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本发明提供一种场发射体的制备方法，包括提供一位于一基体上的碳纳米管阵列以及一阴极基底，该碳纳米管阵列中的碳纳米管包括与基体接触的根部以及与相对远离基体的顶部，该阴极基底包括一基底主体及一形成在该基底主体上的粘结剂层；将所述碳纳米管阵列压制成...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司授权不得商用。

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