场发射体的制备方法技术

本发明专利技术提供一种场发射体的制备方法，包括提供一位于一基体上的碳纳米管阵列以及一阴极基底，该碳纳米管阵列中的碳纳米管包括与基体接触的根部以及与相对远离基体的顶部，该阴极基底包括一基底主体及一形成在该基底主体上的粘结剂层；将所述碳纳米管阵列压制成一碳纳米管纸；将所述阴极基底放置在所述碳纳米管纸上；剥离所述阴极基底，使所述碳纳米管纸中的至少部分碳纳米管与所述基体分离并竖直粘结在所述粘结剂层上；以及固化该粘结剂层。

Preparation method of field emitter

【技术实现步骤摘要】
场发射体的制备方法
本专利技术涉及一种场发射体的制备方法，尤其涉及一种采用碳纳米管的场发射体的制备方法。
技术介绍
碳纳米管(CarbonNanotube，CNT)是一种由石墨烯片卷成的中空管状物，其具有优异的力学、热学及电学性质。由多个碳纳米管垂直基底生长形成的碳纳米管阵列能够较好的发挥碳纳米管轴向具有的导电及导热等各种优异性质，非常适合应用于场发射体中。然而，现有的采用碳纳米管的场发射体的制备方法，通过将生长在一基体上的碳纳米管阵列反粘在一阴极基底上，以使碳纳米管阵列的根部作为碳纳米管场发射体的发射端。然而，生长在基体上的碳纳米管阵列反粘在阴极基底上时，碳纳米管阵列在转移过程中非常容易损坏，而且会导致部分碳纳米管缠绕，碳纳米管在该阴极表面的形态比较杂乱，其将导致该种场发射的发射率较差而且操作复杂。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供一种场发射体的制备方法，该制备方法得到的场发射体中的碳纳米管基本垂直于阴极表面，碳纳米管之间无缠绕，而且操作简单。一种场发射体的制备方法，包括以下步骤：<br>S11，提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场发射体的制备方法，包括以下步骤：/nS11，提供一位于一基体上的碳纳米管阵列以及一阴极基底，该碳纳米管阵列中的碳纳米管包括与基体接触的根部以及相对远离基体的顶部，该阴极基底包括一基底主体以及一形成在该基底主体上的粘结剂层；/nS12，施加一压力于碳纳米管阵列的表面，使所述碳纳米管阵列中的碳纳米管倾倒于所述基体的表面形成一碳纳米管纸，该碳纳米管纸中的碳纳米管与所述基体的表面平行；/nS13，将所述阴极基底放置在所述碳纳米管纸上，且所述粘结剂层与该碳纳米管纸远离所述基体的表面接触，使基体、碳纳米管纸和阴极基底层叠设置形成一多层结构；/nS14，剥离所述阴极基底，使所述碳纳米管纸中的至少部...

【技术特征摘要】
1.一种场发射体的制备方法，包括以下步骤：
S11，提供一位于一基体上的碳纳米管阵列以及一阴极基底，该碳纳米管阵列中的碳纳米管包括与基体接触的根部以及相对远离基体的顶部，该阴极基底包括一基底主体以及一形成在该基底主体上的粘结剂层；
S12，施加一压力于碳纳米管阵列的表面，使所述碳纳米管阵列中的碳纳米管倾倒于所述基体的表面形成一碳纳米管纸，该碳纳米管纸中的碳纳米管与所述基体的表面平行；
S13，将所述阴极基底放置在所述碳纳米管纸上，且所述粘结剂层与该碳纳米管纸远离所述基体的表面接触，使基体、碳纳米管纸和阴极基底层叠设置形成一多层结构；
S14，剥离所述阴极基底，使所述碳纳米管纸中的至少部分碳纳米管与所述基体分离并粘结在所述粘结剂层上，且所述至少部分碳纳米管的顶部与所述粘结剂层接触，所述碳纳米管纸中的的至少部分碳纳米管在基体和阴极基底的作用力下垂直排列在所述阴极基底上，进而将所述碳纳米管阵列中的至少部分碳纳米管转移到所述阴极基底上；以及
S15，固化该粘结剂层。


2.如权利要求1所述的场发射体的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管阵列为超顺排碳纳米管阵列，该超顺排碳纳米管阵列包括多个彼此平行且垂直于所述基体的碳纳米管。


3.如权利要求1所述的场发射体的制备方法，其特征在于，所述将碳纳米管阵列压制成一碳纳米管纸的步骤包括：通过一压力提供装置对所述碳纳米管阵列施加压力，进而形成所述碳纳米管纸。


4.如权利要求3所述的场发射体的制备方法，其特征在于，所述压力提供装置为板材，施加压力的方向与基体表面的交叉角度大于30°小于等于60°。


5.如权利要求1所述的场发射体的制备方法，其特征在于，步骤S12包括：朝一个方向对所述碳纳米管阵列施加压力，使所述碳纳米管阵列中的碳纳米管朝一个方向倾倒，进而使所述碳纳米管纸中的碳纳米管沿同一方向择优取向排列。


6.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏洋，王广，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11