单片集成的射频器件及集成电路系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种单片集成的射频器件及集成电路系统，射频器件包括键合连接的滤波器与电子器件；电子器件的第一缓冲层设置在第一基板上，第三单晶层远离第二单晶层的一侧设置有钝化层，钝化层上设置有连接滤波器与电子器件的通孔；滤波器的金属电极设置在压电薄膜与布拉格反射层之间，布拉格反射层与钝化层键合连接，电极互连孔贯穿布拉格反射层，顶电极与电极接触点设置在压电薄膜远离金属电极一侧，通过电极互连孔与通孔连接。本实用新型专利技术能够将射频前端模块上不同类型的多个电子器件集成在同一个芯片中，避免了需要额外设计线路的问题，减少了电气连接损失，降低了装配复杂性，减少了射频前端模块的尺寸和成本。

Monolithic integrated RF devices and integrated circuit system

【技术实现步骤摘要】
单片集成的射频器件及集成电路系统
本技术涉及电子通讯装置
，尤其涉及一种单片集成的射频器件及集成电路系统。
技术介绍
无线通信终端已在全球成功广泛部署。全球每年会生产包括手机和智能手机在内的无线通信终端设备超过10亿台，而且数量还在逐年增加。随着4G/LTE的应用普及，以及移动数据流量的激增，大数据时代也正在推动无线通信手机市场的增长，预计未来几年将达到每年20亿台。因此，为了应对这个巨大的市场和用户不断提高的要求，无线通讯终端的功能也变得越来越多功能化。相应的，无线通讯终端的多功能化发展对无线通讯终端的射频前端模块提出了微型化、高频率、高性能、低功耗、低成本等高技术要求。为了满足这些技术要求，现有的射频前端模块采取的方式是将多个分立的芯片组装在单个层压板或PC板上，但是这种方式具有的缺点是需要额外设计线路以将不同芯片互联在一起，而通过线路连接不同的芯片会导致电气连接损失以及增加装配复杂性、增加了射频前端模块的尺寸和成本。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术提出一种单片集成的射频器件及集成电路系统本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单片集成的射频器件，其特征在于，所述射频器件用于射频前端模块，所述射频器件包括至少一个滤波器、至少一个电子器件，所述滤波器与所述电子器件键合连接，所述电子器件包括功率放大器、噪声放大器以及开关中的至少一种；/n所述电子器件包括按远离滤波器的方向依次叠置的第三单晶层、第二单晶层、第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在第一基板上，所述第三单晶层远离所述第二单晶层的一侧设置有钝化层，通过所述钝化层与所述滤波器键合连接，所述钝化层上设置有至少一个连接所述滤波器与所述电子器件的通孔；/n所述滤波器包括压电薄膜、金属电极、布拉格反射层、顶电极以及电极接触点，所述金属电极设置在所述压电薄膜与所述布拉格反射...

【技术特征摘要】
1.一种单片集成的射频器件，其特征在于，所述射频器件用于射频前端模块，所述射频器件包括至少一个滤波器、至少一个电子器件，所述滤波器与所述电子器件键合连接，所述电子器件包括功率放大器、噪声放大器以及开关中的至少一种；
所述电子器件包括按远离滤波器的方向依次叠置的第三单晶层、第二单晶层、第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在第一基板上，所述第三单晶层远离所述第二单晶层的一侧设置有钝化层，通过所述钝化层与所述滤波器键合连接，所述钝化层上设置有至少一个连接所述滤波器与所述电子器件的通孔；
所述滤波器包括压电薄膜、金属电极、布拉格反射层、顶电极以及电极接触点，所述金属电极设置在所述压电薄膜与所述布拉格反射层之间，所述布拉格反射层与所述钝化层键合连接，电极互连孔贯穿所述布拉格反射层，顶电极与电极接触点设置在所述压电薄膜远离所述金属电极一侧，通过所述电极互连孔与所述通孔连接。


2.如权利要求1所述的单片集成的射频器件，其特征在于，所述通孔的数量为三个，且所述通孔分别与所述电子器件的源极、漏极、栅极连接。


3.如权利要求2所述的单片集成的射频器件，其特征在于，所述电极互连孔的数量为三个，每个电极互连孔贯穿的对象不完全相同，并分别不同所述通孔相对并电连接。


4.如权利要求3所述的单片集成的射频器件，其特征在于，所述顶电极部分覆盖所述压电薄膜远离所述金属电极一侧，通过其中一个所述电极互连孔与所述栅极连接。


5.如权利要求3所述的单片集成的射频器件，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：广州市艾佛光通科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44