III-V族太阳能电池与制作方法技术

本申请提供了一种III‑V族太阳能电池与制作方法。该III‑V族太阳能电池包括依次叠置设置的衬底、背面电极层、背场层、基极层、发射极层、窗口层和正面电极层，其中，窗口层的材料包括GaP且不包括Al。该III‑V族太阳能电池中由于窗口层的材料不包括Al，这样可以减少由于Al的存在使得在ELO过程中HF酸对窗口层的损伤较严重；另外，该窗口层的材料包括GaP，GaP的带隙较宽，可有效地减少窗口层对光的消耗，使得可有效的减少窗口层对光的消耗，使得III‑V族太阳能电池的转换效率较高。

III-V solar cell and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
III-V族太阳能电池与制作方法
本申请涉及III-V族太阳能电池领域，具体而言，涉及一种III-V族太阳能电池与制作方法。
技术介绍
III—V族III-V族太阳能电池是目前公认的高效III-V族太阳能电池材料，研究较早，应用范围较广，从太空应用到薄膜产品，进一步提高效率仍是其主要追求目标。窗口层是太阳光入射的窗口，是影响光伏电池效率的一个关键因素。合适的窗口层材料可减少光学和电学的损失。目前，III—V族III-V族太阳能电池常用的窗口层材料包括AlGaInP、AlGaAs、AlGaInAs或者GaInP等，这些材料的带隙相对较小，带隙范围最宽范围者为AlGaAs(1.424～2.54ev)，通过提高Al组分可扩大带隙。在制作过程中，通常使用ELO进行外延剥离衬底过程，且ELO技术中通常使用HF酸进行腐蚀，但是HF酸对含Al组分较高的材料有较强的腐蚀作用，从而使得在ELO过程中，对窗口层的损伤比较大。在
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【技术保护点】
1.一种III-V族太阳能电池，所述III-V族太阳能电池包括依次叠置设置的衬底(10)、背面电极层(20)、背场层(30)、基极层(40)、发射极层(50)、窗口层(70)和正面电极层(100)，其特征在于，所述窗口层(70)的材料包括GaP且不包括Al。/n

【技术特征摘要】
1.一种III-V族太阳能电池，所述III-V族太阳能电池包括依次叠置设置的衬底(10)、背面电极层(20)、背场层(30)、基极层(40)、发射极层(50)、窗口层(70)和正面电极层(100)，其特征在于，所述窗口层(70)的材料包括GaP且不包括Al。


2.根据权利要求1所述的III-V族太阳能电池，其特征在于，所述窗口层(70)为掺杂Mg的GaP层。


3.根据权利要求2所述的III-V族太阳能电池，其特征在于，所述Mg的掺杂浓度在1017～1018cm-3之间。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的III-V族太阳能电池，其特征在于，所述窗口层(70)的厚度在5～20nm之间。


5.根据权利要求1至3中任一项所述的III-V族太阳能电池，其特征在于，所述III-V族太阳能电池还包括：
缓冲层(60)，位于所述窗口层(70)和所述发射极层(50)之间，所述缓冲层(60)的晶硅常数与所述窗口层(70)的晶硅常数以及所述发射极层(50)的晶硅常数匹配，优选地，所述缓冲层(60)的材料包括InxGa(1-x)P，其中，0<x<1，进一步优选x＝0.77。


6.根据权利要求1至3中任一项所述的III-V族太阳能电池，其特征在于，所述III-V族太阳能电池还包括：
接触层(80)，位于所述窗口层(70)与所述正面电极层(100)之间；
减反射层(90)，位于所述接触层(80)和所述正面电极层(100)之间，
优选地，所述接触层(80)的材料包括InGaP，所述减反射层(90)的材料包括氮硅化合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔秀梅，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11