【技术实现步骤摘要】
一种超声电化学复合的晶片清洗装置及其清洗方法
本专利技术涉及超精密加工的
，更具体地，涉及一种超声电化学复合的晶片清洗装置及其清洗方法。
技术介绍
半导体晶片或LED衬底晶片制造过程中，由于晶片表面静电力、范德华力、化学键的作用，从切割锭块成为晶圆，再到晶圆的研磨、化学机械抛光，晶片表面都极易吸附各种难以去除的杂质，其中包括有机污染物(油脂、松香、石蜡等)、金属粒子、无机化合物等，而这些杂质将影响晶片的表面观察、平坦化加工以及使用。目前常用清洗晶片的装置包括超声发生装置与清洗容器，利用超声波在液体中的空化作用产生微气泡，一方面微气泡崩溃时产生的局部高温高压环境能够分解水产生具有氧化性极强的羟基自由基，将有机污染物氧化为H2O和CO2，另一方面微气泡崩溃时产生微射流，在其周围产生上千万个大气压力，直接用于清洁晶片表面，使污物层被分散、乳化、剥离。中国专利CN201410363842.3公开了一种晶片清洗装置及晶片清洗方法，利用超声波的空化作用，并设置喷嘴向晶片表面平行喷射清洗液，这种清洗方法提高了晶片成品率，但是...
【技术保护点】
1.一种超声电化学复合的晶片清洗装置，其特征在于，包括壳体(1)、晶片装夹组件(2)、电化学清洗组件(3)、超声组件(4)以及驱动晶片装夹组件(2)转动的驱动组件(5)，所述晶片装夹组件(2)与驱动组件(5)连接，晶片装夹组件(2)包括用于放置晶片的片槽(21)以及安装于片槽(21)两端的转轴(22)，所述片槽(21)悬空置于壳体(1)内，所述转轴(22)与壳体(1)转动连接；所述电化学清洗组件(3)包括阴极(31)和阳极(32)，所述阴极(31)和阳极(32)分别设于所述片槽(21)的两侧；所述超声组件(4)设于晶片装夹组件(2)的下方。/n
【技术特征摘要】
1.一种超声电化学复合的晶片清洗装置，其特征在于，包括壳体(1)、晶片装夹组件(2)、电化学清洗组件(3)、超声组件(4)以及驱动晶片装夹组件(2)转动的驱动组件(5)，所述晶片装夹组件(2)与驱动组件(5)连接，晶片装夹组件(2)包括用于放置晶片的片槽(21)以及安装于片槽(21)两端的转轴(22)，所述片槽(21)悬空置于壳体(1)内，所述转轴(22)与壳体(1)转动连接；所述电化学清洗组件(3)包括阴极(31)和阳极(32)，所述阴极(31)和阳极(32)分别设于所述片槽(21)的两侧；所述超声组件(4)设于晶片装夹组件(2)的下方。
2.根据权利要求1所述的超声电化学复合的晶片清洗装置，其特征在于，所述晶片装夹组件(2)还包括连接旋板(23)，所述连接旋板(23)与转轴(22)连接，多组片槽(21)中心对称分布、且多组片槽(21)均通过卡扣组件(6)与连接旋板(23)卡接。
3.根据权利要求2所述的超声电化学复合的晶片清洗装置，其特征在于，所述片槽(21)内设有卡槽(24)，所述卡扣组件(6)安装于片槽(21)，所述连接旋板(23)设有与所述卡扣组件(6)卡接的勾部(25)。
4.根据权利要求3所述的超声电化学复合的晶片清洗装置，其特征在于，所述卡扣组件(6)包括拉环(61)、弹簧(62)及卡板(63)，所述拉环(61)的一端连接有拉杆(64)，所述卡板(63)设有容拉杆(64)穿过的通孔，所述拉杆(64)的一端穿过通孔连接有卡块(65)，所述弹簧(62)套于拉杆(64)的外周、且所述弹簧(62)设于卡块(65)与卡板(63)之间。
5.根据权利要求2所述的超声电化学复合的晶片清洗装置，其特征在于，所述片槽(21)开设有若干弧形凹槽(26)，待清洗晶片装夹于弧形凹槽(26)中。
6.根据权利要求2至5任一项所述的超声电化学复合的晶片清洗...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘继生，高雅欣，阎秋生，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
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