一种控制电镀深度减少通孔Stub的方法技术

本发明专利技术公开的一种控制电镀深度减少通孔Stub的方法，包括以下步骤：A钻孔；B树脂塞孔；C二次钻孔，选择直径为D1的钻头，钻孔深度＝D3+D4；D镀铜；E二次树脂塞孔。先钻孔，充满树脂之后，然后在树脂内钻孔，此时钻孔的深度为D3+D4，通过钻孔的深度控制D4的大小，之后进行镀铜，与传统背钻相比，D4的大小可通过钻孔的深度控制，而不需要背钻，减少D4大小的同时可防止D3撕裂、变形等，操作简单方便，可靠性好，同时减少D4的大小，效减少Stub长度，且节省PCB走线空间。

A method to control plating depth and reduce through hole stub

【技术实现步骤摘要】
一种控制电镀深度减少通孔Stub的方法
本专利技术涉及印制线路板制作
，具体地说是一种控制电镀深度减少通孔Stub的方法。
技术介绍
随着数据的传输越来越块，通孔Stub对数据的高速传输的影响越来越大，现有技术中去除通孔Stub多是采用背钻工艺。背钻流程是一种特殊制作流程，其主要作用是在原有的层间导通孔上钻掉引起电气信号杂讯的无需导通的部分，使余留下的层间保持连通。背钻过程是先钻孔，在通孔内壁镀铜，然后把多余的通孔Stub钻掉，最后树脂塞孔，如图5所示。但是现有的背钻技术剩余的通孔Stub长，为了防止钻头钻到信号层时通孔内镀铜变形以及信号层断裂，预留Stub长度至少8mil，通孔Stub过长，影响数据的高速传输。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决上述问题，提供一种控制电镀深度减少通孔Stub的方法，有效减少Stub长度，且不引起通孔内镀铜变形以及信号层断裂，保证数据传输速度。本专利技术解决其技术问题所采取的技术方案是：一种控制电镀深度减少通孔Stub的方法，包括以下步骤：A钻孔，利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制电镀深度减少通孔Stub的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nA钻孔，利用机械切削的方法在PCB板上钻通孔；/nB树脂塞孔，在PCB板上钻的通孔内完成树脂塞孔工艺；/nC二次钻孔，选择直径为D1的钻头，钻孔深度＝D3+D4，D1和d1是指钻头的直径，D4和d4是指通孔Stub的尺寸既无效镀铜的长度，D3和d3是两层层板之间的间隔既镀铜的有效长度，D1、D3、d3、D4的单位均为mm；/nD镀铜，通过化学镀和电镀，在钻孔的孔壁上沉积铜层，以实现多层板不同层之间的电器导通；/nE二次树脂塞孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种控制电镀深度减少通孔Stub的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A钻孔，利用机械切削的方法在PCB板上钻通孔；
B树脂塞孔，在PCB板上钻的通孔内完成树脂塞孔工艺；
C二次钻孔，选择直径为D1的钻头，钻孔深度＝D3+D4，D1和d1是指钻头的直径，D4和d4是指通孔Stub的尺寸既无效镀铜的长度，D3和d3是两层层板之间的间隔既镀铜的有效长度，D1、D3、d3、D4的单位均为mm；
D镀铜，通过化学镀和电镀，在钻孔的孔壁上沉积铜层，以实现多层板不同层之间的电器导通；
E二次树脂塞孔。


2.如权利要求1所述的一种控制电镀深度减少通孔Stub的方法，其特征在于，步骤B中，将树脂塞进通孔中，塞孔饱满度为40％～90％，然后进行烤板，对树脂塞孔后的PCB板在160℃的温度烤板4小时。


3.如权利要求1所述的一种控制电镀深度减少通孔Stub的方法，其特征在于，步骤C中，钻孔精度控制在1～3mil。


4.如权利要求1所述的一种控制电镀深度减少通孔Stub的方法，其特征在于，步骤D中，镀铜具体步骤如下：
1)去毛刺，利用机械磨板的方式，取出钻孔过程中孔口产生的披锋和毛刺，并清洁板面；
2)去钻污，去除钻孔过程中因高温熔融而粘附在孔壁的环氧树脂；
3)化学镀铜，利用自催化氧化还原反应，在孔壁的树脂及玻璃纤维表面沉积一层铜，使其孔壁具有导电性；
4)电镀铜，利用电镀的方法对整板进行电镀，以使板子的孔内铜厚和表面铜厚达到厚度要求。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：马崇振，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32