平。
4.根据权利要求3所述的沟槽栅IGBT器件,其特征在于,所述第一关断通路包括第一P区和第一P+区,所述第一P+区位于所述第一P区的上方,所述第一P+区至少部分地与发射极金属层接触。
5.根据权利要求4所述的沟槽栅IGBT器件,其特征在于,所述栅极的侧部设置有栅极氧化层,所述第一P区与所述栅极的侧部的栅极氧化层接触;
所述第一P区的上方设置N+区,所述N+区位于所述第一P+区与所述栅极的侧部的栅极氧化层之间,所述第一P+区不与栅极氧化层接触;
所述第一P区的底端高于所述栅极的底端...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐龙谷,罗海辉,戴小平,吴煜东,刘国友,张泉,覃荣震,
申请(专利权)人:株洲中车时代电气股份有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南;43
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