碳化硅高温氧化进料装置制造方法及图纸

技术编号:24081502 阅读:51 留言:0更新日期:2020-05-09 04:29
本申请公开了一种碳化硅高温氧化进料装置,包括支架和位于支架上的高温氧化罐,高温氧化罐的下端安装有出料管,出料管上设有连接外接管路的连接管,连接管上设有第一阀门,高温氧化罐的上端设有送氧箱,送氧箱的上端安装有入料箱支架,入料箱支架上端安装有入料箱,入料箱的上端安装有进料管,进料管上设有进料漏斗,送氧箱内设有送氧腔,入料箱与送氧箱之间连接有第二传输管,第二传输管上设有第三阀门,高温氧化罐的一侧设有氧气罐,氧气罐上设有与送氧箱连通的第一传输管,氧气罐的一侧设有进气管,进气管上设有第二阀门,高温氧化罐的一侧设有用于对高温氧化罐内物料加热的加热箱。本实用新型专利技术可以有效提高碳化硅高温氧化的效率和质量。

High temperature oxidation feed device of silicon carbide

【技术实现步骤摘要】
碳化硅高温氧化进料装置
本技术涉及高温氧化的
,具体涉及一种碳化硅高温氧化进料装置。
技术介绍
金刚砂又名碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。目前中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3.25,显微硬度为2840~3320kg/mm2。现有技术中的碳化硅在进行高温氧化的过程中,由于初步进料的碳化硅的聚集密度高,导致碳化硅间隙的含量氧低,由此降低了碳化硅的高温氧化效率和质量,故此亟需开发一种碳化硅高温氧化进料装置来解决现有技术中的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于克服现有技术的不足而提供一种能够提高碳化硅氧化效率和质量的进料装置。解决上述技术问题,本技术采取如下技术方案:一种碳化硅高温氧化进料装置,包括支架和位于支架上的高温氧化罐,高温氧化罐的下端安装有出料管,出料管上设有连接外接管路的连接管,连接管上设有第一阀门,高温氧化罐的上端设有送氧箱,送氧箱的上端安装有入料箱支架,入料箱支架上端安装有入料箱,入料箱的上端安装有进料管,进料管上设有进料漏斗,送氧箱内设有送氧腔,入料箱与送氧箱之间连接有第二传输管,第二传输管上设有第三阀门,高温氧化罐的一侧设有氧气罐,氧气罐上设有与送氧箱连通的第一传输管,氧气罐的一侧设有进气管,进气管上设有第二阀门,高温氧化罐的一侧设有用于对高温氧化罐内物料加热的加热箱。本技术实施例的入料箱上端安装有电机支架,电机支架上安装有电机,入料箱内设有搅拌腔,电机的下端安装有转轴,转轴在搅拌腔内安装有多个搅拌叶,入料箱的上端设有套接在转轴外周的轴套。本技术实施例的送氧腔的内壁上安装有多根第一导料板,第一导料板倾斜设置在送氧腔内。本技术实施例的第一导料板与水平方向之间的角度为α,0°<α≤45°。本技术实施例的高温氧化罐内设有氧化腔,氧化腔内壁上设有多根第二导料板。本技术实施例的第二导料板与水平方向的夹角为β,0°<β≤30°。本技术实施例的氧气罐设有与氧化腔连通的第三传输管。本技术的有益效果为:将需要进行高温氧化的碳化硅经过进料漏斗和进料管输入到入料箱内,再经过第二传输管输入到送氧箱内,由氧气罐经过第一传输管向送氧箱内,实现对碳化硅间隙内填充氧气,经过氧气填充后的碳化硅再进入到高温氧化罐内进行高温氧化处理,经过高温氧化初步处理后的碳化硅再经过出料管和连接管输出,由此提高了碳化硅在进行高温氧化处理前进行了初步氧化处理,且初步氧化处理过程中,充分补充了碳化硅间隙的氧气,由此提高了碳化硅氧化的效率和质量。本技术的其他特点和优点将会在下面的具体实施方式、附图中详细的揭露。附图说明图1是本技术所述碳化硅高温氧化进料装置的主视结构示意图;图2是本技术所述碳化硅高温氧化进料装置中入料箱的结构示意图;图3是本技术所述碳化硅高温氧化进料装置中送氧箱的结构示意图。图中各附图标记为:1、支架;2、高温氧化罐;3、出料管;4、连接管;5、第一阀门;6、第三传输管;7、送氧箱;8、氧气罐;9、第二阀门;10、进气管;11、第一传输管;12、加热箱;13、入料箱支架;14、入料箱;15、第二传输管;16、第三阀门;17、电机支架;18、电机;19、转轴;20、进料管;21、进料漏斗;22、搅拌腔;23、轴套;24、搅拌叶;25、送氧腔;26、氧化腔;27、第二导料板;28、第一导料板。具体实施方式下面结合本技术实施例的附图对本技术实施例的技术方案进行解释和说明,但下述实施例仅为本技术的优选实施例,并非全部。基于实施方式中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其他实施例,都属于本技术的保护范围。在下文描述中,出现诸如术语“内”、“外”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示方位或者位置关系仅是为了方便描述实施例和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。参照图1-3所示,本技术实施例提出的碳化硅高温氧化进料装置,包括支架1和位于支架1上的高温氧化罐2,高温氧化罐2的下端安装有出料管3,出料管3上设有连接外接管路的连接管4,连接管4上设有第一阀门5,高温氧化罐2的上端设有送氧箱7,送氧箱7的上端安装有入料箱支架13,入料箱支架13上端安装有入料箱14,入料箱14的上端安装有进料管20,进料管20上设有进料漏斗21,送氧箱7内设有送氧腔25,入料箱14与送氧箱7之间连接有第二传输管15,第二传输管15上设有第三阀门16,高温氧化罐2的一侧设有氧气罐8,氧气罐8上设有与送氧箱7连通的第一传输管11,氧气罐8的一侧设有进气管10,进气管10上设有第二阀门9,高温氧化罐2的一侧设有用于对高温氧化罐2内物料加热的加热箱12。使用时,将需要进行高温氧化的碳化硅经过进料漏斗21和进料管20输入到入料箱14内,再经过第二传输管15输入到送氧箱7内,由氧气罐8经过第一传输管11向送氧箱7内,实现对碳化硅间隙内填充氧气,经过氧气填充后的碳化硅再进入到高温氧化罐2内进行高温氧化处理,经过高温氧化初步处理后的碳化硅再经过出料管3和连接管4输出,由此提高了碳化硅在进行高温氧化处理前进行了初步氧化处理,且初步氧化处理过程中,充分补充了碳化硅间隙的氧气,由此提高了碳化硅氧化的效率和质量。在本实施例中,入料箱14上端安装有电机支架17,电机支架17上安装有电机18,入料箱14内设有搅拌腔22,电机18的下端安装有转轴19,转轴19在搅拌腔22内安装有多个搅拌叶24,入料箱14的上端设有套接在转轴19外周的轴套23。通过在入料箱14上端安装电机18,由电机18驱动转轴19转动,再由转轴19带动搅拌叶24实现对碳化硅的搅拌,进一步增大了碳化硅间隙之间的含氧量,由此进一步提高了碳化硅氧化的效率和质量。在本实施例中,送氧腔25的内壁上安装有多根第一导料板28,第一导料板28倾斜设置在送氧腔25内。利用第一导料板28可延长碳化硅在送氧箱7内的传输时间,进一步增大了碳化硅间隙的含氧量,有效提高了碳化硅的氧化效率和质量。在本实施例中,第一导料板28与水平方向之间的角度为α,0°<α≤45°。具体到本实施例中,α为30°,如此设置,可进一步延长碳化硅在送氧箱7内的传输时间,进一步增大了碳化硅间隙的含氧量,有效提高了碳化硅的氧化效率和质量。在本实施例中,高温氧化罐2内设有氧化腔26,氧化腔26内壁上设有多根第二导料板27。利用第二导料板27可延长碳化硅在氧化腔26内的传输时间,进一步增大了碳化硅间隙的含氧量,有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅高温氧化进料装置,包括支架(1)和位于支架(1)上的高温氧化罐(2),高温氧化罐(2)的下端安装有出料管(3),出料管(3)上设有连接外接管路的连接管(4),连接管(4)上设有第一阀门(5),其特征在于,高温氧化罐(2)的上端设有送氧箱(7),送氧箱(7)的上端安装有入料箱支架(13),入料箱支架(13)上端安装有入料箱(14),入料箱(14)的上端安装有进料管(20),进料管(20)上设有进料漏斗(21),送氧箱(7)内设有送氧腔(25),入料箱(14)与送氧箱(7)之间连接有第二传输管(15),第二传输管(15)上设有第三阀门(16),高温氧化罐(2)的一侧设有氧气罐(8),氧气罐(8)上设有与送氧箱(7)连通的第一传输管(11),氧气罐(8)的一侧设有进气管(10),进气管(10)上设有第二阀门(9),高温氧化罐(2)的一侧设有用于对高温氧化罐(2)内物料加热的加热箱(12)。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅高温氧化进料装置,包括支架(1)和位于支架(1)上的高温氧化罐(2),高温氧化罐(2)的下端安装有出料管(3),出料管(3)上设有连接外接管路的连接管(4),连接管(4)上设有第一阀门(5),其特征在于,高温氧化罐(2)的上端设有送氧箱(7),送氧箱(7)的上端安装有入料箱支架(13),入料箱支架(13)上端安装有入料箱(14),入料箱(14)的上端安装有进料管(20),进料管(20)上设有进料漏斗(21),送氧箱(7)内设有送氧腔(25),入料箱(14)与送氧箱(7)之间连接有第二传输管(15),第二传输管(15)上设有第三阀门(16),高温氧化罐(2)的一侧设有氧气罐(8),氧气罐(8)上设有与送氧箱(7)连通的第一传输管(11),氧气罐(8)的一侧设有进气管(10),进气管(10)上设有第二阀门(9),高温氧化罐(2)的一侧设有用于对高温氧化罐(2)内物料加热的加热箱(12)。


2.如权利要求1所述的碳化硅高温氧化进料装置,其特征在于,入料箱(14)上端安装有电机支架(17),电机支架(17)上安装有电机(18...

【专利技术属性】
技术研发人员:李晶卢红亮李勇刚蒋镄铠
申请(专利权)人:四川矽芯微科技有限公司
类型:新型
国别省市:四川;51

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