一种压电材料复合基板的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种压电材料复合基板的制造方法，涉及高性能声表滤波器技术领域。压电材料复合基板的制造方法包括：将压电基板与承载基板压合，形成键合基板；对所述压电基板进行减薄抛光处理；采用等离子体穿过挡板上的开孔，并轰击所述压电基板上的厚度不均区域，以粗调所述厚度不均区域；采用离子束蚀刻所述压电基板，并使所述离子束与所述键合基板相对移动，以微调所述厚度不均区域。该制造方法能够获得厚度更小、厚度均匀性更小的压电薄膜。

A manufacturing method of piezoelectric composite substrate

【技术实现步骤摘要】
一种压电材料复合基板的制造方法
本专利技术涉及高性能声表滤波器
，具体而言，涉及一种压电材料复合基板的制造方法。
技术介绍
目前，在高性能声表滤波器中运用的压电薄膜，厚度很薄，现有技术获得非常薄的压电薄膜的方法主要是化学气相沉积法(CVD)和离子注入切割法。但是，化学气相沉积法(CVD)获得的薄膜结晶性非常差。离子注入切割法容易出现注入离子引起的损伤无法充分地恢复，残留有结晶缺陷。因此，设计一种压电材料复合基板的制造方法，能够获得厚度更小、厚度均匀性更小的压电薄膜，这是目前急需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种压电材料复合基板的制造方法，其能够获得厚度更小、厚度均匀性更小的压电薄膜。本专利技术提供一种技术方案：一种压电材料复合基板的制造方法，包括：将压电基板与承载基板压合，形成键合基板；对所述压电基板进行减薄抛光处理；采用等离子体穿过挡板上的开孔，并轰击所述压电基板上的厚度不均区域，以粗调所述厚度不均区域；采用离子束蚀刻所述压电基板，并使所述离子束与所述键合基板相对移动，以微调所述厚度不均区域。在本专利技术较佳的实施例中，所述将压电基板与承载基板压合，形成键合基板的步骤，包括：将所述压电基板与所述承载基板置于真空环境中；采用离子束轰击所述压电基板的抛光面与所述承载基板的抛光面；将所述压电基板的抛光面与所述承载基板的抛光面压合，形成所述键合基板。在本专利技术较佳的实施例中，所述对所述压电基板进行减薄抛光处理的步骤，包括：采用砂轮对所述压电基板进行粗机械研磨；采用抛光垫对所述压电基板进行抛光。在本专利技术较佳的实施例中，所述采用等离子体穿过挡板上的开孔，并轰击所述压电基板上的厚度不均区域，以粗调所述厚度不均区域的步骤之前，包括：采用椭圆偏光仪测量所述压电基板的厚度，得出厚度分布数据；根据所述厚度分布数据，制作具有所述开孔的所述挡板。在本专利技术较佳的实施例中，所述采用等离子体穿过挡板上的开孔，并轰击所述压电基板上的厚度不均区域，以粗调所述厚度不均区域的步骤，包括：将所述挡板置于喷头与所述压电基板之间，所述喷头用于喷出所述等离子体；启动所述喷头，使所述等离子体穿过所述挡板上的所述开孔，并轰击所述压电基板上的所述厚度不均区域，以粗调所述厚度不均区域。在本专利技术较佳的实施例中，所述采用离子束蚀刻所述压电基板，并使所述离子束与所述键合基板相对移动，以微调所述厚度不均区域的步骤，包括：采用椭圆偏光仪测量所述压电基板的厚度，得出厚度分布数据；根据所述厚度分布数据，计算出所述压电基板的每个所述厚度不均区域所需要的刻蚀厚度；根据每个所述厚度不均区域所需要的所述刻蚀厚度，采用离子束蚀刻所述压电基板，并使所述离子束与所述键合基板相对移动，以微调所述厚度不均区域。在本专利技术较佳的实施例中，用于喷射所述离子束的离子枪位置固定，用于承载所述键合基板的承载台位置可移动，以使所述离子束与所述键合基板相对移动；或者，用于喷射所述离子束的离子枪位置可移动，用于承载所述键合基板的承载台位置固定，以使所述离子束与所述键合基板相对移动。在本专利技术较佳的实施例中，所述对所述压电基板进行减薄抛光处理的步骤之后，所述压电基板的厚度小于或等于8μm，所述压电基板的厚度均匀性小于或等于10％。在本专利技术较佳的实施例中，所述采用等离子体穿过挡板上的开孔，并轰击所述压电基板上的厚度不均区域，以粗调所述厚度不均区域的步骤之后，所述压电基板的厚度小于或等于6μm，所述压电基板的厚度均匀性小于或等于5％。在本专利技术较佳的实施例中，所述采用离子束蚀刻所述压电基板，并使所述离子束与所述键合基板相对移动，以微调所述厚度不均区域的步骤之后，所述压电基板的厚度小于或等于5μm，所述压电基板的厚度均匀性小于或等于3％。在本专利技术较佳的实施例中，所述离子束与所述键合基板移动的速度不相等。本专利技术提供的压电材料复合基板的制造方法的有益效果是：1.首先形成键合基板，然后依次经过减薄抛光、粗调、微调，不会出现压电基板中植入离子后的极化问题，也不会出现修复损伤层的问题，制造成本低，制备良率高；2.采用等离子体穿过挡板上的开孔，并轰击所述压电基板上的厚度不均区域，以粗调所述厚度不均区域，这样能够减少修整压电基板厚度的时间，提高制造效率；3.采用离子束蚀刻所述压电基板，并使所述离子束与所述键合基板相对移动，以微调所述厚度不均区域，能够固定离子浓度和电磁场强度，只改变各个所述厚度不均区域的照射时长即可，这样，工艺的稳定性以及机台的稳定性更好；4.采用等离子体穿过挡板上的开孔，并轰击所述压电基板上的厚度不均区域，以粗调所述厚度不均区域，再加上采用离子束蚀刻所述压电基板，并使所述离子束与所述键合基板相对移动，以微调所述厚度不均区域，能够使压电基板的厚度和厚度均匀性都小于现有水平。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术实施例提供的压电材料复合基板的制造方法的流程图。图2为键合基板加工过程的结构示意图。图3为粗调键合基板的厚度不均区域的加工示意图。图4为挡板与键合基板配合时的示意图。图5为微调键合基板的厚度不均区域的加工示意图。图6为承载台带动键合基板移动的路径示意图。图标：100-键合基板；110-压电基板；120-承载基板；200-挡板；210-开孔；300-基台；400-离子枪；500-承载台。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压电材料复合基板的制造方法，其特征在于，包括：/n将压电基板(110)与承载基板(120)压合，形成键合基板(100)；/n对所述压电基板(110)进行减薄抛光处理；/n采用等离子体穿过挡板(200)上的开孔(210)，并轰击所述压电基板(110)上的厚度不均区域，以粗调所述厚度不均区域；/n采用离子束蚀刻所述压电基板(110)，并使所述离子束与所述键合基板(100)相对移动，以微调所述厚度不均区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种压电材料复合基板的制造方法，其特征在于，包括：
将压电基板(110)与承载基板(120)压合，形成键合基板(100)；
对所述压电基板(110)进行减薄抛光处理；
采用等离子体穿过挡板(200)上的开孔(210)，并轰击所述压电基板(110)上的厚度不均区域，以粗调所述厚度不均区域；
采用离子束蚀刻所述压电基板(110)，并使所述离子束与所述键合基板(100)相对移动，以微调所述厚度不均区域。


2.根据权利要求1所述的压电材料复合基板的制造方法，其特征在于，所述将压电基板(110)与承载基板(120)压合，形成键合基板(100)的步骤，包括：
将所述压电基板(110)与所述承载基板(120)置于真空环境中；
采用离子束轰击所述压电基板(110)的抛光面与所述承载基板(120)的抛光面；
将所述压电基板(110)的抛光面与所述承载基板(120)的抛光面压合，形成所述键合基板(100)。


3.根据权利要求1所述的压电材料复合基板的制造方法，其特征在于，所述对所述压电基板(110)进行减薄抛光处理的步骤，包括：
采用砂轮对所述压电基板(110)进行粗机械研磨；
采用抛光垫对所述压电基板(110)进行抛光。


4.根据权利要求1所述的压电材料复合基板的制造方法，其特征在于，所述采用等离子体穿过挡板(200)上的开孔(210)，并轰击所述压电基板(110)上的厚度不均区域，以粗调所述厚度不均区域的步骤之前，包括：
采用椭圆偏光仪测量所述压电基板(110)的厚度，得出厚度分布数据；
根据所述厚度分布数据，制作具有所述开孔(210)的所述挡板(200)。


5.根据权利要求1所述的压电材料复合基板的制造方法，其特征在于，所述采用等离子体穿过挡板(200)上的开孔(210)，并轰击所述压电基板(110)上的厚度不均区域，以粗调所述厚度不均区域的步骤，包括：
将所述挡板(200)置于喷头与所述压电基板(110)之间，所述喷头用于喷出所述等离子体；
启动所述喷头，使所述等离子体穿过所述挡板(200)上的所述开孔(210)，并轰击所述压电基板(110)上的所述厚度不均区域，以粗调所述厚度不均区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志东，谢祥政，罗捷，宋嘉铭，杨濬哲，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35