本发明专利技术的目的在于，减少晶片的面内的蚀刻变得不均的情况。本发明专利技术的静电卡盘装置具备：静电卡盘部，具有载置试样的试样载置面且具有静电吸附用第1电极；冷却基部，相对于静电卡盘部载置于与试样载置面相反的一侧且冷却静电卡盘部；及粘接层，将静电卡盘部和冷却基部粘接在一起，冷却基部具有作为RF电极的第2电极的功能，在静电卡盘部与冷却基部之间具有RF电极或LC调整用第3电极，第3电极与静电卡盘部及冷却基部粘接且与冷却基部绝缘。
Electrostatic chuck device
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】静电卡盘装置
本专利技术涉及一种静电卡盘装置。本申请主张基于2017年9月29日于日本申请的日本专利申请2017-189720号的优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
在半导体装置的制造中，已知一种等离子体蚀刻装置，其在能够密封的处理腔室内产生等离子体来进行半导体晶片等被处理基板的处理。在等离子体蚀刻装置中，要求晶片的面内的蚀刻速度的均匀性及蚀刻方向的均匀性。然而，在等离子体蚀刻装置中，蚀刻速度及蚀刻方向会受等离子体内的电场强度及电力线方向的影响。因此，有时等离子体蚀刻装置的晶片的面内的蚀刻速度及蚀刻方向的均匀性会降低。在三维NAND闪存的内存孔等中，需要蚀刻绝缘层及电极层的多层膜的深孔，晶片的面内的蚀刻速度和孔的垂直性尤为重要。在等离子体蚀刻装置中，作为用于改善晶片的面内的蚀刻速度及蚀刻方向的不均匀性的问题的技术，已知一种通过在载置基板的台上设置电极并对晶片的面内施加高频的电力来提高晶片的面内的蚀刻速度及蚀刻方向的均匀性的等离子体处理装置(参考专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-35266号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题然而，在上述等离子体处理装置中，即使通过施加于偏压分布控制用电极的高频电压来局部调整加速电压，高频电流也在静电卡盘用电极内移动，在静电卡盘用电极中面内的电压梯度得到缓和，存在无法呈现充分的效果的问题。并且，需要设置将晶片静电吸附于静电卡盘部的电极和偏压分布控制用电极，其结果静电卡盘部变厚，还存在静电卡盘部的高频透过率降低的问题。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其提供一种能够减少晶片的面内的蚀刻变得不均的情况的静电卡盘装置。用于解决技术课题的手段本专利技术是为了解决上述课题而完成的，本专利技术的一方式为静电卡盘装置，其具备：静电卡盘部，具有载置试样的试样载置面且具有静电吸附用第1电极；冷却基部，相对于所述静电卡盘部载置于与所述试样载置面相反的一侧且冷却所述静电卡盘部；及粘接层，将所述静电卡盘部和所述冷却基部粘接在一起，所述冷却基部具有作为RF电极的第2电极的功能，在所述静电卡盘部与所述冷却基部之间具有RF电极或LC调整用第3电极，所述第3电极与所述静电卡盘部及所述冷却基部粘接且与所述冷却基部绝缘。并且，本专利技术的一方式在上述中记载的静电卡盘装置中，所述第3电极被有机类绝缘材料包围。并且，本专利技术的一方式在上述中记载的静电卡盘装置中，所述第3电极设置于所述试样载置面与所述冷却基部之间。并且，本专利技术的一方式在上述中记载的静电卡盘装置中，所述第3电极通过有机材料与所述静电卡盘部粘接。并且，本专利技术的一方式在上述中记载的静电卡盘装置中，所述第3电极由非磁性材料形成。并且，本专利技术的一方式在上述中记载的静电卡盘装置中，所述第3电极为具有5μm以上且500μm以下的厚度的金属箔。并且，本专利技术的一方式在上述中记载的静电卡盘装置中，在所述静电卡盘部与所述冷却基部之间具有RF电极或LC调整用第4电极，所述第4电极与所述静电卡盘部及所述冷却基部粘接且与所述冷却基部绝缘。并且，本专利技术的一方式在上述中记载的静电卡盘装置中，所述第4电极被有机类绝缘材料包围。并且，本专利技术的一方式在上述中记载的静电卡盘装置中，在所述试样载置面的周围的比所述试样载置面更凹陷的凹部具有设置包围所述试样载置面的周围的圆环状的结构物的结构物设置面，所述第4电极设置于所述结构物设置面与所述冷却基部之间。并且，本专利技术的一方式在上述中记载的静电卡盘装置中，所述第4电极通过有机材料与所述静电卡盘部粘接。并且，本专利技术的一方式在上述中记载的静电卡盘装置中，所述第4电极由非磁性材料形成。并且，本专利技术的一方式在上述中记载的静电卡盘装置中，所述第4电极为具有5μm以上且500μm以下的厚度的金属箔。并且，本专利技术的一方式在上述中记载的静电卡盘装置中，所述第3电极与所述第4电极的总数为1个以上。并且，本专利技术的一方式在上述中记载的静电卡盘装置中，所述第3电极与所述第4电极之间通过绝缘性有机材料绝缘。并且，本专利技术的一方式在上述中记载的静电卡盘装置中，所述第1电极的表面电阻值大于1.0Ω/□且小于1.0×1010Ω/□，所述第1电极的厚度厚于0.5μm且薄于50μm。在此，表面电阻值的单位为Ω/□(欧姆/平方)，以下均相同。专利技术效果根据本专利技术，能够减少晶片的面内的蚀刻变得不均的情况。附图说明图1是表示本专利技术的第1实施方式的静电卡盘装置的一例的剖视图。图2是表示本专利技术的第1实施方式的静电卡盘装置的电极的一例的俯视图。图3是表示本专利技术的第1实施方式的静电卡盘装置的第1变形例的剖视图。图4是表示本专利技术的第2实施方式的静电卡盘装置的一例的剖视图。图5是表示本专利技术的第2实施方式的静电卡盘装置的第1变形例的剖视图。图6是表示本专利技术的第2实施方式的静电卡盘装置的第2变形例的剖视图。图7是图1的绝缘粘接层3的放大图。图8是图4的绝缘粘接层213的放大图。图9是图3的绝缘粘接层113的放大图。图10是图5的绝缘粘接层313的放大图。图11是图6的绝缘粘接层413的放大图。具体实施方式(第1实施方式)以下，参考附图对本专利技术的第1实施方式进行详细说明。图1是表示本实施方式所涉及的静电卡盘装置1的一例的剖视图。图2是表示本实施方式所涉及的静电卡盘装置1的电极的一例的俯视图。静电卡盘装置1具备静电卡盘部2、绝缘粘接层3及冷却基部4。在此，将固定于静电卡盘装置1的坐标系设为三维正交坐标系X,Y,Z。在此，三维正交坐标系X,Y,Z的X轴为与水平方向平行的朝向，Z轴为铅垂方向朝上的方向。朝上的方向是指Z轴的正朝向。静电卡盘部2、绝缘粘接层3及冷却基部4为圆柱状的形状。静电卡盘部2隔着绝缘粘接层3设置于冷却基部4上。在从上方朝下观察静电卡盘装置1时，静电卡盘部2、绝缘粘接层3及冷却基部4粘接成底面的圆的中心重合。(静电卡盘部)如图2所示，在从上方朝下观察静电卡盘装置1时，静电卡盘部2为圆板状。静电卡盘部2具有载置板22、晶片静电吸附用电极23及支撑板24。载置板22与支撑板24形成为一体。载置板22具有圆板状的上表面即试样载置面21a。试样载置面21a为在上表面上载置半导体晶片等板状试样的面。试样载置面21a上以预定的间隔形成有多个直径小于板状试样的厚度的突起部(未图示)，这些突起部支撑板状试样。支撑板24的下表面与绝缘粘接层3接触。在此，朝下的方向是指Z轴的负朝向。作为一例，静电卡盘部2的厚度形成为0.7mm以上且5.0mm以下。例如，若静电卡盘部2的厚度薄于0.7mm，则难以确保静电卡盘部2的机械强度。若静电卡盘部2的厚度厚于5.0mm，则静电卡盘部2的热容量增加，所载置的板状试样的热响应本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种静电卡盘装置，其具备：/n静电卡盘部，具有载置试样的试样载置面且具有静电吸附用第1电极；/n冷却基部，相对于所述静电卡盘部载置于与所述试样载置面相反的一侧且冷却所述静电卡盘部；及/n粘接层，将所述静电卡盘部和所述冷却基部粘接在一起，/n所述冷却基部具有作为RF电极的第2电极的功能，/n在所述静电卡盘部与所述冷却基部之间具有RF电极或LC调整用第3电极，所述第3电极与所述静电卡盘部及所述冷却基部粘接且与所述冷却基部绝缘。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 JP 2017-1897201.一种静电卡盘装置，其具备：
静电卡盘部，具有载置试样的试样载置面且具有静电吸附用第1电极；
冷却基部，相对于所述静电卡盘部载置于与所述试样载置面相反的一侧且冷却所述静电卡盘部；及
粘接层，将所述静电卡盘部和所述冷却基部粘接在一起，
所述冷却基部具有作为RF电极的第2电极的功能，
在所述静电卡盘部与所述冷却基部之间具有RF电极或LC调整用第3电极，所述第3电极与所述静电卡盘部及所述冷却基部粘接且与所述冷却基部绝缘。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其中，
所述第3电极被有机类绝缘材料包围。
3.根据权利要求1或2所述的静电卡盘装置，其中，
所述第3电极设置于所述试样载置面与所述冷却基部之间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的静电卡盘装置，其中，
所述第3电极通过有机材料与所述静电卡盘部粘接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的静电卡盘装置，其中，
所述第3电极由非磁性材料形成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的静电卡盘装置，其中，
所述第3电极为具有5μm以上且500μm以下的厚度的金属箔。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的静电卡盘装置，其在所述静电卡盘部与所述冷却基部之间具有RF电极或LC调整用第4...
【专利技术属性】
技术研发人员：小坂井守，尾崎雅树，前田佳祐，
申请(专利权)人：住友大阪水泥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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