一种气相沉积反应腔体的清洗装置、清洗系统及清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种气相沉积反应腔体的清洗装置、清洗系统及清洗方法，该气相沉积反应腔体的清洗装置(20)包括清洗室(21)、若干液体喷淋头(22)和排液口(23)，其中，所述清洗室(21)的底部从四周至中心逐渐凹陷，所述排液口(23)设置于所述清洗室(21)底部的中心位置处；所述若干液体喷淋头(22)分布于所述清洗室(21)的底部。该清洗装置将清洗室的底部设置为从四周至中心逐渐凹陷，使得清洗室的外围区域高、中心位置低，排液口位于清洗室底部最低处，能够保证清洗溶液彻底排净，残余溶液不会积留在清洗室内，降低了残余溶液对气相沉积反应腔体的污染，提高了对气相沉积反应腔体清洗的洁净度。

A cleaning device, system and method for the reaction chamber of vapor deposition

【技术实现步骤摘要】
一种气相沉积反应腔体的清洗装置、清洗系统及清洗方法
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种气相沉积反应腔体的清洗装置、清洗系统及清洗方法。
技术介绍
在外延反应炉装置中，通过在由石英钟罩组成的工艺腔室内部对硅晶圆进行气相沉积反应，以在硅晶圆表面上生长出一层薄膜。然而，在进行气相沉积的过程中，反应物不仅仅沉积在硅晶圆表面，还会在石英钟罩内表面沉积；如果长时间不清洗石英钟罩，会在石英钟罩内表面产生厚厚的一层膜，影响加热装置灯模块的透光性和反应气体的流动性，同时可能会在石英钟罩内表面产生颗粒，从而影响到硅晶圆的生长工艺，降低硅晶圆的良率。因此，对石英钟罩进行定期清理是硅晶圆加工过程中不可缺少的一个工艺。现有对石英钟罩进行清洗的工艺中，是采用夹持装置对石英钟罩进行夹持升降，从而将石英钟罩放入清洗室中进行清洗。请参见图1，图1为现有技术提供的一种石英钟罩清洗装置的结构示意图，其中，石英钟罩2通过传送装置6放置到清洗室1内以进行清洗，排液口3、进液口4位于石英钟罩2内部，石英钟罩2与清洗室1之间设置密封垫5。但是，图1中的清洗室1底部采用水平结构，这样会导致在排液时有残余溶液积留在清洗室1内，导致石英钟罩2和清洗室1的污染；而且现有清洗工艺中，混酸和去离子水清洗溶液都在同一清洗室1内进行，无法保证石英钟罩2和清洗室1内部的混酸残留清洗干净；另外该清洗室1只能够采用浸泡的方式清洗石英钟罩1的内表面，可能导致石英钟罩1清洗不够彻底。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种气相沉积反应腔体的清洗装置、清洗系统及清洗方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本专利技术实施例提供一种气相沉积反应腔体的清洗装置，包括清洗室、若干液体喷淋头和排液口，其中，所述清洗室的底部从四周至中心逐渐凹陷，所述排液口设置于所述清洗室底部的中心位置处；所述若干液体喷淋头分布于所述清洗室的底部。在本专利技术的一个实施例中，所述若干液体喷淋头分布于所述清洗室的底部和所述清洗室的内壁上。在本专利技术的一个实施例中，还包括若干气体喷头，所述若干气体喷头分布于所述清洗室的底部和所述清洗室的内壁上。在本专利技术的一个实施例中，还包括液位传感器，设置在所述清洗室的内壁上，通过控制模块与所述若干液体喷淋头和所述排液口电连接，用于采集液位信号，以使所述控制模块根据所述液位信号调节所述液体喷淋头的喷淋量和所述排液口的排液量进而控制所述清洗室中清洗溶液的液位。在本专利技术的一个实施例中，还包括化学品检测器，设置在所述清洗室的内壁靠近所述清洗室底部的位置处。本专利技术的另一个实施例提供了一种气相沉积反应腔体的清洗系统，包括清洗单元、承载装置和传送装置，其中，所述清洗单元包括至少两个如上述实施例所述的气相沉积反应腔体的清洗装置；所述承载装置用于承载并固定气相沉积反应腔体；所述传送装置设置于所述清洗单元的上方并承托所述承载装置。在本专利技术的一个实施例中，所述清洗单元包括第一清洗装置和第二清洗装置，其中，所述第一清洗装置和所述第二清洗装置并列排布；所述第一清洗装置中的所述若干液体喷淋头分布于所述清洗室的底部，并且所述第二清洗装置中的所述若干液体喷淋头分布于所述清洗室的底部和所述清洗室的内壁上。在本专利技术的一个实施例中，所述传送装置包括第一移动轴和第二移动轴，其中，所述第一移动轴与所述第二移动轴相互垂直；所述第一移动轴可沿其轴向方向移动，以将承载有所述气相沉积反应腔体的所述承载装置在所述清洗单元的上方进行水平传输；所述第二移动轴与所述承载装置连接，所述第二移动轴可沿其轴向方向移动，以将承载有所述气相沉积反应腔体的所述承载装置在所述气相沉积反应腔体的清洗装置的上方进行升降。本专利技术的再一个实施例提供了一种气相沉积反应腔体的清洗方法，采用上述包括第一清洗装置和第二清洗装置的清洗系统进行清洗，包括步骤：采用第一清洗溶液，对气相沉积反应腔体的内表面进行喷淋清洗；采用第二清洗溶液，对经过所述第一清洗溶液清洗的所述气相沉积反应腔体的内表面进行喷淋清洗。在本专利技术的一个实施例中，采用第二清洗溶液，对经过所述第一清洗溶液清洗的所述气相沉积反应腔体的内表面进行喷淋清洗之后，还包括：采用所述第二清洗溶液，对经过所述第二清洗溶液清洗的所述气相沉积反应腔体的内表面和外表面进行浸泡清洗。与现有技术相比，本专利技术的有益效果：1、本专利技术将清洗室的底部设置为从四周至中心逐渐凹陷，使得清洗室的外围区域高、中心位置低，排液口位于清洗室底部最低处，能够保证清洗溶液彻底排净，清洗室内不会有残余溶液积留，降低了残余溶液对气相沉积反应腔体的污染，提高了对气相沉积反应腔体清洗的洁净度。2、本专利技术的清洗系统中设置至少两个清洗装置，可以在不同的清洗装置中用不同的溶液对气相沉积反应腔体进行分阶段清洗，并且可以对气相沉积反应腔体的内表面和外表面均进行清洗，避免了残留的不同溶液互相混合而导致清洗不彻底的问题，避免了交叉污染，从而提高了气相沉积反应腔体的清洗洁净度。附图说明图1为现有技术提供的一种石英钟罩清洗装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种气相沉积反应腔体的清洗装置的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种气相沉积反应腔体的清洗装置的控制模块图；图4为本专利技术实施例提供的另一种气相沉积反应腔体的清洗装置的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种气相沉积反应腔体的清洗系统的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种承载装置的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种气相沉积反应腔体的清洗系统的布局示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种气相沉积反应腔体的清洗方法的流程示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术做进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例一请参见图2，图2为本专利技术实施例提供的一种气相沉积反应腔体的清洗装置的结构示意图。该气相沉积反应腔体的清洗装置20可以实现对气相沉积反应腔体的内表面进行清洗，例如采用混酸溶液清洗石英钟罩内表面沉积的单晶硅。该清洗装置20包括清洗室21、若干液体喷淋头22和排液口23。需要说明的是，本实施例的气相沉积反应腔体可以为钟形腔体(如石英钟罩)，也可以为其他材质和形状的、且具有开口端的腔体，本实施例不作进一步限制。清洗室21主要用于放置待清洗的气相沉积反应腔体，由底部和围绕于底部的四个侧壁形成，四个侧壁均与底部相互垂直，气相沉积反应腔体的开口端朝向清洗室21的底部放置。清洗室21的底部从四周至中心逐渐凹陷，形成外围区域高、中心位置低的漏斗式底部。若干液体喷淋头22分布在清洗室21的底部。具体地，若干液体喷淋头22的数量可以为1个，也可以为多个。当液体喷淋头22的数量为1个时，该液体喷淋头22设置在清洗室21底部靠近其中心的位置处；当液体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气相沉积反应腔体的清洗装置(20)，其特征在于，包括清洗室(21)、若干液体喷淋头(22)和排液口(23)，其中，/n所述清洗室(21)的底部从四周至中心逐渐凹陷，所述排液口(23)设置于所述清洗室(21)底部的中心位置处；/n所述若干液体喷淋头(22)分布于所述清洗室(21)的底部。/n

【技术特征摘要】
1.一种气相沉积反应腔体的清洗装置(20)，其特征在于，包括清洗室(21)、若干液体喷淋头(22)和排液口(23)，其中，
所述清洗室(21)的底部从四周至中心逐渐凹陷，所述排液口(23)设置于所述清洗室(21)底部的中心位置处；
所述若干液体喷淋头(22)分布于所述清洗室(21)的底部。


2.如权利要求1所述的气相沉积反应腔体的清洗装置(20)，其特征在于，所述若干液体喷淋头(22)分布于所述清洗室(21)的底部和所述清洗室(21)的内壁上。


3.如权利要求1所述的气相沉积反应腔体的清洗装置(20)，其特征在于，还包括若干气体喷头(24)，所述若干气体喷头(24)分布于所述清洗室(21)的底部和所述清洗室(21)的内壁上。


4.如权利要求1所述的气相沉积反应腔体的清洗装置(20)，其特征在于，还包括液位传感器(25)，设置在所述清洗室(21)的内壁上，通过控制模块(33)与所述若干液体喷淋头(22)和所述排液口(23)电连接，用于采集液位信号，以使所述控制模块(33)根据所述液位信号调节所述液体喷淋头(22)的喷淋量和所述排液口(23)的排液量进而控制所述清洗室(21)中清洗溶液的液位。


5.如权利要求1所述的气相沉积反应腔体的清洗装置(20)，其特征在于，还包括化学品检测器(26)，设置在所述清洗室(21)的内壁靠近所述清洗室(21)底部的位置处。


6.一种气相沉积反应腔体的清洗系统，其特征在于，包括清洗单元、承载装置(31)和传送装置(32)，其中，
所述清洗单元包括至少两个如权利要求1～5中任一项所述的气相沉积反应腔体的清洗装置(20)；
所述承载装置(31)用于承载并固定气相沉积反应腔体；
所述传送装置(32)设置于所述清洗单元的上方并承托所述承载装置(...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯，王力，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61