薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和显示装置，能够在薄膜晶体管尺寸不变的情况下，增大开态电流，包括衬底、设置于衬底上的栅极、源极和漏极、以及有源图案；有源图案包括第一有源图案和第二有源图案；沿衬底厚度方向，第一有源图案和第二有源图案分设于栅极两侧；第一有源图案包括第一源极区、第一沟道区和第一漏极区；第二有源图案包括第二源极区、第二沟道区和第二漏极区；第一沟道区、第二沟道区和栅极在衬底上的投影重叠；源极、第一有源图案对应第一源极区的部分、以及第二有源图案对应第二源极区的部分电连接；漏极、第一有源图案对应第一漏极区的部分、以及第二有源图案对应第二漏极区的部分电连接。

Thin film transistor, array substrate, display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和显示装置
本技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。
技术介绍
大尺寸高分辨率显示面板成为新的增长热点，像素驱动电路的性能对于显示面板来说至关重要，构成像素驱动电路的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)作为其核心部件的性能也得到广泛关注。其中，为实现更高分辨率，TFT的尺寸需要做的很小，受限于TFT的尺寸，无法使TFT具有较大的开态电流，然而，TFT较大的开态电流对于像素驱动电路的对发光器件的驱动能力至关重要，TFT的开态电流越大，像素驱动电路的对发光器件的驱动能力越好。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，能够在薄膜晶体管尺寸不变的情况下，增大开态电流。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案：一方面，本技术实施例提供一种薄膜晶体管，包括：衬底、设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极、以及有源图案。所述有源图案包括第一有源图案和第二有源图案；沿所述衬底厚度方向，所述第一有源图案和所述第二有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底、设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极、以及有源图案；/n所述有源图案包括第一有源图案和第二有源图案；沿所述衬底厚度方向，所述第一有源图案和所述第二有源图案分设于所述栅极两侧；/n所述第一有源图案包括第一源极区、第一沟道区和第一漏极区；所述第二有源图案包括第二源极区、第二沟道区和第二漏极区；所述第一沟道区、所述第二沟道区和所述栅极在所述衬底上的投影重叠；/n所述源极、所述第一有源图案对应所述第一源极区的部分、以及所述第二有源图案对应所述第二源极区的部分电连接；所述漏极、所述第一有源图案对应所述第一漏极区的部分、以及所述第二有源图案对应所述第二漏极区的部分...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底、设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极、以及有源图案；
所述有源图案包括第一有源图案和第二有源图案；沿所述衬底厚度方向，所述第一有源图案和所述第二有源图案分设于所述栅极两侧；
所述第一有源图案包括第一源极区、第一沟道区和第一漏极区；所述第二有源图案包括第二源极区、第二沟道区和第二漏极区；所述第一沟道区、所述第二沟道区和所述栅极在所述衬底上的投影重叠；
所述源极、所述第一有源图案对应所述第一源极区的部分、以及所述第二有源图案对应所述第二源极区的部分电连接；所述漏极、所述第一有源图案对应所述第一漏极区的部分、以及所述第二有源图案对应所述第二漏极区的部分电连接。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源图案设置于所述栅极靠近所述衬底一侧；
所述薄膜晶体管还包括设置于所述栅极与所述第一有源图案之间的栅绝缘图案、设置于所述栅极与所述第二有源图案之间的层间绝缘层；
所述第二有源图案对应所述第二源极区的部分通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔，与所述第一有源图案对应所述第一源极区的部分接触；所述源极与所述第二有源图案对应所述第二源极区的部分直接接触；
所述第二有源图案对应所述第二漏极区的部分通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔，与所述第一有源图案对应所述第一漏极区的部分接触；所述漏极与所述第二有源图案对应所述第二漏极区的部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁录科，方金钢，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11