半导体制造装置及半导体制造方法制造方法及图纸

涉及半导体制造装置及半导体制造方法。目的是提供即使在晶片的大口径化等物理极限严格的动作条件的范围中，也可确保药液处理中的充分的面内均匀性的技术。半导体制造装置具备卡盘台、工作台旋转机构、药液喷嘴、药液喷嘴扫描机构、将气体供给至晶片下表面侧的下表面气体喷嘴、对供给至下表面气体喷嘴的气体进行温度调节的气体温度调节器、能够以不通过气体温度调节器的状态将气体供给至下表面气体喷嘴的气体旁路绕过配管、以可将通过气体温度调节器进行温度调节后的气体及通过了气体旁路绕过配管的气体的任意一者供给至下表面气体喷嘴的方式开闭的第1、第2开闭阀。能够通过第1、第2开闭阀的操作对通过下表面气体喷嘴的气体的温度进行变更。

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置及半导体制造方法
本专利技术涉及通过将药液喷出至半导体晶片而进行的湿处理技术。
技术介绍
在半导体的制造工序中，在使用抗蚀剂而通过光刻法形成了有机材料的图案后，通过干蚀刻法将高频的输出施加于多种气体而赋予能量，由此进行氧化膜、金属材料的蚀刻加工。之后，为了去除抗蚀剂，进行使用药液而使其溶解的方法。作为使用药液而去除抗蚀剂的方法，例如公开了专利文献1所记载的技术。在现有的通常的半导体制造装置中，一边以规定的转速使半导体晶片旋转，并且一边以规定的速度使药液喷嘴扫描，一边以规定的流量喷出药液，由此使药液无遗漏地散布于半导体晶片的上表面而进行药液处理。下面，将“半导体晶片”仅表述为“晶片”。专利文献1：日本特开2005-217226号公报例如，在通过硫酸过氧化氢去除抗蚀剂等的反应限速的药液处理中，为了缩短处理时间，有时会升高药液温度而提高反应性。但是，如上所述，由于一边以规定的转速使晶片旋转，并且一边以规定的速度使药液喷嘴扫描，一边以规定的流量喷出药液，因此晶片的上表面侧的环境一边夺取晶片上表面的药本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制造装置，其具备：/n卡盘台，其通过端部对半导体晶片进行挟持；/n工作台旋转机构，其使所述卡盘台旋转；/n药液喷嘴，其将药液喷出至所述半导体晶片的处理面；/n药液喷嘴扫描机构，其使所述药液喷嘴在所述半导体晶片的处理面之上扫描；/n气体喷嘴，其将气体供给至所述半导体晶片的与所述处理面相反侧的面侧；/n气体温度调节器，其对供给至所述气体喷嘴的所述气体进行温度调节；/n气体旁路绕过配管，其能够以不通过所述气体温度调节器的状态将所述气体供给至所述气体喷嘴；以及/n开闭阀，其以能够将由所述气体温度调节器进行温度调节后的所述气体、及通过了所述气体旁路绕过配管的所述气体的任意一者供给至所述气体...

【技术特征摘要】
20181024 JP 2018-1997181.一种半导体制造装置，其具备：
卡盘台，其通过端部对半导体晶片进行挟持；
工作台旋转机构，其使所述卡盘台旋转；
药液喷嘴，其将药液喷出至所述半导体晶片的处理面；
药液喷嘴扫描机构，其使所述药液喷嘴在所述半导体晶片的处理面之上扫描；
气体喷嘴，其将气体供给至所述半导体晶片的与所述处理面相反侧的面侧；
气体温度调节器，其对供给至所述气体喷嘴的所述气体进行温度调节；
气体旁路绕过配管，其能够以不通过所述气体温度调节器的状态将所述气体供给至所述气体喷嘴；以及
开闭阀，其以能够将由所述气体温度调节器进行温度调节后的所述气体、及通过了所述气体旁路绕过配管的所述气体的任意一者供给至所述气体喷嘴的方式进行开闭，
该半导体制造装置能够通过所述开闭阀的操作对通过所述气体喷嘴的所述气体的温度进行变更。


2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，
所述气体喷嘴的喷出口位于所述半导体晶片的中心部分。


3.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，
所述气体喷嘴的喷出口位于将所述半导体晶片的中心部分包围的部分。


4.一种半导体制造方法，其具备：
药液处理工序，使药液散布于半导体晶片的处理面；以及

【专利技术属性】
技术研发人员：田中博司，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP